或门电路.docx

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或门电路

或门电路

目前实际应用的门电路都是集成电路。

在集成电路设计过程中，将复杂的逻辑函数转换为具体的数字电路时，不管是手工设计还是EDA工具自动设计，通常要用到七种基本逻辑（与、或、非、与非、或非、同或、异或）的图形表示，在电路术语中这些逻辑操作符号被称作门，对应的具体电路就叫做门电路，包括某个基本逻辑或者多个基本逻辑组合的复杂逻辑。

比如实现取反功能的反相器，就叫做非门；实现“先与后反”功能的就是与非门，如下图所示。

与非门由两个N管和两个P管组成：

P管并联，一端接电源；N管串联，一端接地。

根据CMOS结构互补的思想，每个N管都会和一个P管组成一对，它们的栅极连在一起，作为与非门的输入；输出则在“串-并”结构的中间。

当输入端A、B中只要有一个为0时，下面接地的通路断开，而上面接电源的通路导通，就输出高电平1；而只有A、B同时为1时，才会使接地的两个串联NMOS管都导通，从而输出低电平0。

而这正是与非门的逻辑：

只有两个输入都为1时，输出为0；否则结果为1。

CMOS逻辑门电路

　　CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件。

CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。

此外，几乎所有的超大规模存储器件，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。

　　早期生产的CMOS门电路为4000系列，随后发展为4000B系列。

当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。

下面首先讨论CMOS反相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。

MOS管结构图

MOS管主要参数：

1.开启电压VT

　　·开启电压（又称阈值电压）：

使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2.直流输入电阻RGS

　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3.漏源击穿电压BVDS

　　·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

　　·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后

，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4.栅源击穿电压BVGS

　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5.低频跨导gm

　　·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

　　·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6.导通电阻RON

　　·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

　　·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

　　·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

　　·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7.极间电容

　　·三个电极之间都存在着极间电容：

栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

　　·CGS和CGD约为1～3pF

　　·CDS约在0.1～1pF之间

8.低频噪声系数NF

　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输　　　出端也出现不规则的电压或电流变化

　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

一、CMOS反相器

　　由本书模拟部分已知，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。

由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。

　　下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。

为了电路能正常工作，要求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即

VDD＞（VTN＋|VTP|）。

1.工作原理

　　首先考虑两种极限情况：

当vI处于逻辑0时，相应的电压近似为0V；而当vI处于逻辑1时，相应的电压近似为VDD。

假设在两种情况下N沟道管TN为工作管P沟道管TP为负载管。

但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。

　　下图分析了当vI=VDD时的工作情况。

在TN的输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）（注意vDSN=vO）上，叠加一条负载线，它是负载管TP在vSGP=0V时的输出特性iD－vSD。

由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。

两条曲线的交点即工作点。

显然，这时的输出电压vOL≈0V（典型值＜10mV，而通过两管的电流接近于零。

这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级）

　　下图分析了另一种极限情况，此时对应于vI＝0V。

此时工作管TN在vGSN＝0的情况下运用，其输出特性iD－vDS几乎与横轴重合，负载曲线是负载管TP在vsGP＝VDD时的输出特性iD－vDS。

由图可知，工作点决定了VO＝VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值。

可见上述两种极限情况下的功耗都很低。

　　由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。

2.传输特性

　　下图为CMOS反相器的传输特性图。

图中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=

2V。

由于VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，当VDD-|VTP|>vI>VTN 时,TN和TP两管同时导通。

考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。

还应注意到，器件在放大区（饱和区）呈现恒流特性，两器件之一可当作高阻值的负载。

因此，在过渡区域，传输特性变化比较急剧。

两管在VI=VDD/2处转换状态。

3.工作速度

　　CMOS反相器在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。

下图表示当vI=0V时，TN截止，TP导通，由VDD通过TP向负载电容CL充电的情况。

由于CMOS反相器中，两管的gm值均设计得较大，其导通电阻较小，充电回路的时间常数较小。

类似地，亦可分析电容CL的放电过程。

CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。

二、CMOS门电路

1.与非门电路

　　下图是2输入端CMOS与非门电路，其中包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。

每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。

当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B全为高电平时，才会使两个串联的NMOS管都导通，使两个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。

　　因此，这种电路具有与非的逻辑功能，即

　　n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。

2.或非门电路

　　下图是2输入端CMOS或非门电路。

其中包括两个并联的N沟道增强型MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。

　　当输入端A、B中只要有一个为高电平时，就会使与它相连的NMOS管导通，与它相连的PMOS管截止，输出为低电平；仅当A、B全为低电平时，两个并联NMOS管都截止，两个串联的PMOS管都导通，输出为高电平。

　　因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为

　　显然，n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。

　　比较CMOS与非门和或非门可知，与非门的工作管是彼此串联的，其输出电压随管子个数的增加而增加；或非门则相反，工作管彼此并联，对输出电压不致有明显的影响。

因而或非门用得较多。

3.异或门电路

　　上图为CMOS异或门电路。

它由一级或非门和一级与或非门组成。

或非门的输出

。

而与或非门的输出L即为输入A、B的异或

　　如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有

的功能，因而称为同或门。

异成门和同或门的逻辑符号如下图所示。

三、BiCMOS门电路

　　双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视

。

1.BiCMOS反相器

　　上图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。

T1和T2构成推拉式输出级。

而Mp、MN、M1、M2所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。

输入信号vI同时作用于MP和MN的栅极。

当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时,情况则相反，Mp导通，MN截止。

当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。

同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T2放电。

　　上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可通过M1和M2释放，以加快

电路的开关速度。

当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷迅速消散。

这种作用与TTL门电路的输入级中T1类似。

同理，当vI为低电压时，电源电压VDD通过MP以激励M2使M2导通，显然T2基区的存储电荷通过M2而消散。

可见，门电路的开关速度可得到改善。

2.BiCMOS门电路

　　根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。

如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则彼此串联。

正如下图所示的

2输入端或非门。

　　当A和B均为低电平时，则两个MOSFETMPA和MPB均导通，T1导通而MNA和MNB均截止，输出L为高电平。

与此同时，M1通过MPA和MpB被VDD所激励，从而为T2的基区存储电荷提供一条释放通路。

　　另一方面，当两输入端A和B中之一为高电平时，则MpA和MpB的通路被断开，并且MNA或MNB导通，将使输出端为低电平。

同时，M1A或M1B为T1的基极存储电荷提供一条释放道路。

因此，只要有一个输入端接高电平，输出即为低电平。

四、CMOS传输门

　　MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。

模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。

下面着重介绍CMOS传输门。

　　所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。

CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如上图所示。

TP和TN是结构对称的器件，它们的漏极和源极是可互换的。

设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V。

为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏，故TP的衬底接+5V电压，而TN的衬底接-5V电压。

两管的栅极由互补的信号电压（+5V和-5V）来控制，分别用Ｃ和

表示。

　　传输门的工作情况如下：

当C端接低电压-5V时TN的栅压即为-5V，vI取-5V到+5V范围内的任意值时，TN均不导通。

同时,TP的栅压为+5V

，TP亦不导通。

可见，当C端接低电压时，开关是断开的。

　　为使开关接通，可将C端接高电压+5V。

此时TN的栅压为+5V，vI在-5V到+3V的范围内，TN导通。

同时TP的棚压为-5V，vI在-3V到+5V的范围内TP将导通。

　　由上分析可知，当vI＜-3V时，仅有TN导通，而当vI＞+3V时，仅有TP导通当vI在-3V到+3V的范围内，TN和TP两管均导通。

进一步分析

还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。

换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。

由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。

这是CMOS传输出门的优点。

　　在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，可以忽略不计。

　　CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。