华南理工模拟电子技术基础随堂练习资料.docx
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华南理工模拟电子技术基础随堂练习资料
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第1章常用半导体器件
当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。
1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ ）。
A.带负电 B.带正电 C.不带电
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
2. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ ）。
A.变窄 B.变宽 C.不变
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而（ ）。
A.增大 B.不变 C.减小
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V的电路是（ ）。
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
5. 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为（ ）。
A.最大值为40V，最小值为0V
B.最大值为40V，最小值为+10V
C.最大值为10V，最小值为－40V
D.最大值为10V，最小值为0V
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
D
问题解析：
6.
稳压管的动态电阻rZ是指（ ）。
A.稳定电压与相应电流IZ之比
B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值
C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（ ）。
A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极
C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（ ）。
A.NPN型锗管 B.PNP型锗管
C.NPN型硅管 D.PNP型硅管
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
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共找到8条记录，分为1页
第2章 基本放大电路
当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对7题。
1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流
（ ）。
A.反向 B.近似等于零
C.不变 D.增大
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ ）。
A.发射结反偏，集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏、集电结反偏
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
3. 晶体管的电流放大系数是指（ ）。
A.工作在饱和区时的电流放大系数
B.工作在放大区时的电流放大系数
C.工作在截止区时的电流放大系数
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（ ）。
A.B.
C.
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在（ ）。
A.截止状态B.放大状态C.饱和状态
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（ ）。
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约
为（ ）。
A.0VB.＋2VC.－2VD.－1V
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（ ）。
A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是（ ）。
A.RLB.RBC.C1D.C2
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
10. 放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（ ）。
A.适当增加RB2，减小RB1B.保持RB1不变，适当增加RB2
C.适当增加RB1，减小RB2D.保持RB2不变，适当减小RB1
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
11. 图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取（ ）。
A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
12. 电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（ ）。
A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
13. 某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q'需使（ ）。
A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
14. 单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的（ ）。
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
15. 对放大电路进行动态分析的主要任务是（ ）。
A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压
C.确定电压放大倍数和输入，输出电阻ri，r0。
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是（ ）。
A.管子的值太小B.电路电源电压太高
C.偏置电阻太小D.偏置电阻太大
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
17. 如图所示的放大电路（ ）。
A.不能稳定静态工作点。
B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
18. 与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是（ ）。
A.输入电阻高，输出电阻低 B.输入电阻低，输出电阻高
C.输入，输出电阻都很高 D.输入，输出电阻都很低
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
19. 27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数（ ）。
A.小于但近似等于1B.约几十倍C.为
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
20. 某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为（ ）。
A.5000倍 B.2500倍 C.150倍 D.1000倍
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
21. 两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的（ ）。
A.输入电阻 B.信号源内阻C.负载电阻
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
22. 两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流IB1，则（ ）。
A.第二级的基极电流随之而改变
B.第二级的静态值（，，）均不改变
C.第二级的静态电流不改变，但要改变
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
23. 直流放大器中的级间耦合通常采用（ ）
A.阻容耦合 （b）变压器耦合
（c）直接耦合 （d）电感抽头耦合
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
C
问题解析：
1. 差分放大电路的作用是（ ）
A.放大差模信号，抑制共模信号
B.放大共模信号，抑制差模信号
C.放大差模信号和共模信号
D.差模信号和共模信号都不放大
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
2. 集成运放输入级一般采用的电路是（ ）。
A.差分放大电路 （b）射极输出电路
（c）共基极电路 （d）电流串联负反馈电路
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
3. 集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡，则表示集成运放的（ ）。
A.闭环放大倍数越大 （b）开环放大倍数越大
（c）抑制漂移的能力越强 （d）对放大倍数没有影响
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
4. 若集成运放的最大输出电压幅度为UOM，则在 情况下，集成运放的输出电压为－UOM。
A.同相输入信号电压高于反相输入信号
B.同相输入信号电压高于反相输入信号，并引入负反馈
C.反相输入信号电压高于同相输入信号，并引入负反馈
D.反相输入信号电压高于同相输入信号，并开环
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
D
问题解析：
5. 第一空 电路的输入阻抗大， 第二空 电路的输入阻抗小。
第一空选择为（ ）
A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
B
问题解析：
6. 第一空 电路的输入阻抗大， 第二空 电路的输入阻抗小。
第二空选择为（ ）
A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分
答题：
A.B.C.D.（已提交）
参考答案：
A
问题解析：
7. 在第一空 电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空 电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。
第一空选择为（ ）
A.反相比 B.同相比
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