电力电子技术课程设计范例文档格式.doc

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电力电子技术课程设计范例文档格式.doc

2.2直流电源设计…………………………………………………………5

2.3主电路工作原理·

·

……………………………………………………6

2.4触发电路设计………………………………………………………10

2.5过压过流保护原理与设计…………………………………………………15

三仿真分析与调试……………………………………………………………17

3.1Matlab仿真图…………………………………………………………17

3.2仿真结果…………………………………………………………18

3.3仿真实验结论……………………………………………………………24

元器件列表·

…………………………………………………………………24

设计心得……………………………………………………………………………25

参考文献……………………………………………………………………………25

致谢………………………………………………………………………………26

一.设计要求与方案

供电方案有两种选择。

一,线性直流电源。

线性电源(Linearpowersupply)是先将交流电经过变压器降低电压幅值,再经过整流电路整流后,得到脉冲直流电,后经滤波得到带有微小波纹电压的直流电压。

要达到高精度的直流电压,必须经过稳压电源进行稳压。

线性电源体积重量大,很难实现小型化、损耗大、效率低、输出与输入之间有公共端,不易实现隔离,只能降压,不能升压。

二,升压斩波电路。

由脉宽调制芯片TL494为控制器构成BOOST原理的,实现升压型DC-DC变换器,输出电压的可调整与稳压控制的开关源是借助晶体管的开/关实现的。

因此选择方案二。

设计要求:

设计要求是输出电压Uo=220V可调的DC/DC变换器,这里为升压斩波电路。

由于这些电路中都需要直流电源,所以这部分由以前所学模拟电路知识可以由整流器解决。

MOSFET的通断用PWM控制,用PWM方式来控制MOSFET的通断需要使用脉宽调制器TL494来产生PWM控制信号。

设计方案:

1、电源电路

电源电路采用电容滤波的二极管不控整流电路,220V单相交流电经220V/24V变压器,降为24V交流电,再经二极管不控整流电路及滤波电容滤波后,变为平直的直流电,其幅值在22V~36V之间。

2、主电路

2.1主电路选用升压斩波电路,开关管选用电力MOSFET。

2.2Boost电路的负载为110V、25W白炽灯,

2.3boost电路中,占空比不要超过65%,否则电压大于100V。

3、控制电路的选择与确定

3.1脉冲发生器TL494

3.2驱动电路IR2110

二.设计原理分析

2.1总体结构分析

电力电子器件在实际应用中,一般是由控制电路,驱动电路,保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。

由信息电子电路组成的控制电路按照系统的工作要求形成控制信号,通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或者关断。

来完成整个系统的功能。

因此,一个完整的降压斩波电路也应包括主电路,控制电路,驱动电路和保护电路这些环节。

直流斩波电路由电源、变压器、整流电路、滤波电路、主电路、控制和驱动电路及保护电路组成。

如图2—1所示:

电源

变压器

整流

电路

升压

滤波电路

控制和驱动电路

保护电路

图(2-1)

2.2直流电源设计

小功率直流电源由电源变压器、整流电路、滤波电路三个部分组成,其原理框图如图2.1所示:

图2.1

在直流电源中一般用四个二极管组成桥式整流电路,整流电路的作用是将交流电压变换成脉动的直流电压。

滤波电路一般由电容组成,其作用是把脉动直流电压中的大部分纹波加以滤除,以得到较平滑的直流电压。

与交流电压的有效值的关系为:

在整流电路中,每只二极管所承受的最大反向电压为:

流过每只二极管的平均电流为:

整流电路设计如下:

图(2-3)

2.3主电路工作原理

假设L和C值很大。

V处于通态时,电源E向电感L充电,电流恒定I1,电容C向负载R供电,输出电压Uo恒定。

V处于断态时,电源E和电感L同时向电容C充电,并向负载提供能量。

图(2-4)

首先假设电路中电感和电容值都足够大。

当可控开关S处于导通状态时,电源E向电感L充电,充电电流基本恒定为I1,同时电容C上的电压向负载R供电。

因为电容C的值很大,基本保持输出电压U0为恒值。

设S处于导通的时间为ton,此阶段电感L上积蓄的能量为:

当S处于断态时,E和L共同向电容C充电并向负载R提供能量。

设T处于断态的时间为toff,则在此期间电感释放的能量为:

稳态时,一个周期T中L积蓄能量与释放能量相等

化简得:

以上为升压斩波电路的工作原理。

电感的选择

根据电感最大贮能值0.5×

I确定电感峰值电流Imax=Io+2×

VoToff/L(Toff为关断时间),匝数N应进行取整,当匝数少电流大时,应尽量避免取半匝的情况。

经计算后选取电感量为10mH,电容为4700μF。

O

E

图2-5电流连续

图2-6电流断续

当MOSFET处于导通时,得

设的初值为,解上式得

当MOSFET处于关断时,设电动机电枢电流为,得

当电流连续时,从图2-6的电流波形可看出,=时刻=,=时刻=,由此可得

故由上两式求得:

把上面两式用泰勒级数线性近似,得

该式表示了L为无穷大时电枢电流的平均值,即

当电流断续时的波形如图2-6所示。

当=0时刻==0,令式(1-10)中=0即可求出,进而可写出的表达式。

另外,当=时,=0,可求得持续的时间,即

当时,电路为电流断续工作状态,是电流断续的条件,即

根据上式可对电路的工作状态做出判断。

该式也是最优参数选择的依据。

2.4触发电路的设计

TL494CN是一种固定频率脉宽调制电路,它包含了开关电源控制所需的全部功能,广泛应用于单端正激双管式、半桥式、全桥式开关电源。

TL494有SO-16和PDIP-16两种封装形式,以适应不同场合的要求。

其主要特性如下:

1.集成了全部的脉宽调制电路。

2.片内置线性锯齿波振荡器,外置振荡元件仅两个(一个电阻和一个电容)。

3.内置误差放大器。

4.内止5V参考基准电压源。

5.可调整死区时间。

6.内置功率晶体管可提供500mA的驱动能力。

7.推或拉两种输出方式。

1TL494引脚图

图(2-7)

TL494工作原理简述

TL494的内部电路由基准电压产生电路、振荡电路、间歇期调整电路、两个误差放大器、脉宽调制比较器以及输出电路等组成。

其中1、2脚是误差放大器I的同相和反相输入端;

3脚是相位校正和增益控制;

4脚为死区时间比较器,具有120mV的输入补偿电压,它限制了最小输出死区时间约等于锯齿波周期的4%,当输出端接地,最大输出占空比为96%,而输出端接参考电平时,占空比为48%。

当把死区时间控制输入端接上固定的电压(范围在0—3.3V之间)即能在输出脉冲上产生附加的死区时间。

5、6脚分别用于外接振荡电阻和振荡电容,5脚可以产生锯齿波,所产生的锯齿波稳定,线性度好;

7脚为接地端;

8、9脚和11、10脚分别为TL494内部两个末级输出三极管集电极和发射极;

12脚为电源供电端;

13脚为输出控制端,控制TL494的输出方式,该脚接地时,两路输出晶体管同时导通或截止,形成单端工作状态,可以用于提高输出电流;

接14脚时为推挽输出方式,为5V基准电压输出端,最大输出电流10mA;

15、16脚是误差放大器II的反相和同相输入端。

TL494内置了线性锯齿波振荡器,振荡频率可通过外部的一个电阻和一个电容进行调节,其振荡频率为:

输出脉冲的宽度是通过电容CT上的正极性锯齿波电压与另外两个控制信号进行比较来实现。

功率输出管Q1和Q2受控于或非门,当13脚控制信号为高电平时,调制脉冲交替输出至两个输出晶体管Q1和Q2,输出频率等于脉冲振荡器的一半。

当13脚控制信号为低电平时,芯片工作于单端状态,功率输出管Q1和Q2均由或非门的前一级与门控制,为得到更高的驱动电流输出,可将Q1和Q2并联使用。

当双稳触发器的时钟信号为低电平时才会被选通,即只有在锯齿波电压大于控制信号期间才会被选通。

当控制信号增大,输出脉冲的宽度将减小。

控制信号由集成电路外部输入,一路送至死区时间比较器,一路送往误差放大器的输入端。

TL494内部电路方框图

图(2-8)基于TL494的脉冲发生器

TL494电路设计

图(2-9)

电力场效应晶体管MOSFET

随着信息电子技术与电力电子技术在发展的基础上相结合,形成了高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件,其典型代表就是电力场效应晶体管MOSFET

1.电力场效应晶体管特点

电力场效应晶体管简称电力PowerMosfet。

特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性好。

但是电流容量小,耐压低,一般适用于功率不超过10kW的电源电子装置。

2.MOSFET的结构和工作原理

电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道,图1-6所示为N沟道结构。

电力MOSFET的工作原理是:

在截止状态,漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。

P基区与N漂移区之间形成的PN结反偏,漏源极之间无电流流过。

在导电状态,即当UGS大于开启电压或阈值电压UT时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结消失,漏极和源极导电。

图(2-9)内部结构断面示意图图(2-10)电气图形符号

MOSFET开关时间在10~100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是电力电子器件中最高的。

由于是场控器件,静态时几乎不需输入电流。

但在开关过程中需对输入电容充放电,仍需一定的驱动

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