毕设论文能智金属探测仪的设计与实现.docx
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毕设论文能智金属探测仪的设计与实现
本科生毕业设计
智能金属探测仪的设计与实现
Designandimplementationofintelligentmetaldetector
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摘要
本文着重介绍了一种基于AT89S52单片机控制的智能金属探测仪的硬件组成、软件设计、工作原理及主要功能。
该金属探测仪以AT89S52单片机为核心，采用线性霍尔元件UGN3503作为传感器，来感应金属涡流效应引起的通电线圈磁场的变化，并将磁场变化转化为电压的变化，单片机测得电压值，并与设定的电压基准值相比较后，决定是否探测到金属。
系统软件采用汇编语言编写。
在软件设计中，采用了数字滤波技术消除干扰，提高了探测器的抗干扰能力，确保了系统的准确性。
此外，文中还对影响金属探测仪的灵敏度与稳定性的因素进行了探讨，认为仪器的工作频率、检测线圈的尺寸及匝数等是影响灵敏度的主要因素；而应用现场的环境温度、湿度及线圈的制作工艺和供电电源的稳定程度是仪器稳定性的影响因素。
关键词：
单片机金属探测仪线性霍尔元件电磁感应灵敏度
Abstract
Thispaperdescribesthecompositionsofhardwareandsoftware,workingprinciplesandthefunctionsofanintelligentmetaldetectorwhichmainlyconsistsofAT89S52SingleChipMicyocoandlinearHall-EffectSensor.TheequipmentadoptsUGN3503Ulinearhall-effectsensorasprobetodetectthemagneticfieldchangeofthecentreofasearchcoilresultedfromeddycurrenteffectandturnthismagneticfieldchangeintovoltagechange.TheSCMmeasuresthepeakvalueofvoltageandcomparesitwithreferencevoltage.Thendeterminewhetherdetectmetalornot.Incaseofdetectionofametallicmass,theMetalDetectorprovidesanacousticalandopticalalarm.Thesystemssoftwaredropstheassemblerlanguagetobewritten.Insidethesoftware,thedigitalfiltertechnologyisutilizedtoeliminatethejamming.Sothestabilityofsystemandthemeasuringveracityareimproved.TheeffectofallfactorsonsensitivityandstabilityofMetalDetectorarediscussedinthispaper.Itisconcludedthattheoperatingfrequency,thesizeofthesearchcoilandturnsarethemainfactorsaffectedonthesensitivityoftheinstrument;theenvironmenttemperatureandhumidityinsite,thewindingtechnologyofcoilsandthestabilityofpowersupplyarethefactorseffectedonstabilityofinstrument.
KEYWORDS：
SCM（SingleChipMicyoco）MetaldetectorLinearhall-effectsensorElectric-magneticinductionsensitivity
第1章分析探测金属的理论依据
1．1金属探测器的研究意义
金属探测器作为一种最重要的安全检查设备，己被广泛地应用于社会生活和工业生产的诸多领域。
比如在机场、大型运动会（如奥运会）、展览会等都用金属探测器来对过往人员进行安全检测，以排查行李、包裹及人体夹带的刀具、枪支、弹药等伤害性违禁金属物品；工业部门（包括手表、眼镜、金银首饰、电子等生产含有金属产品的工厂）也使用金属探测器对出入人员进行检测，以防止贵重金属材料的丢失；目前，就连考试也开始启用金属探测器来防止考生利用手机等工具进行作弊[1]。
由此可见，金属探测器对工业生产及人身安全起着重要的作用。
而为了能够准确判定金属物品藏匿的位置，就需要金属探测器具有较高的检测精度。
目前，国外虽然己有较为完善的系列产品（如ElPaso,CeiaUSA,Ranger&Metorex等厂商的产品），但价格极其昂贵；国内传统的金属探测器则是利用模拟电路进行检测和控制的，其电路复杂，探测灵敏度低，且整个系统易受外界环境如温度、湿度、电焊等诸因素的干扰。
本文介绍的基于单片机控制的智能型金属探测器，采用灵敏度极高的线性霍尔元件作为传感器，感应由于金属出现引起的探测线圈周围磁场的变化，提高了检测精度；处理部件则采用AT89S52单片机作为检测和控制核心，对检测结果进行分析判断，有效地保证了检测原理的实施；此外，利用软件滤波的方法代替了传统探测器复杂的模拟电路器件，大大提高了系统的可靠性、灵敏度和抗干扰性。
适用于对邮件、行李、包裹及人体夹带的伤害性金属物品（如：
刀具、枪械、武器部件、弹药和金属包装的炸药等）的检测，可用于海关、机场、车站、码头的安全检查。
也可用于探测隐藏于墙内、护墙板内侧、空洞和土壤中的上述物品和其他金属物[2]。
1．2金属探测器的发展现状及发展趋势
全球第一台金属探测器诞生于1960年，最初的金属探测器主要应用于工矿企业，其为检查矿产纯度和提高效益的得力帮手。
随后于1970年，随着社会的不断发展，金属探测器被引入一个新的应用领域—安全检查，其广泛运用于民航、公安、缉私和边防等领域，也就是今天我们所使用的金属探测器的雏形，它的出现意味着人类对安全的认知已步入了一个新的时代。
一个产品的出现带动了一个行业的发展，于是安检这个既陌生又熟悉的行业开始进入市场。
随着国内安全防护行业的蓬勃发展，在安检领域，国内出现了多个金属探测器生产厂商，但在国内市场占有率上来看国外品牌占有80%的市场份额，民航市场也一直是国内金属探测器的禁区。
究其原因，大部分是因为产品质量不过关导致相关质量认证书拿不到。
其实，国内金属探测器产品的研发、生产和推广，近几年已获得较大进步。
但是，犹如其他电子类产品一样，金属探测器同样出现了电路仿制、性能相同、功能繁多、华而不实的现象。
某些所谓生产厂商这种投入小、研发周期短的商业行为势必导致产品的一致性差，可靠性低以及安检产品社会信誉度降低，设备从根本上保证不了安检要求。
在70年代，随着航空业迅速发展，劫机和危险事件的发生使航空及机场安全逐渐受到重视，于是在机场众多设备中金属探测门扮演着排查违禁物品的重要角色。
同样在70年代，由于金属探测门在机场安检中的崭露头角，大型运动会（如奥运会）展览会及政府重要部门的安全保卫工作中开始启用金属探测门作为必不可少的安检仪器。
发展到80年代，监狱暴力案件呈直线上升趋势，如何及早有效预防并阻止暴力案件发生成了监狱管理工作中的重中之重，在依靠警员对囚犯加强管理的同时，金属探测门再次成为了美国、英国、比利时等发达国家监狱管理机构必备的安检设备，形成平均每300个囚犯便使用一台金属探测门应用于安全检查;与此同时西方兴起的“寻宝热”，也使手持式、便携式金属探测器得到长足的发展。
进入90年代，迅速升温的电子制造业成了这个时代的宠儿，大型的电子公司为了减少产品流失、结束员工与公司之间的尴尬局面，陆续采用金属探测门和手持式金属探测器作为管理员工行为、减少产品流失的利刃，于是金属探测器又有了它新的角色—产品防盗。
40多年过去了，金属探测器经历了几代探测技术的变革，从最初的信号模拟技术到连续波技术直到今天所使用的数字脉冲技术，金属探测器简单的磁场切割原理被引入多种科学技术成果。
无论是灵敏度、分辨率、探测精确度还是工作性能上都有了质的飞跃。
应用领域也随着产品质量的提高延伸到了多个行业。
1．3金属探测器理论依据
金属探测器是采用线圈的电磁感应原理来探测金属的。
根据电磁感应原理，当有金属物靠近通电线圈平面附近时，将发生如下现象和效应[3]；
图1-1通电线圈工作示意图
（1）线圈介质条件的变化：
当金属物接近通电线圈时，将使通电线圈周围的磁场发生变化，如图1-1，对于半径为R的单匝圆形电感线圈，当其中通过交变电流I=Imcosω时，线圈周围空间产生交变磁场，根据毕奥一萨伐尔定律可计算出线圈中心轴线上一点的磁感应强度B为[4]：
（1-1）
其中，μ=μ0μr，μ为介质的磁导率，μr为相对磁导率，μ0为真空磁导率。
对于紧密缠绕N匝的线圈，线圈中心轴线上一点的磁感应强度则为[5]：
（1-2）
由公式（1-2）可知，当线圈有效探测范围内无金属物时，μr=1（非金属的相对磁导率），线圈中心磁感应强度B保持不变，当线圈有效探测范围内出现铁磁性金属物时，μr会变大，B随μr也会变大。
（2）涡流效应[6]：
根据电磁理论，我们知道，当金属物体被置于变化的磁场中时，金属导体内就会产生自行闭合的感应电流，这就是金属的涡流效应。
涡流要产生附加的磁场，与外磁场方向相反，削弱外磁场的变化。
据此，将一交流正弦信号接入绕在骨架上的空心线圈上，流过线圈的电流会在周围产生交变磁场，当将金属靠近线圈时，金属产生的涡流磁场的去磁作用会削弱线圈磁场的变化。
金属的电导率σ越大，交变电流的频率越大，则涡电流强度越大，对原磁场的抑制作用越强。
通过以上分析可知，当有金属物靠近通电线圈平面附近时，无论是介质磁导率的变化，还是金属的涡流效应均能引起磁感应强度B的变化。
对于非铁磁性的金属，包括抗磁体（如：
金、银、铜、铅、锌等）和顺磁体（如锰、铬、钦等）μr≈1，σ较大，可以认为是导电不导磁的物质，主要产生涡流效应，磁效应可忽略不计；对于铁磁性金属（如：
铁、钻、镍）μr很大，σ也较大，可认为是既导电又导磁物质，主要产生磁效应，同时又有涡流效应[7]。
本设计正是基于这样的理论，来寻找一种适合的传感器来感应线圈的磁场变化，并把磁场信号的变化转变成电信号的变化，从而实现单片机的控制。
正是本着这样一个设计思路来构建系统的硬件电路。
1．4主要性能分析
金属探测器的工作频率、灵敏度和稳定性是仪器的主要技术指标。
1．工作频率
为24KHz，选择24KHz的超长波频率是为了减弱土壤对电磁波的影响。
2．灵敏度分析
由公式（1-2）即：
可知：
（1）检测线圈的尺寸对仪器的灵敏度有影响。
探测器的灵敏度与探测线圈的尺寸大小有关，尺寸大即探测面积大，则线圈中心磁场强度低，在靠近线圈绕组附近磁场强度较高，霍尔元件固定在线圈中心，为了确保通过其磁通量，探测线圈的尺寸就不宜太大，具体尺寸通过实验确定。
（2）检测线圈的匝数对仪器的灵敏度有影响。
当检测线圈尺寸一定时，则匝数越少其灵敏度越高。
但为了确保通过霍尔元件的磁通量，匝数的减少也是有限的，需通过实验来确定最佳匝数[8][9]。
3．稳定性分析
Ⅰ.线圈的杂散电容与人体感应电容均可引起频率变化而产生伪信号。
Ⅱ.环境温度的变化，仪器元件参数也会改变，影响仪器工作的稳定。
Ⅲ.应尽量减少线圈与电路之间引线的长度，以减少分布电容，采用屏蔽线减少外界对其干扰。
第2章硬件电路设计
2．1系统组成
如图2-1所示，整个探测系统以8位单片机AT89S52作为控制中心，其硬件电路分为两个部分，一部分为线圈震荡电路，包括：
多谐振荡电路，放大电路和探测线圈；另一部分为控制电路，包括：
UGN3503型线性霍尔元件、前置放大电路、峰值检波电路、ADC0809模数转换器、AT89S52单片机、LED显示电路、声音报警电路及电源电路等[10][11]。
图2-1系统结构块图
2．2电路原理图
根据系统结构块图和金属探测器的特点，设计的整体电路图如图2-2所示
图2-2基于单片机控制的智能型金属探测器原理图
2．3硬件电路功能描述
（1）线圈振荡电路
图2-3线圈振荡电路原理图
工作过程中，由555定时器构成一个多谐振荡器，产生一频率为24KHz、占空比为2/3的脉冲信号。
振荡器的频率计算公式为[12]：
（2-1）
图示参数对应的频率为24KHz的超长波频率是为了减弱土壤对电磁波的影响。
从多谐振荡器输出的正脉冲信号经过电容C8输入到Q1的基极（Q1为β≥125的9013H），使其导通，经Q1放大之后，就形成了频率稳定度高、功率较大的脉冲信号输入到探测线圈L1中，再线圈内产生瞬间较强的电流，从而使线圈周围产生恒定的交变磁场。
由于在脉冲信号作用下，Q1处于开关工作状态，而导通时间又非常短，所以非常省电，可以利用9V电池供电[13]。
2．3．1线性霍尔传感器
在电路设计中，选用了美国ALLEGRO公司生产的UGN3503U线性霍尔传感器，来检测通电线圈L1周围的磁场变化。
UGN3503U线性霍尔传感器的主要功能是可将感应到的磁场强度信号线性地转变为电压信号[14]。
他的功能框图和输出特性示于图2-4和图2-5。
图2-4UGN3503U的功能框图图2-5UGN3503U的磁电转换特性曲线
霍尔元件是依据霍尔效应制成的器件。
如图2-6所示，在一块半导体薄片上两端通一电流I，并加上和片子表面垂直的磁场B，在薄片的横向两侧会出现一个电压，如图2-6中的UH，这种现象就是霍尔效应。
UH
这种现象的产生，是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用下，分别向片子横向两侧偏转和积聚，因而形成一个电场，称作霍尔电场。
霍尔电场产生的电场力和洛仑兹力相反，它阻碍载流子继续堆积，直到霍尔电场力和洛仑兹力相等[11]。
这时，片子两侧建立起一个稳定的电压，这就是霍尔电压UH，霍尔电压UH可用下式表示：
（V）（2-2）
式中RH-霍尔常数（m3C-1）；I-电流（A）；B-磁感应强度（T）；d-霍尔元件的厚度（m）
令KH=RH/d（VA-1Wb-1m2），得到
UH=KHIB（V）（2-3）
由上式可知，霍尔电压的大小成正比于控制电流I和磁感应强度B。
KH称为霍尔元件的灵敏度，它与元件材料的性质与几何尺寸有关。
因此当外加电压电源电压一定时，通过的电流I为一恒值，此时输出电压只与加在霍尔元件上的磁场B的大小成正比，即：
UH=KB（V）（2-4）
此时K=KHI为常数。
因此，任何引起磁场强度变化的物理量都将引起霍尔输出电压的变化。
据此，将霍尔元件做成各种形式的探头，固定在工作系统的适当位置，用它去检测工作磁场，再根据霍尔输出电压的变化提取被检信息，这就是线性霍尔元件的基本物理依据和作用。
本设计中采用的线性霍尔传感器UGN3503U就是将霍尔元件、高增益线性差分放大器和射极跟随器集成在同一半导体基片上，为用户提供了一个由外电源驱动、使用方便的磁敏传感器。
该器件的磁电转换特性曲线如图2-5所示，其输出电压和加在霍尔元件上的磁感强度B成比例。
它的灵敏度典型值为13.5mV/mT，静态输出电压为2.5V，输出电阻为0.05kΩ，mini-SIP封装。
具有灵敏度高，线性度好；结构牢固，体积小，重量轻，耐震动，功耗小，寿命长，频率高（可达1MHz）；输出噪声低等特点。
用它做探头可测量10-6—10T的交变和恒定磁场。
在测量磁场时，将元件的第一脚（面对标志面从左到右）接电源（工作电压为5V），第二脚接地，第三脚接高输入阻抗（10kΩ）电压表，通电后，将电路放入被测磁场中，因霍尔元件只对垂直于霍尔片表面的磁感应强度敏感，因而必须让磁力线垂直于电路表面，当没有磁场（B=0G）时，静态输出电压是电源电压的一半（即VCC/2），当外加磁场的南极靠近器件标志面时，会使输出电压高于静态输出电压；当外加磁场的北极靠近器件标志面时，会使输出电压低于静态输出电压，但仍然是正值。
利用线性霍尔传感器UGN3503U的上述特性，将其接在数据采集电路的前端，并固定在探测线圈L1的中心，即可感应线圈L1的磁场变化，并将磁场的变化信号转化为电压信号的变化而被后级电路时区和放大[15]。
2．3．2放大和峰值检波电路
由于UGN3503U线性霍尔元件采集到的电压信号是一个毫伏级的信号，信号十分微弱，所以，再对其进行处理前，首先要进行放大。
在设计中，信号放大电路采用输入阻抗高、漂移较小、共模抑制比高的集成运算放大器LM324，LM324是四运放集成电路，它采用14引脚双列直插塑料封装，外形和引脚排列如图所示。
它的内部包含四组形式完全相同的运算放大器，除电源共用，四组运放相互独立。
图2-7LM324引脚图图2-8LM324外观图
如图2-9所示，UGN3503U线性霍尔元件输出的微弱信号经电容耦合到前级运算放大器U2A的同相输入端，运算放大器U2A把霍尔元件感应到的电压转换为对地电压。
在电路设计中，运放LM324采用+5V单电源供电，对于不同强度的信号均可通过调解前级放大电路的反馈电位器W1来改变其放大倍数。
经前级运算放大器放大的信号经耦合电容C2输入到后级峰值检测电路中。
采用阻容耦合的方法可以使前后级电路的静态工作点保持独立，隔离各级静态之间的相互影响，使得电路总温漂不会太大。
图2-9数据采集电路原理图
峰值检测电路由两级运算放大器组成，第一级运放U2B将输入信号的峰值传递到电容C6上，并保持下来。
第二级运放U2C组成缓冲放大器，将输出与电容隔离开来。
在设计中，为了获得优良的保持性能和传输性能，同样采用了输入阻抗高、响应速度快、跟随精度较好的运算放大器LM324，这样可有效地利用LM324资源，减少使用原件元件的数量，降低了成本。
当输入电压Vi2上升时，VO2跟随上升，使二极管D4、D5导通，D3截止，运放U2B工作在深度负反馈状态，给电容C6充电，VC上升。
当输入电压Vi2下降时，VO2跟随下降，D3导通，U2B也工作在深度负反馈状态，深负反馈保证了二极管D4、D5可靠截止，VC值得以保持。
当Vi2再次上升使VO2上升并使D4、D5导通，D3截止，再次对电容C6充电（VC高于前次充电时电压），Vi2下降时，D4、D5又截止，D3导通，VC将峰值再次保持。
输出VO反映VC的大小，通过峰值检波和后级缓冲放大电路，将采集到的微弱电压信号放大至0V～5V的直流电平，以满足A/D转换器ADC0809所要求的输入电压变换范围，然后通过A/D转换电路将检测到的峰值转化成数字量[16]。
2．3．3A/D转换电路
由于采集到的信息是连续变化的模拟量，不能被单片机直接处理，所以，必须把这些模拟量转换成数字量后才能够输入到单片机中进行处理，这里选用了经济实用的ADC0809型A/D转换器来完成模数转换。
ADC0809芯片内部结构和工作时序于图2-10和图2-11。
图2-10ADC0809芯片的内部结构图
图2-11ADC0809的工作时序
ADC0809是8位逐次逼近型A/D转换器，片内有八路模拟开关，可对八路模拟电压量实现分时转换，转换速度为100μs（即10千次/秒）。
当地址锁存允许信号ALE=1时，3位地址信号A、B、C送入地址锁存器，选择8路模拟量中的一路实现A/D变换。
本设计中只适用通道IN0，所以，地址译码器ABC直接接地为000，采用线选法寻址。
ADC0809片内有三态输出缓冲器，可直接与单片机的数据总线相连接，这里将它的数据输出口直接与单片机的数据总线P0口相连接，AT89S52的P0口作为数据总线，又作为低8位地址总线。
ADC0809的片内没有时钟，时钟信号必须由外部提供，这里利用AT89S52提供的地址锁存允许信号ALE经计数器74LS163（逻辑功能见表2-1）构成的4分频器分频获得。
ALE引脚的频率是单片机时钟频率的1/6，单片机时钟频率为12MHz，再经4分频后为500kHz，所以ADC0809能可靠工作。
ADC0809的模拟输入范围：
单极性0~5V，设计中采用+5V单电源供电[17]。
如图2-12所示，放大后的电压信号送入ADC0809的模拟输入通道IN0进行A/D转换。
将P2.7（地址总线的A15）作为片选信号，由AT89S52的写信号
和P2.7控制ADC0809的地址锁存ALE和转换启动START，当ADC0809的START启动信号输入端为高电平时，A/D开始转换，在时钟的控制下，一位一位地逼近，比较器一次次进行比较，转换结束时，送出转换结束信号EOC（低到高），并将8位数字量D7—D0所存到输出缓存器。
AT89S52的读信号
端发出一个三态输出锁存器，AT89S52从ADC0809读取相应电压数字量，然后存入数据缓冲器中。
图2-12A/D转换电路
表2-174LS163逻辑功能表
输入
输出
功能描述
/CLEAR/LOAD
Clock
Enable
QDQCQBQACO
EpEr
11
11
计数
10
××
D3D2D1D0—
数据置入
0×
××
0000
清零
××
×
×0
11111
2．4系统控制单元
采用AT89S52单片机。
AT89S52是一个低功耗，高性能CMOS8位单片机，片内含8KBytesISP（In-systemprogrammable）的可反复擦写1000次的Flash只读程序存储器，器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术制造，兼容标准MCS-51指令系统及80C51引脚结构（引脚图如图2-13所示），芯片内集成了通用8位中央处理器和ISPFlash存储单元[18][19]。
图2-13AT89S52引脚图
AT89S52片内结构如图2-14所示，它具有如下特点：
40个引脚，8KBytesFlash片内程序存储器，256Bytes的随机存取数据存储器（RAM），32个外部双向输入/输出（I/O）口，看门狗定时（WDT）电路，2个数据指针，3个16位可编程定时计数器，5个中断优先级2层中断嵌套中断，2个全双工串行通信口，片内时钟振荡器。
此外，AT89S52设计和配置了振荡频率可为0Hz并可通过软件设置省电模式。
空闲模式下，CPU暂停工作，而RAM、定时计数器、串行口及外中断系统可继续工作，掉电模式冻结振荡器而保存RAM的数据，停止芯片其他功能直至外中断激活或硬件复位。
其工作电压为5V，晶振频率采用12MHz。
图2-14AT89S52片内结构图
2．5显示警告电路
一旦发现金属出现，则被测物理量超限由单片机I/O口的P1.0控制发光二极管进行光报警
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