模拟电子技术 课后习题及答案2Word文件下载.docx
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B.0.7倍
C.0.9倍
即增益下降
A.3dB
B.4dB
C.5dB
（4）对于单管共射放大电路，当f＝fL时，与相位关系是
A.＋45˚
B.－90˚
C.－135˚
当f＝fH时，与的相位关系是
A.－45˚B.－135˚C.－225˚
解：
（1）A
（2）B，A
（3）B
A
（4）C
C
二、电路如图T5.2所示。
已知：
VCC＝12V；
晶体管的Cμ＝4pF，fT=50MHz，＝100Ω,β0＝80。
试求解：
（1）中频电压放大倍数；
（2）；
（3）fH和fL；
（4）画出波特图。
解：
（1）静态及动态的分析估算：
（2）估算：
（3）求解上限、下限截止频率：
（4）在中频段的增益为频率特性曲线如解图所示。
三、
已知某放大电路的波特图如图T5.3所示，填空：
（1）电路的中频电压增益20lg||＝
dB，＝
（2）电路的下限频率fL≈
Hz，上限频率fH≈
kHz.
（3）电路的电压放大倍数的表达式＝
（1）60
104
（2）10
10
（3）
说明：
该放大电路的中频放大倍数可能为“＋”，也可能为“－”。
习
5.1在图P5.1所示电路中，已知晶体管的、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。
填空：
除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
（1）在空载情况下，下限频率的表达式fL＝
当Rs减小时，fL将
；
当带上负载电阻后，fL将
（2）在空载情况下，若b-e间等效电容为，
则上限频率的表达式fH＝
当Rs为零时，fH将
；
当Rb减小时，gm将
，将
，fH将
解:
（1）
①；
①。
（2）
①，①，③。
5.2已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出的表达式。
解:
设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出的表达式。
观察波特图可知，中频电压增益为40dB，即中频放大倍数为－100；
下限截止频率为1Hz和10Hz，上限截止频率为250kHz。
故电路的表达式为
5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：
（1）该电路的耦合方式；
（2）该电路由几级放大电路组成；
（3）当f＝104Hz时，附加相移为多少？
当f＝105时，附加相移又约为多少？
（1）因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路；
（2）因为在高频段幅频特性为
－60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路；
（3）当f＝104Hz时，φ'
＝－135o；
当f＝105Hz时，φ'
≈－270o
5.5若某电路的幅频特性如图P5.4所示，试写出的表达式，并近似估算该电路的上限频率fH。
的表达式和上限频率分别为
5.6已知某电路电压放大倍数
试求解：
（1）＝？
fL＝？
fH＝?
（2）画出波特图。
（1）变换电压放大倍数的表达式，求出、fL、fH。
（2）波特图如解图
P5.6所示。
解图P5.6
5.7已知两级共射放大电路的电压放大倍数
（1）＝？
（2）波特图如解图P5.7所示。
5.8电路如图P5.8所示。
晶体管的β、、Cμ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。
定性分析各电路，将结论填入空内。
图P5.8
（1）低频特性最差即下限频率最高的电路是
;
（2）低频特性最好即下限频率最低的电路是
（3）高频特性最差即上限频率最低的电路是
（1）（a）
（2）（c）
（3）（c）
5.9
在图P5.8（a）所示电路中，若β＝100，rbe＝1kΩ，C1＝C2＝Ce＝100μF，则下限频率fL≈?
由于所有电容容量相同，而Ce所在回路等效电阻最小，所以下限频率决定于Ce所在回路的时间常数。
5.10在图P5.8（b）所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相等,且已知rbe=1kΩ，则C1:
C2＝?
若C1与C2所在回路的时间常数均为25ms，则C1、C2各为多少？
下限频率fL≈?
（1）求解C1:
C2
因为C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL）
将电阻值代入上式，求出
C1:
C2＝5:
1。
（2）求解C1、C2的容量和下限频率
5.11在图P5.8（a）所示电路中，若Ce突然开路，则中频电压放大倍数、fH和fL各产生什么变化（是增大、减小、还是基本不变）？
为什么？
将减小，因为在同样幅值的作用下，将减小，随之减小，必然减小。
fL减小，因为少了一个影响低频特性的电容。
fH增大。
因为会因电压放大倍数数值的减小而大大减小，所以虽然所在回落的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故fH增大。
5.12在图P5.8（a）所示电路中，若C1＞Ce，C2＞Ce，β＝100，rbe＝1kΩ，欲使fL＝60Hz，则Ce应选多少微法？
下限频率决定于Ce所在回路的时间常数，。
R为Ce所在回路的等效电阻。
R和Ce的值分别为：
μF
5.13在图P5.8（d）所示电路中，已知晶体管的＝100Ω，rbe＝1kΩ，静态电流IEQ＝2mA，＝800pF；
Rs＝2kΩ，Rb＝500kΩ，RC＝3.3kΩ，C=10μF。
试分别求出电路的fH、fL，并画出波特图。
（1）求解fL
（2）求解fH和中频电压放大倍数
其波特图参考解图P5.6。
5.14电路如图P5.14所示，已知Cgs＝Cgd＝5pF，gm＝5mS，C1＝C2＝CS＝10μF。
试求fH、fL各约为多少，并写出的表达式。
fH、fL、的表达式分析如下：
5.15在图5.4.7（a）所示电路中，已知Rg＝2MΩ，Rd＝RL＝10kΩ，C＝10μF；
场效应管的Cgs＝Cgd＝4pF，gm＝4mS。
试画出电路的波特图，并标出有关数据。
5.16已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为
（1）写出该放大电路的表达式；
（2）求出该电路的fL和fH各约为多少；
（3）画出该电路的波特图。
（1）电压放大电路的表达式
（2）fL和fH分别为：
（3）根据电压放大倍数的表达式可知，中频电压放大倍数为104，增益为80dB。
波特图如解图P5.16所示。
5.17电路如图P5.17所示。
试定性分析下列问题，并简述理由。
（1）哪一个电容决定电路的下限频率；
（2）若T1和T2静态时发射极电流相等，且和相等，则哪一级的上限频率低。
（1）决定电路下限频率的是Ce，因为它所在回路的等效电阻最小。
（2）所在回路的时间常数大于所在回路的时间常数，所以第二级的上限频率低。
5.18若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示，试画出整个电路的波特图。
在折线化幅频特性中，频率小于10Hz时斜率为＋40dB/十倍频，频率大于105Hz时斜率为－40dB/十倍频。
在折线化相频特性中，f＝10Hz时相移为＋90o，f＝105Hz时相移为－90o。
波特图如解图P5.18所示。
解图P5.18
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