电力电子技术复习重点总结Word格式文档下载.docx
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指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。
2电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。
3电力电子系统基本组成与工作原理
（1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
（2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
（3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。
（4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。
4电力电子器件的分类
根据控制信号所控制的程度分类
（1）半控型器件：
通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
（2）全控型器件：
通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。
（3）不可控器件：
不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。
如电力二极管。
根据驱动信号的性质分类
（1）电流型器件：
通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如SCR、GTO、GTR。
（2）电压型器件：
通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如
MOSFET、IGBT。
根据器件内部载流子参与导电的情况分类
（1）单极型器件：
内部由一种载流子参与导电的器件。
如MOSFET。
（2）双极型器件：
由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。
（3）复合型器件：
有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。
如IGBT。
5半控型器件—晶闸管SCR
晶闸管的结构与工作原理
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晶闸管的双晶体管模型
将器件N1、P2半导体取倾斜截面，则晶闸管变成V1-PNP和V2-NPN两个晶体管。
晶闸管的导通工作原理
（1）当AK间加正向电压EA，晶闸管不能导通，主要是中间存在反向PN结。
（2）当GK间加正向电压EG，NPN晶体管基极存在驱动电流IG，NPN晶体管导通，产生集电极电流Ic2。
（3）集电极电流Ic2构成PNP的基极驱动电流，PNP导通，进一步放大产生PNP集电极电流Ic1。
（4）Ic1与IG构成NPN的驱动电流，继续上述过程，形成强烈的负反馈，这样NPN和PNP两个晶体管完全饱和，晶闸管导通。
2.3.1.4.3晶闸管是半控型器件的原因
（1）晶闸管导通后撤掉外部门极电流IG，但是NPN基极仍然存在电流，由PNP集电极电流Ic1供给，电流已经形
成强烈正反馈，因此晶闸管继续维持导通。
（2）因此，晶闸管的门极电流只能触发控制其导通而不能控制其关断。
2.3.1.4.4晶闸管的关断工作原理
满足下面条件，晶闸管才能关断：
（1）去掉AK间正向电压；
（2）AK间加反向电压；
（3）设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下。
2.3.2.1.1晶闸管正常工作时的静态特性
（1）当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。
（2）当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
（3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。
（4）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。
2.4.1.1GTO的结构
（1）GTO与普通晶闸管的相同点：
是PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。
（2）GTO与普通晶闸管的不同点：
GTO是一种多元的功率集成器件，其内部包含数十个甚至数百个供阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起，正是这种特殊结构才能实现门极关断作用。
（1）IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
（2）IGBT由MOSFET和GTR组合而成。
2.4.1.2GTO的静态特性
（1）当GTO承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。
（2）当GTO承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
（3）GTO导通后，若门极施加反向驱动电流，则GTO关断，也即可以通过门极电流控制GTO导通和关断。
（4）通过AK间施加反向电压同样可以保证GTO关断。
2.4.3电力场效应晶体管MOSFET
（1）电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，因此它是电压型器件。
（3）当UGS大于某一电压值UT时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型半导体反型成N型半导体，形成反型层。
2.4.4绝缘栅双极晶体管IGBT
（1）GTR和GTO是双极型电流驱动器件，其优点是通流能力强，耐压及耐电流等级高，但不足是开关速度低，所
需驱动功率大，驱动电路复杂。
（2）电力MOSFET是单极型电压驱动器件，其优点是开关速度快、所需驱动功率小，驱动电路简单。
将上述两者器件相互取长补短结合而成，综合两者优点。
（4）绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，由GTR和MOSFET两个器件复合而成，具有GTR和MOSFET
两者的优点，具有良好的特性。
2.4.4.1IGBT的结构和工作原理
第3章整流电路
（1）整流电路定义：
将交流电能变成直流电能供给直流用电设备的变流装置。
3.1.1单相半波可控整流电路
（4）触发角a：
从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加触发脉冲为止的电角度，称为触发角或控制角。
（7）几个定义
①“半波”整流：
改变触发时刻，ud和id波形随之改变，直流输出电压ud为极性不变但瞬时值变化的脉动直流，
其波形只在u2正半周内出现，因此称“半波”整流。
②单相半波可控整流电路：
如上半波整流，同时电路中采用了可控器件晶闸管，且交流输入为单相，因此为单相半波可控整流电路。
3.1.1.3电力电子电路的基本特点及分析方法
（1）电力电子器件为非线性特性，因此电力电子电路是非线性电路。
（2）电力电子器件通常工作于通态或断态状态，当忽略器件的开通过程和关断过程时，可以将器件理想化，看作理想开关，即通态时认为开关闭合，其阻抗为零；
断态时认为开关断开，其阻抗为无穷大。
①
3.1.2单相桥式全控整流电路
3.1.2.1带电阻负载的工作情况
（1）单相桥式全控整流电路带电阻负载时的原理图
①由4个晶闸管（VT1~VT4）组成单相桥式全控整流电路。
②VT1和VT4组成一对桥臂，VT2和VT3组成一对桥臂。
（2）单相桥式全控整流电路带电阻负载时的波形图
通，uVT1=uVT4=0。
③
ll
电流从a点经VT、R、VT流回b点。
1
4
ud=u2，i2=id，形状与电压相同。
p~（p+a）：
0l~a：
VT1~VT4未触发导通，呈现断态，则ud=0、id=0、i2=0。
l
u
VT1 VT4 2 VT1 VT4 2
+u
=u，u
=u
=1u。
2
a~p：
在a角度时，给VT1
和VT加触发脉冲，此时a点电压高于b点，VT
和VT4承受反向电压而关断，uVT
1 4
=uVT
=1u2（负半周）。
和VT3未触发导通，因此ud=0、id=0、i2=0。
②
和VT4承受正向电压，因此可靠导
电源u2过零点，VT1
l 同时，VT
④
（p+a）~2p：
和VT3加触发脉冲，此时b点电压高于a点，VT2
和VT3承受正向电压，因此可
VT1
阳极为a点，阴极为b点；
VT4
阳极为a点，阴极为b点；
因此uVT1=uVT4=u2。
l 在（p+a）角度时，给VT
靠导通，uVT2=uVT3=0。
ll
电流从b点经VT、R、VT流回b点。
3
ud=-u2，i2=-id。
（3）全波整流
在交流电源的正负半周都有整流输出电流流过负载，因此该电路为全波整流。
分析时，假设电路已经工作于稳态下。
假设负载电感很大，负载电流不能突变，使负载电流i连续且波形近似为一水平线。
d
①a~p：
②承受最大反向电压：
2U2
③触发角的移相范围：
a=0时，Ud=0.9U2；
a=180o时，Ud=0。
因此移相范围为180o。
（4）直流输出电压平均值
U
=
p
ò
a
2U2sinwtd（wt）=
22U1+cosa
=0.9U2
1+cosa
（5）负载直流电流平均值
Id=
R pR 2
d=
22U
1+cosa
=0.9
R
（6）晶闸管参数计算
①承受最大正向电压：
1（2U2）
④晶闸管电流平均值：
VT1、VT4与VT2
即I
dVT 2d
=1I=0.45U21+cosa。
R 2
、VT3轮流导电，因此晶闸管电流平均值只有输出直流电流平均值的一半，
3.1.2.2带阻感负载的工作情况
（1）单相桥式全控整流电路带阻感负载时的原理图
（2）单相桥式全控整流电路带阻感负载时的波形图
和VT加触发脉冲，此时a点电压高于b点，VT和VT承受正向电压，因此可靠导
电流从a点经VT1
、L、R、VT4流回b点，ud=u2。
id为一水平线，iVT1,4=id=i2。
VT2
和VT3为断态，iVT2,3=0
p~（p+a）：
虽然二次电压u2已经过零点变负，但因大电感的存在使VT1
和VT4持续导通。
uVT1
=uVT
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