材料物理考试知识点终Word文档格式.docx

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5、位错增殖方式，参照增殖图（4.20）P65当外加应力超过屈服强度时，位错开始滑移。

如果位错在滑移面上遇到障碍物，就会被障碍物钉住而难以继续滑移。

a图表示的就是一段位错线的两端被障碍物钉住的情况。

继续增大的应力将使位错线不断弯曲（c、d图）并扩展，以求滑移。

最后，相互接近的两段位错刚好具有相反的性质（伯氏矢量相同、位错线方向相反），它们会相互靠近，以至消失。

这样的结果是原来的一段位错线仍然被钉在障碍物上，但在这段位错线的外围却多出来一个位错环（图d），这就是Fr位错原理。

6、固溶体与混合物的区别：

混合物：

混合物中含有2种以上的相，混合物中的这些相依然保持自己的特性。

固溶体：

固溶体本身只是一个相，组成固溶体的各个组元都已经相互溶解，不再保持组元自己的特性。

7、固溶强化的效果决定因素：

1.溶剂原子和溶质原子的尺寸差别越大，固溶强化的效果越大；

2.添加的合金元素越多，固溶强化的效果也越大。

8、所谓弥散强化，是指将多相组织混合在一起所获得的材料强化效应。

如果材料中添加的合金元素太多，以致超过了其溶解度，就会出现第二相，形成两相合金。

在这两种相之间的界面上的原子排列不再具有晶格完整性。

在金属等塑性材料中，这些相界面会阻碍位错的滑移，从而使材料得到强化,这就是弥散强化的由来

9、共晶反应：

从一个液相生成α相和β相两种固相的反应。

共析反应：

从一个固相S1转变成两个固相S2和S3的反应。

共析反应与共晶反应不同之处：

共晶反应是从一个液相转变成两个固相的，且不同通过热处理的方式来实现。

而共析反应是固相之间的反应，是由一个固相转变为两个固相的反应。

需要热处理的方式来实现。

10、可以用来强化材料的固态相变有：

时效强化、共析反应，非平衡态的马氏体相变。

11、能够携带电荷的粒子称为载流子。

在金属、半导体和绝缘体中携带电荷的载流子是电子；

在离子化合物中，携带电荷的载流子则是离子。

12、控制材料的导电性能实际上就是控制材料中的载流子的数量和这些载流子的移动速率。

对于金属材料来说，载流子的移动速率特别重要。

13、从连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动，到不连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动，再到不连续能量分布的价电子在周期性势场中的运动，分别是经典自由电子论、量子自由电子论、能带理论这三种分析材料导电性理论的主要特征。

14、未填满电子的能带称为导带。

由价电子能级分裂而成的能带称为价带。

在能带之间没有可能量子态的能量区域叫禁带。

15、费米能级：

能带中有一半的能级被电子占据的能级称为费米能级。

由于钠只有1个3s电子，所以在3s价带上，只有一半的能级被电子所占据。

这些被电子占据的能级应该是能量较低的能级。

当温度为绝对零度时，只有下面一半的能级被电子占据，上面一半的能级没有电子占据。

而当温度大于绝对零度时，有一些电子获得了能量，跳到价带里的较高能级，而在相对应的较低的能级上失去了电子，产生了相同数量的空穴。

因此钠能导电。

镁这样的周期表ⅡA族元素的最外层3s轨道有2个电子，它的3s能带就会被电子全部占满。

由于固体镁的3p能带与3s能带有重叠，这种重叠使得电子能够激发到3s和3p的重叠能带里的高能级，所以镁具有导电性。

铜中的内层3d能带已经被电子充满，这些电子被原子紧紧束缚，不能与4s能带相互作用。

由于铜中的3d能带和4s能带之间基本没有相互作用，所以铜的导电性非常好。

银和金的情况与铜类似。

16、超导体与理想导体之间的差别：

（1）理想导体定义为在它里面不存在任何散射电子机制的一种导体。

超导体：

这种在一定低温条件下电阻突然失去的物质称为超导体。

（2）理想导体没有迈斯纳效应，而超导体具有迈斯纳效应（磁力线不能穿过超导材料）。

相同点：

都是零电阻。

17、马基申规则：

金属固溶体中溶质原子的浓度较小，以致可以略去它们之间的相互影响，把固溶体的电阻看成由金属的基本电阻和残余电阻组成。

这实际上表明，在一级近似下不同散射机制对电阻的贡献可以加法求和。

这—导电规律称为马基申定则。

18、锗比硅容易提纯，所以最初发明的半导体三极管是锗制成的。

但是，锗的禁带宽度（0.67eV）只有硅的禁带宽度（1.11eV）的大约一半，所以硅的电阻率比锗大，而且在较宽的禁带中能够更加有效地设置杂质能级，所以后来硅半导体逐渐取代了锗半导体。

硅取代锗的另一个主要原因是在硅的表面能够形成一层极薄的SiO2绝缘膜，从而能够制备MOS型三极管。

19、掺入了施主杂质（磷）的非本征半导体以负电荷（电子）作为载流子，所以称为n型半导体。

掺入了受主杂质（镓）的非本征半导体以正电荷（空穴）作为载流子，所以称为p型半导体。

向本证半导体提供电子作为载流子的杂质元素称为施主；

向本证半导体提供空穴作为载流子的杂质元素称为受主。

20、p-n结具有单向导电性：

如果外加一个电压，使负极与n半导体联接，正极与p半导体联接，电子和空穴都向p-n结移动，最后相互结合，这些电子和空穴的移动产生电流，此时所加的外电压称为正偏压；

如果外加的电压相反，即处于反偏压时，电子和空穴都会离开p-n结，在p-n结附近出现一个没有载流子的耗尽区，就像绝缘体一样，没有电流流过。

21、由于p-n结只允许电流沿一个方向流过，它可以只让交流电中的正向电流流过，而将反向电流阻挡住，所以p-n结能够将交流电转变成直流电，这种p-n结称为*整流二极管；

利用p-n结的反向电流特性制备的特殊器件称为齐纳二极管，或稳压二极管。

22、在p-n结处于反向偏压时，一般只有很小的漏电流，这是由于热激发的少量电子和空穴引起的。

但是，如果反向偏压太大，通过p-n结的绝缘区的漏电流的载流子将会被大大加速，导致产生一个很大的电流。

这种现象称为p-n结的反向击穿.

23、价带的电子受到入射光子的激发后，会跃过禁带进入导带。

如果导带上的这些被激发的电子又跃迁回到价带时，会以放出光子的形式来释放能量，这就是光致发光效应，也称为荧光效应。

24、光致发光现象不会在金属中产生。

因为在金属中，具有没有充满电子的能带，低能级的电子只会激发到同一能带的高能级。

在同一能带内，电子从高能级跃迁回到低能级，所释放的能量太小，产生的光子的波长太长，远远超过可见光的波长。

25、这些被陷阱能级所捕获的激发电子必须首先脱离陷阱能级进入导带，然后这些电子跃回到价带，才能发出可见光，所以它们被入射光子激发后，需要延迟一段时间才会发光，这样就出现了所谓的余辉现象。

余辉时间取决于这些陷阱能级与导带之间的能级差，即陷阱能级深度。

26、光激发伏特效应是另一个重要的半导体物理效应，是太阳能电池的理论基础。

结合右图解释光伏特效应的原理.

首先，考虑禁带宽度相等的p型半导体与n型半导体的结合情况。

受光激发后，在二者的结合区域，会产生大量的空穴载流子和电流载流子。

当然，这些正负电荷载流子还有可能再次相互结合。

但一部分电子载流子会移动到能级较低的n型导带，空穴载流子会移动到能级较高的p型导带。

其结果是在n型中负电荷增加，在p型中正电荷增加，形成电流。

但是这种电荷的增加不会无限进行下去，正负电荷相互分离后，会产生反电位，而阻止正负电荷进一步积累。

这种反电位与正负电荷移动趋势相互平衡所达到的平衡状态，就是该太阳能电池产生电动势最大值。

27、所谓半导化，是指在禁带中形成附加能级，这些附加能级的电离能都比较低，高温下受到热激发就会产生载流子而形成半导体。

氧化物陶瓷这种由绝缘体转变为半导体的现象称之为半导化。

在氧化物晶体中，产生附加能级主要有两个途径：

（1）不含杂质的氧化物主要通过化学计量比偏离，在晶体中存在固有缺陷。

（2）在氧化物掺入少量杂质，在晶体中存在杂质缺陷。

28、判断一个系统是否处于平衡状态的根据是看其费密能级是否相等。

29、在能带结构图中，电子的能级向上为越来越高，空穴的能级向下为越来越高。

30、由不同材料组成的p-n结又称异质结。

（两个禁带宽度不同的半导体材料）禁带较宽的半导体将吸收波长较短的光线，禁带较窄的半导体则吸收波长较长的光线，可以利用的太阳光波长范围更大，从而增加了太阳能利用效率。

由于短波光线的穿透能力差一些，所以此时一般都将禁带宽度较宽的半导体设计在朝向太阳光一侧，这种半导体又称为电池的窗口材料。

31、n型半导体与金属接触：

金属的功函数ФM>

半导体的功函数ФS，整流效应；

ФM<

ФS时欧姆接触。

p型半导体与金属接触，且ФM>

ФS时，也形成欧姆接触；

ФS时整流效应。

32、电介质是在电场作用下具有极化能力并在其中长期存在电场的一种物质。

33、电介质的四大基本常数：

（1）介电常数是指以电极化的方式传递、存贮或记录电的作用

（2）电导是指电介质在电场作用下存在泄露电流（3）介电损耗是电介质在电场作用下存在电能的损耗（4）击穿是指在强电场下可能导致电介质的破坏

34、分子的极化可以归结为三个来源：

（1）电子位移极化

（2）离子位移极化（3）固有电矩的转向极化。

35、固体电介质的电导按照载流子的类型不同可以分成三种：

①离子电导或电解电导（本征缺陷载流子，杂质缺陷载流子，质子）②离化分子电导或电泳电导③电子电导（本征载流子，非本征载流子，注入载流子）

36、电击穿：

当固体电介质承受的电压超过一定的数值VB时，就使其中相当大的电流通过，使介质丧失绝缘性能，这个过程就是电击穿。

击穿强度：

EB=VB/d。

37、解释电击穿的理论：

碰撞电离理论，雪崩理论，齐纳击穿理论。

38、在碰撞电离理论中，碰撞机制一般应考虑电子和声子的碰撞，同时也应该计及杂质和缺陷对自由电子的散射。

若外加电场足够高，当自由电子在电场中获得的能量超过失去的能量时，自由电子便可在每次碰撞后积累起能量，最后发生电击穿。

39、雪崩理论是在电场足够高时，自由电子从电场中获得的能量在每次碰撞后都能产生一个自由电子。

因此往n次碰撞后就有2n个自由电子，形成雪崩或倍增效应。

这些电子一方面向阳极迁移，一方面扩散，因而形成一个圆柱形空间，当雪崩或倍增效应贯穿两电极时，则出现击穿。

40、当外电场足够高时，由于量子力学的隧道效应，禁带电子就可能进入导带。

在强场作用下，自由电子被加速，引起电子碰撞电离。

这种电子雪崩过程同样引起很大的电流，但这并不导致晶体的破坏。

导致晶体击穿的原因是由于隧道电流的增加，晶体局部温度提高，致使晶体局部熔融而破坏。

这个机理首先由齐纳提出的，因此称为齐纳击穿

41、在不均匀介质中随着试样厚度的增加，材料的EB值显著下降。

薄试样的EB值比厚试样的要高得多，这是由于薄试样比较均匀，瑕点数目少的缘故。

42、局部放电就是在电场作用下，在电介质局部区域中所发生的放电现象，这种放电没有电极之间形成贯穿的通道，整个试样并没有被击穿。

43、铁电体是指在某温度范围具有自发极化，而且极化强度可以随外电场反向而反向的晶体。

热释电晶体是具有自发极化的晶体，但因受到表