小功率晶体管fT测量电路文档格式.docx
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B1的初级电感量为3.2uH，初级是在高频小磁环上绕7匝，次级两个绕组者是1匝。
B1与10pF电容并联时谐振频率为27M，而C1取值20pF，剩余10pF，所以频率为27M时B1、C1构成的谐振回路为容性，等效为10pF电容，该电容与晶振及68pF构成电容三点式振荡电路。
待测管电路：
分两步分测量，一是电流放大倍数的测量，二是cb结势垒电容的测量。
测量出cb结势垒电容后可对电流放大倍数进行修正，如果不修正，测量出的小功率管电流放大倍数会偏小10%—30%，中功率管的会偏小数倍。
如果只是粗略测量，不必测出势垒电容，直接对电流放大倍数修正15%即可。
待测管的发射极接100欧电阻，对该电阻的功率有一定要求，可用4个390欧电阻并联得到。
电路中的两个电感（47uH与100uH）可用普通的色环电感，Q值不要求很高，Q值太高对电路稳定工作没有好处。
毫伏表由信号放大单元、检波单元构及数字万用表构成。
放大单元由V3担任，其发射极串接20欧电阻，可大大提高输入阻抗，同时也有利于提高放大倍数的稳定性。
2个1N4148构成倍压检波电路。
1N4148为典型的硅二极管，正导通压降大于0.5v，当信号小于0.5v时，所能提供的检波输出电流十分微弱，可认为无法检波，因此电路中通过10K电阻与1K电阻为2个二极管分别提供0.5v左右的偏置电压。
毫伏表的最大输出电压为3.5v，超过此值V3可能进入非线性放大区域。
电源：
分两部分，一是由7812三端稳压产生稳定的12V电压。
二是NPN—PNP转换开关，通过此开关切换，可使AB点的电压反置。
电路制作规范遵循高频电路制作的基本原则，引线要短一些，毫伏表不要靠近信号发生电路，应靠近待测管输出电路。
地线分布要合理，四个模块地线各自集中，不要相互交叉，敷铜板未用部分可全部接地。
电路中F点与G点引出两条线用于测量Cbe电容，这两条线不要太长、太宽，并且两个接线点b和c不要太近，最好中间有屏蔽线，如果电路设计得好，b、c点分布电容耦合的信号几乎不会在毫伏表中表现出来。
同样，C点的信号通过R3耦合到待测管的基极，这两点之间要有一点的距离（如1—2cm），两点间最好也有地线（或电源线）屏蔽。
总之只要布线合理，无须对各模块使用屏蔽盒独立屏蔽。
测量电流放大倍数与测量Cbc可设计成使用开关切换，但开关的分布电容与分布电感可能严影响测量精度。
二、激励电平的控制：
信号发生器的功率输出可达20mW以上。
测量方法如下：
机械万用表接串接1N4148构成检波电路并测量B1两端电压，可知B1上的正弦信号的峰值电压（约6到10伏）。
注意，无须检波电容，因为万用表的分布电容可代替检波电容和负载电阻，如果使用数字万用表，最好加一个负载电阻，因为数字表阻抗太高，干扰脉冲可能使测量的结果偏大。
接下来在B1上并联一个电阻并观察峰值电压的变化情况。
当并联的电阻值小到几千欧时，峰值电压开始明显下降。
此时在并联电阻的损耗的有效功率接近信号发生器的输出的最大功率。
如果用示波器观察峰值变化情况，应使用10:
1探头，以减少示波器的输入容抗对电路的影响。
得知信号源的负载能力后，就可预知次级所允许的负载电阻值。
B1的初级与次级匝数比为7倍，也可把匝数比取得更大一些，这样，次级负载对初级的影响会比较小。
电路设计时，次极负载设计为150欧，从初级看进去，等效负载为150*7*7=7.5千欧。
从C点看进去，信号原的内阻小于40欧大于40//150欧，约30欧，含极少量感抗，具体计算比较麻烦，故从略。
C点的输出直接驱动待测管V2是不合理的，因为输入电平太大会造成V2偏离甲类工作状态，进入甲乙类甚至进入丙类状态，电路的放大作用不是线性的，将给测量带来极大困难。
因此电路中串接R3，以减少输入信息的幅度。
R3也不能太大，否则电路的分布电容可能的影响测量。
由于存在信号源内阻，实际Ib值会比测量值稍偏少一点，因此计算时Ib时也可以加入内阻一并计算。
电路中通过R1与R2分压得到V2所需的激励电平，那么多大的电平才是合理的？
一味减小输入电平，会造成输出变得很小，对毫伏表的灵敏度要求很高，各种干扰信号可能影响测量，电路制作工艺也会变得比较复杂，所以应找到一个恰当的输入电平。
当V2的be结的交流信号峰峰电压差在26mV之内（即交流信号幅度小于13mV），可认为V2处于线性放大状态，而Vbe每增加26mV，集电极电流增大为原来的2.7倍，所以集电极电流在两个峰值时的电流比应小于2.7倍才能使be结电压波动小于26mV，确保工作于线性放大区。
实际上V2的静态工作电流限制了输入电流，设集电集的两个峰值电流为I1与I2，静态电流为Io，Ic为交流峰值电流，则有：
也就是说这种情况下，Ib应当小于0.23mA才可确保激励电流不会过大。
接下来计算一下实际的激励电流：
B1的初级峰值交流电压最大为10v，那么次极为10v/7=1.4v，经R1、R2分压后为=0.40v，所以Ib=0.40/2k=0.2mA。
因此本电路可确保电流增益为20倍Io=10mA时，V2的三极管的激励电流不会过大，此三极管fT大于540M。
如果V2的电流增益小，允许Io小一些。
通常，Io变化会对fT有一定的影响，对于大部分小功率三极管，Io在5—50mA时，fT接近其最大值。
顺便说明，测得fT为540M，经修正后，实际fT可能达到700M。
R3将信号传送给V2，分布电容、电感也可能把信号耦合过去，会不会影响测量呢？
判断方法如下：
接上9014，测得V2的输出电压v1，在R3上并联13K电阻（阻值为1.73千欧），测得电压v2，如果v1/v2=2k/1.73k，说明分布电容可忽略，经实测等式成立，误差在1%以内，说明只要布线合理，V2输入端的分布电容可忽略。
三、毫伏表的输入电抗：
设9018的fT值600M，Cbc为2pF，经计算，该毫伏表的阻抗为容性，约200欧左右，与实测值完全一致。
取20pF电容两个，毫伏表的输入串接1个20pF电容，测得C点电压V1，串接2个20pF电容（即10pF）测得电压V2。
设频率在fo时20pF电容的容抗为A，毫伏表的输入容抗为X则有：
四、解决毫伏表的非线性问题：
在B1上外接如下临时电路，其中Rx可省去，如果电位器W质量不太好，调节精度不够，可适当串接Rx以改善调精度。
3个11欧电阻应使用相同的产品，焊接时引线要短，否则引线电感引起的电压变化会在毫伏表中表现出来。
毫伏表输入端接a点，调节W使毫伏表显示为3.04伏，再测b点及c点电压。
记3次测得的电压为Vo1，Vo2，Vo3。
毫伏表输入端接a点，调节W使毫伏表显示为Vo3伏，再测b点及c点电压。
记b与c点2次测得的电压为Vo4,Vo5。
毫伏表输入端接a点，调节W使毫伏表显示为Vo5伏，再测b点及c点电压。
记b与c点2次测得的电压为Vo6,Vo7。
与输出电压Vo1—Vo7对应的输入电压Vi1—Vi7是通过电阻分压得到的，具有以下比例关系Vi1:
Vi2:
Vi3=Vi3:
Vi4:
Vi5=Vi5:
Vi6:
Vi7=3:
2:
1，易得Vi1:
Vi3:
Vi5:
Vi7=27:
18:
9:
6:
3:
1，理想性况下，Vo1—Vo7的比例关系应与Vi1—Vi7的比例关系相同。
受到二极管检波的非线性影响，Vo1—Vo7实测的结果当然不是以上比例，如何修正读数电压呢？
在大信号输入时，线性良好，可用数学方法描述：
输入电压每增加一个单位，输出电压增加k伏，Vi变化k的值不变。
用图像法表达，k就是线性区域的斜率，设此值为k。
如果已知k，那么理想输出值Vx=kVi。
此时Vx就会满足以上比例关系。
由于大信号输入时，线性良好，可取Vi1与Vi3为参考点计算进行计算:
k=（Vo1-Vo3）/（Vi1-Vi3）=（3.04-1.04）/（27-9）=0.111
不宜选取Vi1、Vi2或Vi2、Vi3作为参考点，因差值小测量误差大一些。
序号
输入Vi
输出值Vo
理想输出值Vx=k*Vi
修正值
简单修正
1
27
V1=3.04
3
0.04
2
18
V2=2.06
0.06
9
V3=1.04
4
6
V4=0.708
0.667
5
V5=0.412
0.333
0.08
V6=0.326
0.222
0.10
0.1
7
V7=0.264
0.111
0.15
其它误差分析：
①、Vi1—Vi7的比例关系通过三组测量得到，第一组的Vi3的误差会传递给第二组，第二组的Vi5的误差会传递给第三组，这将导至Vi5与Vi6的误差较大，可能影Vo5与Vo6的测量，但这并不重要，因为Vi5与Vi6信号很小，其它因素导至Vo5与Vo6测量误差会更大一些（如温度影响）。
②、输入信号不能太大，否则9018三极管进入非线性区。
当Vo大于3.5V后，线性变差。
③、测b点电压时，信号源的内阻约为20欧，而毫伏表的容抗为200欧，会不会影响测量。
可见，信号源的内阻引起的传输损耗可忽不计。
五、关于电流放大倍数的准确测量：
测量电路如下：
从上式知道，当已知Uo与Ui的比值及输入输出阻抗就可求得电流放的倍数，并不需要知道Uo与Ui的精确值，只要比值足够精确即可。
然而以上算式仅仅是应用欧姆定理粗略确定了电流放大倍数测量的基本思路，为了准确测量还必须应用电路分析的方法作进一步分析。
1、关于fT：
如上图，通常认为晶体管三极管是电流控制型的器件，也就是说微小的输入电流Ib变化会引起引烈的输出电流Ic变化。
然而从本质上讲，是Ic的变化是由于be结电压Vbe引起的，可用
表示，
，式中的β是指忽略结电容时的电流放大倍数，与直流放大倍数相近。
在Vbe的作用下，从发射极过来的电流，大部分进入集电集，少量进入基极，进入基极的电流造成be结间存在一个等效微变电阻Rbe。
在高频情况下，电流放大作用变小，甚至失去放大能力。
当Ib=Ic时对应的频率为fT。
影响fT的因素有四个（或者说影响电流增益的因素）：
（1）be结的扩散电容。
be结的输入阻抗分两部分，一部分是输入电阻Rbe。
另一部分是扩散电容引起的容抗Xbe，频率高时，Xbe是主要的。
Rbe与Xbe都是指微变等效阻抗。
（2）基区渡越时间
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