一次清洗工艺说明Word格式.docx
《一次清洗工艺说明Word格式.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《一次清洗工艺说明Word格式.docx(20页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
![一次清洗工艺说明Word格式.docx](https://file1.bdocx.com/fileroot1/2022-10/27/eb7905bf-0d7c-447b-84aa-d2fd2fa9e8f5/eb7905bf-0d7c-447b-84aa-d2fd2fa9e8f51.gif)
4.硅片检验
4.1将包装箱打开,查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求;
4.2检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕;
(见附图一、二)
4.3将不合格品放置规定碎片盒子内,作统一处理。
5.装片(见附图三)
5.1片盒保持干净,片盒底部衬以海绵,将硅片插入片盒中,每盒最多插25片硅片。
5.2禁止手与片盒、硅片直接接触,必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。
每插100张硅片,需更换手套。
5.3操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。
6.上料(见附图四)
6.1硅片插完后,取出片盒底部的海绵,扣好压条。
6.2将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中,每篮12个片盒,片盒之间有适当的间隔。
7化学腐蚀液的配制
7.1准备:
将各槽中破损硅片等杂质清除,用去离子水将各槽壁冲洗干净。
7.2配制:
向5、6、8、10#槽中注满去离子水,1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水,按照“7.3”比例分别向各槽加入指定量的化学药品,再注去离子水达到指定的高度。
更改标记
数量
更改单号
签名
日期
第1页
拟制
审核
共8页
标准化
批准
旧底图总号
底图总号
日期签名
第2张共8张
7.3化学腐蚀液的配制比例
槽号
1#槽
2-4#槽
7#
9#槽
功能
去损伤层
制绒
去Na2SiO3
去金属离子
清洗液组成
氢氧化钠
异丙醇
硅酸钠
氢氟酸
盐酸
NaOH
IPA
Na2SiO3·
9H2O
HF
HCl
标准浓度(克/升)
40±
5
18±
5±
2
3±
1
53±
84±
加入试剂
9千克
2千克
12升
6千克
16升
32升
加入试剂(瓶)
18
4
3
12
8
液面高度(厘米)
42
32
30
7.4配制溶液要求:
7.4.1配料顺序:
1#槽按水、氢氧化钠的顺序;
2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。
7#槽按水、氢氟酸、水的顺序;
9#槽按水、盐酸、水的顺序。
7.4.2时间要求:
2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后,需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后,才能加异丙醇。
1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后,同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后,才可进硅片。
7.4.3异丙醇加液要求:
需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部,在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇,减少异丙醇的挥发。
8.各化学药品规格及要求
8.1氢氧化钠:
电子纯,容量500克/瓶,浓度≥98%。
8.2异丙醇:
电子纯,容量4升/瓶,浓度≥99.9%,密度0.78克/毫升。
8.3硅酸钠:
电子纯,容量500克/瓶。
8.4盐酸:
MOS级,容量4升/瓶,浓度36%~38%,密度1.18克/毫升。
8.5氢氟酸:
MOS级,容量4升/瓶,浓度≥49%,密度1.13克/毫升。
9.工艺过程化学药品的补加(同附表二)
9.1工艺过程7、9#槽不需补加化学药品,1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加:
槽号
2~4#槽
每清洗一篮硅片
排液(cm)
补加NaOH
补加IPA
1.5±
0.5
25±
10g
4升(一瓶)
备注
清洗停止1小时以上,每停1小时,需补加2升IPA,最多补加6升(1.5瓶)。
第2页
第3张共8张
10.各槽化学液更换频率(同附表三)
工艺正常操作时(不允许全部排液、重新配液)
7#槽
更换周期
24小时
12小时
更换时间
早班交接班
交接班
工艺不正常时(1~4号槽)更换条件
工艺不正常状态1
连续停机8小时以上,要求全部换液重配
工艺不正常状态2
2~4#槽,其中一槽连续3篮硅片出现白斑,可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态3
2~4#槽,其中一槽硅片出现白斑超过50%,可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态4
2~4#槽,连续都出现白斑,可以对1#槽单独重新配液。
11.清洗腐蚀工艺参数的设置(同附表四)
11.1小片盒放置硅片
11.1.1使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置(同附表四)
槽位
5#槽
6#槽
去损伤
漂洗
喷淋
时间
270±
30um
240±
30um
230±
30min
5min
1min
4min
2min
1min
温度℃
65±
83±
常温
8#槽
10#槽
11#槽
12#槽
13、14#槽
慢拉
烘干
不使用
注意:
使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。
干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。
11.1.2离心甩干工艺(同附表五)
项目
主轴低速
主轴高速
喷水时间
吹气时间
开门时间
蜂鸣器延时
参数
205rpm
430rpm
30秒
180秒
10秒
第3页
共8页
第4张共8张
11.2大片盒放置硅片(同附表六)
11.2.1使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置
1~11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同
11.2.212~14#槽工艺参数的设置:
2min
17min
170±
2℃
11.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置(同附表七)
11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”,对清洗后的硅片进行表面检查,重量、厚度检验和绒面质量分类。
检验不合格的硅片,根据其厚度,按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。
11.3.2不合格的硅片,厚度≤200µ
m直接转至扩散工序;
200µ
m<厚度≤230µ
m,按以下工艺返工:
0min
20min
12.运行
12.1根据《一次清洗工艺操作规程》,在手动工作状态下,按照“11清洗腐蚀工艺参数的设置”,设定各槽时间,及相关的温度;
12.2根据《一次清洗工艺操作规程》,打到自动工作状态,运行清洗设备,对硅片进行清洗腐蚀。
13工艺安全及注意事项
13.1工艺安全:
盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性,在配液过程中,操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。
13.2硅片在检测过程中,操作人员不能用手直接接触硅片和片盒,必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套,防止钠离子、油类沾污硅片。
13.3硅片易碎,在操作过程中,操作人员要轻拿轻放,以减少碎片。
14引用文件
SF/QD-工艺-01一次清洗工艺操作规程
SF/QD–工艺-12一次清洗检验工艺规程
第4页