Mott–Schottky(莫特-肖特基)专题Word下载.docx

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发布日期:

2010-11-28

发现很多虫友对Mott-schottky技术提问的很多，但基本上没有明确的答复。

我对此技术了解得也很少，本质上来说，Mott-schottky属于固体物理学的知识。

由于本人才疏学浅，接触它也仅仅几天的时间，因此无法对Mott-schottky曲线的分析以及更加高深的部分进行解答，万望谅解。

今就如何在上海辰华CHI660B电化学工作站测试Mott-schottky曲线，以及如何进行数据处理，说一下自己的经验。

不当之处祈盼大牛指正，大家共同学习提高。

作者：

jjfyj

1、Mott-schottky测试

测试技术采用Impedance-Potential，如图所示：

接着设置参数：

我的理解是，Mott-schottky属于固定频率测试阻抗随电位的变化关系。

yaya2566虫友（

liaofan33虫友（

均问到参数的设置问题。

从第二张图上我们可以看到，需要设置的参数分别有初始电位，终止电位，电位增幅，幅值（对应于文献中的交流扰动信号/正弦波交流电信号），频率等等。

首先，需要自己拟定合适的电位区间，大家可以去查找自己领域的文献。

电位增幅，我选择的是很低的，觉得这样测定出来的数据更加准确，就像极化曲线或CV中扫速越小，曲线越精确一样，不知这样理解是否正确，留待大牛斧正。

幅值，我觉得与EIS是一样的，一般选择5mV或10mV，由于Mott-schottky一般是来研究半导体型的钝化膜，10mV为宜。

频率的选择，我们可以选择不同的频率做一系列曲线，如果测试频率的增加使各曲线电容值减小,表明电容对频率的依赖，Mott-schottky曲线随频率变化发生弥散现象（可参考张云莲，史美伦，陈志源的《钢筋钝化膜半导体性能的Mott_Schottky研究》和孔德生，李亮的《电容测量研究铬表面氧化膜的半导体性能》）

至于直流电偏移一项，CHI660B给出的说明是：

Whendccurrentishighandaccurrentislow,thesensitivitycannotbeincreasedbecausedccurrentwilloverflow.Thisproblemismoreseriouswhenthefrequencyisrelativelylow.Byapplyingdccurrentbias,itallowshigheracsignalamplification.A16-bitDACisusedforthispurpose.Ifdccurrentisnotexpectedtobelargeandthefrequencyishigh,onemaynotwanttobiasdccurrent.

大家可以自行判断。

最后一项是灵敏度，说明书给出的解释是Thesensitivityscalesettingisautomaticbydefault.Duringtheexperiment,thesystemteststhecurrentsizeanddeterminesthepropersensitivityscale.Itusuallyworkswell.Thesensitivityscalesettingcanalsobemanuallyoverridden.Incertain

cases,itmayprovidebetterresults.因此我保留的是默认值。

中间几项也采用默认数值。

二、Mott-schottky曲线的显示

试验完成后，显示的图形为LogZ-E图，我们可以另起改为Mott-schottky曲线形式显示。

Graphics-Graphoption

在Data下拉菜单中可以看到有两个Mott-schottky曲线可供选择

区别在于电容的不同，一个Cs一个是Cp。

下标s为series串联；

p为parallel并联

jruij虫友（

三、数据处理

ldy1985虫友（[url]option中转换看到。

其实，这就需要进行简单的计算了，当然不必用手工计算，我们可以在origin里自拟公式加以解决。

1、首先，将convert好的txt打开

删除header信息：

2、在Origin中导入数据

选取importsingleascii

3、删除数据以上的各行

假如忽略此步骤，再添加新列进行计算时，会提示1600错误

4、新增两列，分别是C和1/C^2

C列setvolumevalues公式为：

1/C^2列计算公式为：

[Lasteditedbyjjfyjon2010-12-5at09:

17]

5、作图

以E为X轴，1/C^2为Y轴作图

即得到Mott-schottky曲线：

四、判断半导体类型

在Mott-schottky曲线中找到直线部分，可以进行分析

Mott-schottky直线的斜率小于零，说明表面氧化膜具有p型半导体特性，否则为n型

当然，通过直线部分测出斜率数值外，还可以外推其截距，都可以带入Mott-schottky公式中进行进一步的处理，此处不再赘述。