DRV8412地隔离和输出布局问题详解Word格式文档下载.docx
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EVM的设计采用了统一地，但逻辑和功率电流的回流路径是分开的，这样的布局布线比分割地更好。
因为地分割如果没分好带来的问题更大，也不利于保持大面积的地平面作为散热平面。
42
HiWilson，
1.4个半桥并联我试过可以用，但既然不推荐我也不这样用了。
可能对芯片有损坏。
2.8412两个半桥并联能输出6A的电流，但是同时两个并联之后的两个半桥分别输出3A时8412会过热，贴散热片依然不行。
不知道怎么解决
3.从布线途中，只看到了输入的电流路径是分开的，电流回流路径都是走的地平面也没看到回流路径是分开的
51
HiWilson,
用8412做驱动因为是单向的，所以直接两个半桥并联然后电流过电感再并联电容然后接负载接地。
右边每个并联的半桥通过负载，就直接接地了。
现在想先并联两个半桥——串联1电感——并联1电容这样可以嘛
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1.没错
2.是在EVM板上测试的吗，EVM板上是可以跑到并联6A的，不过壳温会到100C以上。
3.统一地布线中，回流路径低频走最小阻抗通道，高频走最小感抗通道，一般是沿紧贴电流流入的路径的地平面回来，看是看不到的。
关键是器件布局中要保证逻辑部分和功率部分彻底分开。
这样电流的回流就不会串到一起。
关于统一地的使用网上有很多的参考资料可以找到。
EVM中功率部分全在右侧，逻辑部分全在左侧。
发表于2014-9-1816:
08
2.不是在EVM上，是自己做的板子，两半桥并联后，接负载，接地。
（没有形成并行全桥）采用4半桥模式，两半桥并联
3.EVM是根据电流回路走最小阻抗原理，通过布局控制电流回路分部。
逻辑回路全在左侧，功率回路在右侧。
统一地的好处是，保证了参考平面的完整性，有利于信号传输的完整性。
这样理解对吗
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Zhetao,
2.那过温多半是由于芯片底部焊盘焊接不良或没有焊接造成的。
如果芯片底部焊盘焊接好到足够大散热地平面上，一般的风枪都很难吹上或吹下来。
手工焊接时一定要先在芯片底部焊盘上镗锡再吹焊，有一定难度。
如果芯片的热焊盘焊接不良，散热效率至少低50%以上。
PCB上请参看EVM在顶部和底部增加足够的辐射方向的完整铜箔，并用足够的过孔连接顶层和底层散热地平面。
3.没错。
谢谢您的回答。
确实，我们是手工焊的散热不好。
1.不支持4个半桥并联。
那可不可以两个半桥并联使用（两个半桥并联——负载——地）之前就一直这样用，可以正常使用。
但是不知道对芯片有没有损坏
2.我们现在，在做一个驱动需要两路0-3A电流。
因为我们焊接的原因一直出现过热，所以打算用两片8412.每片都是两个半桥并联后接负载接地
发表于2014-9-1817:
13
请注意芯片并联时，只可以AB并联，CD并联。
同时选择相应的模式。
主要是保证并联后各逻辑和保护电路正常工作。
手册上有这样并联的范例。
这个电流大小是一片DRV8412在并联模式下应该完全可以做到的，还是散热的问题，推荐找一块EVM先做实验，再自己根据情况画板。
另外DRV8412需要完全工作在PWM模式下，不支持100%占空比驱动。
CBC限流也需用同时在两个半桥的输入端加上PWM信号来恢复。
请搜索之前关于DRV8412或者DRV8432的帖子。
如
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8412布局
8412EVM布局图
EVM8412采用了统一地保证了参考地的完整性，在布局方面为了减小干扰，功率回路在右侧，逻辑回路在左侧，确保了逻辑回路和功率回路的分开。
这样的布局比分割地的好处有：
1．
统一地保证了参考面的完整性
2．地如果没有分割好，可能会带来很大的干扰（信号在分割处会有反射）
3．大面积统一地和DRV8412底部焊盘焊在一起后增大了散热面积，有利于8412的散热
通过布局可以将电流回路分开是因为，电流回路走最小阻抗的原理，这样我们就可以通过布局控制电流回路。
统一地布线中，回流路径低频走最小阻抗通道，高频走最小感抗通道，一般是沿紧贴电流流入的路径的地平面回来，看是看不到的。
关键是器件布局中要保证逻辑部分和功率部分彻底分开。
这样电流的回流就不会串到一起。
8412过热问题
之前自己做的板子，跑3A电流可以，一到5A就会过热。
分析其原因：
1.手工焊接8412底部焊盘和PCB板上的焊盘没有完全焊接好
2.8412底部焊盘没有和大面积统一地连接在一起，影响了散热
手工焊接时一定要先在芯片底部焊盘上镗锡再吹焊，有一定难度。
如果芯片的热焊盘焊接不良，散热效率至少低50%以上。
PCB上请参看EVM在顶部和底部增加足够的辐射方向的完整铜箔，并用足够的过孔连接顶层和底层散热地平面。
8412工作模式问题
除了手册给的几种模式。
尝试过
1.配置成4半桥工作模式。
每个半桥经过电感，并联电容后两半桥并联，之后右端接负载，负载直接接地。
并行半桥没有经过另一半半桥形成回流，这种模式能使用，但是没考虑效率和对芯片影响的问题。
2.配置成4半桥工作模式。
每个半桥经过电感，并联电容后4半桥并联，测试过能使用。
咨询TI工程师后，不建议4半桥并联使用。
3.现在想尝试。
既然不建议4半桥并联，计划OUT_A和OUT_B并联之后串联电感，并联电容，之后接负载，再接地。
发表于2014-9-199:
现在配置成0:
0:
0模式，4半桥输出模式。
现在AB半桥并联串负载接地，CD半桥并联串负载接地。
这样使用合理吗？
手册给出的并联模式，AB并联、CD并联。
然后连成全桥。
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如果已经并联了AB和CD，应该选用并联模式010，此时PWM_A控制AB，PWM_B控制CD
发表于2014-9-1910:
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010模式是并行全桥工作模式，并联的AB和CD要形成全桥，从AB输出的电流从CD流回或反向。
现在因为驱动是单向的为了增加输出的路数，现在想AB和CD单独输出。
AB输出的电流，流经负载，直接接地形成回路，CD一样。
1.那010模式下
AB-负载-地
CD-负载-地。
这样配置合理吗？
还是010模式下
必须AB、CD形成并行全桥
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可以的，这样可以帮你合并输入，你的负载情况000或010模式都可以。
发表于2014-9-1911:
00
HiWilson
010模式下
CD-负载-地
1.能否增大每路输出电流
2.能否PWM_A控制AB，PWM_B控制CD，两路同时输出
drv8432驱动步进电机发热问题
此问题已被解答
∙
作者lelezhou
发表于2014-8-1310:
31
∙秀才50分
∙如题，采用的方式是闭环控制方式，通过FPGA控制pwm占空比来控制电流的大小实现电机的细分，目前电机（最大电流设置为3.5A）运转的可以很平稳。
但是drv8432每次发热量很大，电机运转一分钟左右就会发生过热保护，otw信号灯就亮了。
不知道哪位大神遇到过这种情况，大概有什么原因可以造成这种现象呢？
∙ps:
我用示波器测过8432的波形输出，也是正常的。
pwm的控制方式是50khz输入，已经避免的百分之百和百分之零的占空比，最小脉冲宽度大于200ns，采用的方式是图中的慢衰减方式
。
∙感谢大神赐教，小弟在此谢过了。
o回复
35
∙进士5815分
∙可以降低PWM到10K-20k，降低开关损耗。
另外DRV8432是一定要装散热器的，有吗？
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∙有的，只是只加了一个散热片。
不知道这个可以么
∙可以比照一下EVM上的这只
48
∙谢谢，我刚试了，把输出频率降到15khz，还是会过热，我的散热片只有比芯片大一点点，比那个evm的板子上的散热片小好多，可能是这个原因吗？
还有没有可能是控制或者哪里的问题
发表于2014-8-1311:
11
∙另外我想补充一下：
那个3.5A是电机的额定工作电流，Radj我设置的是27欧姆，对应的9.7A。
8432在CBC模式（mode="
000"
）下工作的
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