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存储器芯片行业深度展望调研投资分析报告

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2017年12月

正文目录

存储器芯片价格大幅增长4

存储器介绍4

存储器芯片价格大幅增长5

需求供给共同推动价格上涨6

下游需求增长为存储器价格上升的主要推动力7

供给端产能下降是存储器价格上涨的又一原因8

半导体景气度持续提升，我国供需缺口较大10

全球集成电路行业景气度提升10

国际大厂积极收购并建厂扩产11

我国集成电路供需缺口巨大11

大力发展集成电路产业14

政策频出推进产业前进14

设立大基金助力产业发展15

不断推动存储芯片企业建设16

我国集成电路产业发展初见成效17

主要公司分析19

全志科技19

紫光国芯20

北京君正20

汇顶科技21

兆易创新21

长电科技22

风险因素22

图表目录

图1：

存储芯片分类4

图2：

DRAM月平均售价5

图3：

NANDFlash合约均价6

图4：

2016年以来DRAM厂商营收增长情况6

图5：

2012-2018年平均每辆汽车半导体成本（美元）8

图6：

2010-2016中国汽车电子市场规模8

图7：

2017年以来DRAM市场分布情况9

图8：

2017年NANDFlash厂商产能市占率9

图9：

2016年NORFlash市占率10

图10：

2009-2018年我国半导体产业销售情况变化图12

图11：

全球各地区半导体市场需求占比12

图12：

2010-2019我国集成电路供需情况对比13

图13：

我国集成电路进出口对比13

图14：

中国集成电路及存储器进口情况14

图15：

集成电路产业政策15

图16：

国家集成电路产业投资基金部分投资项目15

图17：

截至2017年8月地方集成电路产业投资基金汇总16

图18：

集成电路投资及增长预测18

图19：

2004-2016我国集成电路各部分销售额18

存储器芯片价格大幅增长

存储器介绍

存储器根据介质不同，可以分为光学存储、半导体存储和磁性存储，目前，半导体存储为市场的主流。

存储芯片即半导体存储，分为非易失性存储芯片和易失性存储芯片。

非易失性存储芯片又分为OTPROM、Flash芯片和EPROM及EEPROM，其中Flash芯片包括NORFlash芯片和NANDFlash芯片。

易失性存储芯片包括DRAM和SRAM。

图1：

存储芯片分类

NANDFlash可以实现大容量存储、高写入和擦除速度，具有更长的寿命，是海量数据的核心，多应用于大容量数据存储，如智能手机、平板电脑、U盘、固态硬盘等领域。

与机械硬盘等传统存储介质相比，采用NANDFlash芯片的SD卡、固态硬盘等存储装臵没有机械结构，还具有无噪音、寿命长、工作温度范围广等优点。

随着移动互联网、大数据、物联网的快速发展，设备对海量数据的存储提出了越来越高的要求，NAND芯片在未来将得到极大地发展。

NORFlash主要用来存储代码及部分数据，具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特性，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势，是手机、PC、机顶盒、物联网设备等代码闪存应用领域的首选。

NORFlash分为串行和并行。

串行结构相对简单、成本更低，随着工艺的进步，串行闪存已经能满足一般系统对速度及数据的读写要求，逐步成为主要系统方案商的首选。

DRAM也称为动态随机存储器，是最为常见的系统内存，可以协助CPU来运算及处理程序。

随着DRAM先进工艺制程的发展，DRAM产业的应用范围越来越广。

从主流应用PC端、手机等消费电子，发展到现阶段又开启了新一代应用，包括服务器、云端、物联网、车联网、人工智能等，可以说当前DRAM产业已经进入多元化应用。

存储器芯片价格大幅增长

2016年下半年以来存储器芯片价格持续上涨。

DRAM方面，2017年7月其平均售价已达到了5.16美元，较2016年同期上涨了111%。

NANDFlash方面，其价格自2016年初以来持续上升，截至2017年9月末，64Gb8G*8MLC的合约价已累计上涨1.59美元，涨幅达到了75.7%。

图2：

DRAM月平均售价

图3：

NANDFlash合约均价

在平均售价增长的带动下，存储器大厂三星、SK海力士及美光的营收自2016年第三季度以来一直保持着较高的增长速度。

图4：

2016年以来DRAM厂商营收增长情况

根据世界半导体贸易统计（WTST）预计，2017年全球半导体销售额将达到3970亿美元，较2016年增长17.1%，存储器芯片销售增长最快，达到50.5%。

在存储器中，ICInsights预估，DRAM的成长可达63%，将创1993年以来新高，NANDFlash价格涨幅也将创纪录地达到33%。

需求供给共同推动价格上涨

本次存储器价格大幅增长的原因主要有两个：

一是下游需求快速增长，随着云计算、物联网、大数据等产业的快速发展，存储器的需求越来越高；二是供给端产能下降，DDR3升级到DDR4，部分存储器厂商由生产2DNAND转向生产3DNAND，建厂周期较长，影响了存储器的供应。

下游需求增长为存储器价格上升的主要推动力

从市场情况来看，2016年以来，无论是全球市场还是中国市场，集成电路电路行业都保持了一定的增长率。

2016年，全球集成电路销售额为2766.98亿美元，同比增长0.81%，其中中国集成电路产业销售额为4335.5亿元，同比增长20.1%。

2017年上半年，中国集成电路产业销售额为2201.3亿元，同比增长19.18%。

从应用领域来看，集成电路市场尤其是存储器市场需求的增长不仅仅得益于传统的智能手机和平板电脑市场，大数据、人工智能、人工环保、物联网、新能源汽车和信息安全等新兴领域更是极大地推动了集成电路市场的发展。

智能手机：

在需求端，智能手机是全球内存产品最大的消费市场。

近年来，智能手机快速发展，前两年还是旗舰配臵的2GB内存，现在千元机也很少使用。

除苹果在运行内存方面比较保守，IPhone8、IPhone8plus及IPhoneX均配以3G内存外，4GB已经逐渐成为了安卓阵营中的千元机标配。

根据全球市场研究机构TrendForce最新研究显示，预计2017年智能手机的平均内存为3.2GB，较2016年增加33.4%。

智能手机的更新换代以及内存的增长在很大程度上提升了市场对于存储器的需求。

汽车：

随着汽车往智能化趋势发展以及汽车信息娱乐系统的升级，半导体在汽车中的比重逐年提升。

ICInsights数据显示，2017年车用逻辑与模拟芯片市场表现较好，预期该领域将分别增长48%及18%，高于IC市场平均表现。

此外，ICInsights还预测，平均每辆汽车半导体的成本将由2015年的520美元增长至2018年的610美元。

在半导体市场中，存储器其是标准型的产品，最为特殊，基本所有电子产品除需要CPU外均需要DRAM来协助运算及处理所有程序。

半导体在汽车中比重的提升即意味着存储器产品在汽车中的比重提升，汽车电子市场规模的增长也是推动存储器需求增长的原因之一。

图5：

2012-2018年平均每辆汽车半导体成本（美元）

图6：

2010-2016中国汽车电子市场规模

供给端产能下降是存储器价格上涨的又一原因

存储器设计投入大、研发周期长，是技术及资本密集产品。

因此DRAM、Flash等存储产品主要为国际大厂商所垄断。

DRAM制造技术高、资本开支大，发展至今，整个产业已基本被三星（韩国）、SK海力士（韩国）、美光（美国）三家公司所垄断。

且行业集中度呈继续上升趋势。

2017年第三季度，三星的DRAM市场占有率为45.8%，SK海力士的DRAM市场占有率为28.7%，美光的DRAM市场占有率为21%，三家存储器大厂的DRAM市场占有率达到了95%以上。

图7：

2017年以来DRAM市场分布情况

与DRAM市场三足鼎立的情况不同，NANDFlash市场较为分散，主要厂商有三星、西部数据、东芝、美光、SK海力士及英特尔。

其中三星、东芝/闪迪、SK海力士及美光四家，这四家企业均为IDM厂商，他们供应了全球绝大部分NAND芯片产品。

根据集邦科技数据，2017年三星、东芝/闪迪、美光/英特尔、SK海力士的NANDFlash产能占比分别为37%、35%、17%、11%。

NORFlash的市场更为分散，主要有赛普拉斯、旺宏、美光、华邦、兆易创新等。

图8：

2017年NANDFlash厂商产能市占率

图9：

2016年NORFlash市占率

由于存储器市场主要为国际大厂所垄断，因此国际大厂的产能转换对存储器产品的供给将产生很大影响。

DRAM方面，2015年，DRAM龙头三星电子将70%的DRAM产能转换到20nm，后又开始量产18nmDRAM，同时为了获得更多的利润又有部分产能转去生产3DNAND，因此又进一步压缩了DRAM的生产空间。

产品的更新换代也影响了DRAM的产能，2015年，DDR4开始小规模面向市场，2016年，DDR4大规模铺向市场，DDR4和DDR3的差别很大，工厂转向生产需要一定的时间。

此外，由于智能手机的快速发展，三大DRAM厂将产能大量移转至生产MobileDRAM，标准DRAM产能受到严重挤压。

NANDFlash方面，各大厂商逐步由2DNAND向3DNAND转型，但由于3DNAND扩产时间周期较长，导致当前产能有所下降。

半导体景气度持续提升，我国供需缺口较大

全球集成电路行业景气度提升

存储器是半导体产业中最为重要的一部分，其价格的持续上涨一定程度上反应了整个半导体行业景气度的提升。

根据半导体产业协会（SIA）统计，2016年全球半导体产业产值达3389亿美元，创下历史新高，同比增长1.1%。

据世界半导体贸易统计协会（WSTS）预测，2017全球半导体产值将来到3778亿美元，较2016年跳增11.5%，有望连续两年写下历史新高。

未来几年，全球半导体产业将呈现逐步趋稳的整体特征。

国际大厂积极收购并建厂扩产

针对全球半导体产值不断上升，国际大厂或是积极建厂提升产能，或是通过收购增加企业竞争力。

三星：

2013年4月，三星电子宣布在西安投资半导体项目，一期投资为70亿美元，今年8月，三星对外公布在西安追加70亿美元投资，扩大西安三星工厂的产品线。

目前三星西安工厂主要进行10纳米级的NANDFlash生产。

2017年7月，三星电子宣布投资20.4万亿韩元（约合186亿美元）扩大其芯片业务，其中将投资14.4万亿韩元扩充平泽市NANDFlash厂（约合125.4亿美元），并对华城市新建的半导体生产线投入6万亿韩元（约52.3亿美元）。

海力士：

根据韩国媒体《etnews》报道，2017年，SK海力士的投资金额将达到9.6万亿韩元，并计划将生产DRAM的中国无锡厂和生产NANDFlash的韩国清州厂完工时间提前至2018年的第四季度。

此外，海力士已经将其大部分DRAM产品的生产从韩国的FabM10转移到位于中国无锡的FabM14晶圆厂。

FabM14晶圆厂专门用于生产DRAM产品，每月的产能为28万片300mm晶圆。

东芝：

东芝与西部数据公司旗下闪迪在日本Fab2厂的产能持续增加，新厂也可望自2018下半年投产最新制程的3D-NAND。

并购：

除建厂扩产外，半导体公司还积极通过并购方式提升竞争力。

2015年3月，恩智浦以118亿美元收购飞思卡尔，汽车芯片巨头开始整合；2015年5月，新加坡半导体公司安华高以370亿美元收购全球最大的网络芯片公司博通；2015年6月，英特尔以167亿美元收购世界第二大FPGA芯片企业Altera；2015年10月，西部数据以190亿美元收购闪迪；201