电子技术暑假作业.docx

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电子技术暑假作业

暑假练习题

一、填空

1.二极管反向饱和电流IR会随着温度的升高而_______。

2.二极管的主要参数包括反映正向特性的_______和反映反向特性的_______。

3.射极输出器的特性归纳为：

电压放大倍数_______，电压跟随性好，输入阻抗_______，输出阻抗_______，而且具有一定的_______放大能力和功率放大能力。

4.三极管起放大作用的外部条件是_______________、______________。

5.某放大器由三级组成，每级的电压增益为15dB，则放大器的总增益是________。

6.当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为______V，锗二极管的正向压降为______V。

7.稳压管工作在__________区。

8、常用半导体材料是和，其原子核最外层均有个价电子。

9、PN结最主要的特性是。

10、三级管的三个电极分别叫做、和，其实现电流放大作用条件。

11、画出三极管符号，NPN型、PNP型。

12、二极管实质上就是一个，P区引出端叫，N区引出端叫，其文字符号为，图形符号为。

13、多级放大器的级与级之间耦合方式有　　　、　　　　和

。

14、三极管输出特性曲线可划分为区、区和区。

15、硅管死区电压是V，正向导通压降是V。

16、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。

17、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

18、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

19、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

20、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降UBE（）。

21、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。

22、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。

23.已知三极管的β=99，若Ib=10μA,则该管的Ic=______，Ie=______。

24.在实际使用二极管时，主要考虑的参数有___________、_____________。

25.放大器的放大能力常用___________表示，它包括__________、___________和___________。

放大倍数用分贝表示叫做___________。

26.某交流放大器的输入电压为100mV，输出电压为1V，则放大器的增益为_________。

1.放大器的主要功能就是不失真地放大。

27.放大器按用途不同可分为、、和，按信号频率高低可分为、、和。

28.放大器的静态是指为零时的工作状态；当有输入信号时，电路中的电压、电流都随输入信号作相应变化，称为。

29．表征放大器静态工作点的参数主要指、、和。

30.多级放大器的级间耦合方式有______________、______________、______________和______________等四种。

31.放大器的频率响应，指放大器的______________和信号______________之间的关系，也称为放大器的______________。

32某二级放大器，Au1=100,Au2=1000,则总的放大倍数Au=__________，总的电压增益Gu=__________.

33.多级放大器与单级放大器相比，电压增益教__________，通频带较__________。

34.直流放大器的级间耦合，可采用变压器耦合。

（）

35.多级放大器的级数越多，电压放大倍数越大，通频带越宽。

36.两级阻容耦合放大器的通频带，比组成它的单级放大器通频带宽。

37、放大器与负载之间要做到阻抗匹配，应采用（）耦合。

A.阻容B.变压器C.直接

38.阻容耦合放大器（）

A.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递

39.直接耦合放大器只能传递（）

A.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递

40、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止

41、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。

A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）

42、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。

A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真

43、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。

A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小

44．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。

45.一个多级放大器的电压放大倍数为1000，则GV=，如果

功率放大倍数为1000，则GP=。

46.在放大器中，总希望放大器的输入电阻一些，原因是

，总希望放大器的输出电阻______

一些，原因是。

47.整流电路的负载若出现短路，将使或烧毁。

48.整流电路的主要类型有、、。

49.滤波器可将输入的变为较平滑的直流电。

50.电容滤波适用于负载电流的场合。

51.电容滤波器的负载电阻越，滤波电容的容量越，滤波效果越好。

52.稳压二极管工作在区，发光二极管工作在区，光电二极管工作在区，整流二极管工作在区。

53.电容滤波器中电容与负载关系是。

（串、并）

54.发光二极管发光时，其正向压降一般在之间。

55.光电二极管是将能转换成能。

如图所示，已知RB=100K，RC=4K，三极管的电流放大系数为50。

则该三极管作在

状态。

56.晶体管反相器电路如上图，已知R1=15KΩ，R2=50KΩ，RC=2KΩ，β=100，VCC=12V，VBB=6V，三极管导通时，VBE=0.7V，当输入信号VI为6V时，三极管的工作状态是（）

57.场效应管是控制器件，它利用所产生的电场效应改变导电沟道的宽窄从而控制漏极电流，用万用表判断场效应管的电极时，用欧姆档测出正反向电阻比较接近的两个电极应为。

58.在桥式整流电路中，变压器次级输出电压的有效值为10V，如果只有电容器C开路，则输出电压VO=V，如果只有VD1开路，则输出电压VO=V。

59、常用半导体材料是和，其原子核最外层均有____个价电子。

60、N型半导体中空穴为_________载流子，自由电子为__________载流子。

61、晶体三极管的三个电极分别称为极、极和极，它们分别用字母、和表示。

62、由晶体三极管的输出特性可知，它可分为区、区和___________区三个区域。

63、硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体管发射结导通电压约为。

64、PN结最主要的特性是。

65、三极管放大电路共有______________________和____________三种组态放大电路。

66、PN结具有__________导电性，其导电的方向是从________到________。

67、点接触型二极管适用于__________，而面接触型二极管适用于_____________。

68、自然界物质按其导电能力可分三大类，分别是____________、_____________和____________。

69．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。

70、空穴为（）载流子。

自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

71、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）

72、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。

73、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。

74、晶体三极管的集电极电流Ic=（）所以它是（）控制元件。

75、当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（）。

76．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流ICEO正向结压降UBE。

77、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

78、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。

79、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。

80、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。

81、场效应管的漏极电流ID=（）,所以它是（）控制文件。

82、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（　　　　）

83、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。

84．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。

85、硅二极管的死区电压约为伏，而锗二极管的死区电压约为伏。

86、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为和两种类型。

87、在栅—源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称为

_____________型场效应管。

88、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，则三个管脚分别为极、__________极和__________极。

89、在P型半导体中，_________为多数载流子，而在N型半导体中，________为多数载流子。

90、二极管由一个PN结构成，其特性是__________，即给P区加_______电位，N区加_________电位时，二极管就导通。

它的电压和电流不成正比，所以它是一种元件。

91、100mA=A；1A=μA。

92．三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现________失真。

93．三极管输入等效电阻rbe与静态工作点_______________关。

94．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位_______________。

95.当温度升高时，半导体二极管的IRM将__________。

96.某放大状态的晶体三极管，当IB=20μA时，IC=1mA，当IB=60μA时，IC=3mA。

则该管的电流放大系数β值为__________。

97.开启电压UGS（th）>0的是__________场效应管。

98.在三种基本组态的晶体三极管放大电路中，具有电压放大作用，且u0与ui同相关系的是__________放大电路。

99、在半导体中，有（）和（）两种载流子导电。

100、在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成（）型半导体，如掺入五价元素，就会形成（）型半导体。

101、在P型半导体中，（）为多数载流子，而在N型半导体中，（）为多数载流子。

102、PN结具有（）导电性，其导电的方向是从（）到（）。

103、点接触型二极管适用于（），而面接触型二极管适用于（）。

104、将交流电变成单方向直流电的过程，称（）。

105、单相桥式整流电路，输出侧直流电压是交流电压有效值的（）倍。

106、硅二极管的死区电压约为（）伏，而锗二极管的死区电压约为（）伏。

107、在交流放大电路中，当三极管的（）正向偏置，而（）反向偏置时，三极管具有电流放大作用。

108、滤波电路的主要作用是（），使输出的直流电压波形较（）。

109、在单相半波整流电路中，若交流电压为10伏，输出的直流电压约为（）伏，二极管承受的最高反向电压约为（）伏。

110、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，则三个管脚分别为（）极、（）极和（）极。

111、已知某三极管放大电路的IB=10μA，IC=1mA，则该管的电流放大系数约为（）。

112、在交流放大电路中，测得UCE值近似等于电源电压，集电极电流IC≈0，则该管处于（）状态。

113、二极管由一个PN结构成，其特性是__________，即给P区加_______电位，N区加_________电位时，二极管就导通。

它的电压和电流不成正比，所以它是一种____________元件。

114、本征半导体是____________，其载流子是____________和___________。

载流子的浓度_____________。

115、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于___________，而少数载流子的浓度则与____________有很大关系。

116、漂移电流是____________在____________作用下形成的。

117、二极管的最主要特征是_______________________，它的两个主要参数是_________________和___________________。

118、双极型晶体管可以分成_____________和____________两种类型，它们工作时有___________和____________两种载流子参与导电。

119、场效应管从结构上分成_____________和___________两种类型，它的导电过程仅仅取决于_______________载流子的流动；因而它又称做______________器件。

120、场效应管属于__________________控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是________________控制型器件。

121、三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为___________和__________；饱和区，偏置为_______________和______________；截止区，偏置为______________和______________。

122、温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将_______________，输出特性曲线将___________，而且输出特性曲线之间的间隔将_____________。

123、要使三极管具有放大电流的作用，必须满足的外部条件是______和______。

124、当温度升高时，半导体二极管的IRM将__________。

125、某放大状态的晶体三极管，当IB=20μA时，IC=1mA，当IB=60μA时，IC=3mA。

则该管的电流放大系数β值为__________。

126、开启电压UGS（th）>0的是__________场效应管。

127、根据三极管结构的不同，有NPN和____________两种。

128、PN结的基本特性是____________。

129、在本征半导体中掺入三价杂质原子，形成__________________型半导体。

130、电容滤波电路中，滤波电容容量越大时，其滤波效果__________________。

131、半导体内的载流子越多，导电能力越________。

132、NPN型晶体三极管，发射结正偏时，应是发射极电位比基极电位________。

133、开启电压UGS（th）<0的是________场效应管。

134、单相桥式整流电路输出平均电压为36V，负载RL=36Ω，则流过整流二极管的平均电流为________A。

135、在P型半导体中，___________是少数载流子。

136、当温度升高时，双极性三极管的β将____________，反向饱和电流ICEO_________正向结压降UBE_____________。

137、三极管内部电流分配关系是__________，ICEO和ICBO之间的关系是__________。

138、三极管的输出特性曲线反映的是__________和__________关系的曲线，输出特性曲线可分为__________、__________、__________三个区。

139、P型半导体中是多数载流子,是少数载流子。

140、理想的二极管,其正向电阻约为,反向电阻约为。

141、晶体三极管工作在区时,关系式IC=βIB才成立,而工作在区时,IC=0。

142、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。

143、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。

144、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

145、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

146、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

147、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降UBE（）。

148、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。

149、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。

150、多级放大器中，前级是后级的，后级是前级的。

151、某三极管的极限参数PCM=150mw，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V若它的工作电压VCE=10V，则工作电流不得超过__________，若它的工作电压VCE=1V，则工作电流不得超过__________，则工作电流IC=10mA，则工作电压不得超过__________。

152、在交流放大电路中，如果测得IC≈

，而UCE≈0，则该管处于（）状态。

153、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为（）和（）两种类型。

154、在栅—源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称为（）型场效应管。

二．判断

1.电容滤波适用于负载经常变换的场合。

（）

2．桥式整流电路中的一个二极管接反时,电路将变成半波整流电路.（）

3．单级共射极放大电路具有放大和反相作用.（）

4．射极输出器对电流,电压及功率均有放大作用.（）

5.电感滤波电路的输出波形比较好（与电容滤波比较）。

（）

6.整流电路加上电容滤波电路后二极管的导通时间变长。

（）

7、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）

8、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）

9、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）

10、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）

11、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

（）

12、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）

13.少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。

（）

14.晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以E极和C极可以互换使用。

（）

15.当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。

（）

16.三极管的主要参数有最大整流电流和反向击穿电压。

（）

17.在单相半波整流电路中，VO=0.45V2。

（）

18.光电二极管PN结只能加反偏电压。

（）

19.温度升高二极管的反向饱和电流将增大。

（）

20.多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。

（）

21.三极管在放大区具有恒流特性。

（）

22.光电二极管有光线照射时，反向电阻增大。

（）

23.稳压管的伏安特性与普通二极管相比较，其反向击穿区曲线变得平缓。

（）

24.在稳定电压变化量相同的情况下，动态电阻越大越好。

（）

25.与半波相比较，全波的脉动性变小，即纹波系数变大。

（）

26.整流电路中变压器的作用是使交流电变成单向脉动电。

（）

27.稳压管与负载的关系是反向串联。

（）

28、无论是P型还是N型半导体，它们整个晶体仍是中性的，对外不显示电性。

（）

29、NPN、PNP二种结构形式的三极管，它们对电源的极性要求相反，因此它们各电极中的电流方向也不同。

（）

30、对于耗尽型绝缘栅场效应管，只有当栅—源极之间加正向电压即UGS〉0时，才存在导电沟道。

（）

31、对于耗尽型绝缘栅场效应管，不论栅—源电压UGS为正，还是为负或零，都能起到控制电流ID的作用。

（）

32、N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。

（）

33.稳压管正常工作时属于热击穿而不是电击穿。

（）

34.发光二极管的PN结是工作在正向偏置状态。

（）

35.多级放大电路的输出电阻主要取决于第一级电路。

（）

36.在整流电路中，已知输入电压为20V，带负载时的输出电压为24V，则电路形式为全波整流电感滤波。

（）

37、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。

（）

38、P型半导体中，空穴是多数载流子，因此P型半导体带正电。

（）

39、当PN结的P区接电源的负极，而N区接电源的正极，PN结就会导通。

（）

40、一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小。

（）

41、二极管加反向电压时，电压过高会被击穿。

（）

42.晶体三极管具有能量放大作用。

（）

三．选择

1.在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）

A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管

2.稳压二极管工作在伏安特性曲线的（）

A.死区B.正向导通区C.反向截止区D.反向击穿区

3.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）

A.NPN管的发射极B.PNP管的发射极C.PNP管的集电极

4.NPN三极管放大偏置B.集电极为正向偏置C.始终工作在放大区

5.电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压UAB为（）

A.-3VB.5V器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）

A.发射极为反向C.8VD.-8V

6.3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，U（BR）CEO=30V，如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中，则该管（）

A.被击穿B.正常工作C.功耗太大过热甚至烧坏

7.二极管两端加上正向电压时（）

A.一定导通B.超过死区电压才能导通C.超过0.7V才能导通D.超过0.3V才能导通

8.若某一单相桥式整流电路中有一只二极管短路，则（）

A.VO会升高B.VO会降低C.VO不变D.不能正常工作

9.射极输出器是一种（）电路

A.共发射极B.共集电极C.共基极

10.测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示，其中硅材料的NPN管是（）

A.BCD

3.5V2.8V12V3V2.7V12V6V11.3V12V6V11.712V

11、单相桥式整流电路，变压器二次电压V2=10V，负载电阻为100Ω，流过二极管的电流IV为（）

A.90mAB.45mAC.22.5mAD.100mA

12、三极管的β=99，反向饱和电流ICBO=5μA，则穿透电流ICEO=（）

A.500μAB.5μAC.100μAD.495μA

13、当温度不变，PN结的反向电压增大时，将导致（）。

A.空间电荷区不变，反向电流减小

B.空间电荷区变窄，