单相全控桥式晶闸管整流电路的设计电子教案.docx
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单相全控桥式晶闸管整流电路的设计电子教案
单相全控桥式晶闸管整流电路的设计
1绪论
1.1电力电子技术的发展史
电力电子技术相对于其他一些高新技术来说更为边缘化，它是一门联系电力和电子的学科，电力电子技术为电能的产生和利用搭起了桥梁，为电能的输出、应用提供了更好的方式和平台，电力电子技术从根本上提高了电能的应用效率。
电力电子技术的问世是在上世纪五十年代末，当第一只晶闸管研制成功之后，电力电子技术就正式进入了电气传动技术的大家族。
电力电子技术在可控硅整流装置开发中发挥了重要作用，是电气传动领域中革命性的成果。
电力电子技术在上个世纪的七十年代时有了一个质的发展，晶闸管产品逐步完成了从低压小电流到高压大电流的过度，并在晶闸管的基础上开发了不能自关断的半控型器件，这就是第一代的电力电子器件，它是电力电子技术历史上的一座里程碑。
电力电子技术的研究水平不断进步，制造工艺水平也不断提高，电力电子器件也随之有了更大的发展，获得了又一次的飞跃。
电力电子技术的进步代表是自关断全控型第二代电力电子器件，代表产品是GTR和GTO。
电力电子技术在上个世纪的九十年代有了更进一步的发展，电力电子器件在大频率、低损耗、快响应方面有了更好表现，电力电子技术想着复台化、标准模块化、智能化、功率集成化方向发展，形成了电力电子的正式技术理论，形成了一个新的高科技领域。
1.2晶闸管
晶管又称为晶体闸流管，可控硅整流（SiliconControlledRectifier--
SCR），开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代;20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代。
能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，以被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为功率低频（200Hz以下）装置中的主要器件。
晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型--普通晶闸管。
广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件。
1.2.1晶闸管的结构
晶闸管是大功率器件，工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。
引出阳极A、阴极K和门极（或称栅极）G三个联接端。
内部结构:
四层三个结如图1.1所示。
图1.1晶闸管的外形、内部结构、电气图形符号和模块外形
a）晶闸管外形b）内部结构c）电气图形符号d）模块外形
1.2.2晶闸管的工作原理图及触发的条件
晶闸管由四层半导体（P1、N1、P2、N2）组成，形成三个结J1（P1N1）、J2（N1P2）、J3（P2N2），并分别从P1、P2、N2引入A、G、K三个电极，如图1.2（左）所示。
由于具有扩散工艺，具有三结四层结构的普通晶闸管可以等效成如图1.2（右）所示的两个晶闸管T1（P1-N1-P2）和（N1-P2-N2）组成的等效电路。
图1.2晶闸管的内部结构和等效电路
晶闸管的门极触发条件：
（1）:
晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；
（2）：
晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通；（3）：
晶闸管一旦导通门极就失去控制作用；（4）：
要使晶闸管关断，只能使其电流小到零一下。
晶闸管的驱动过程更多的是称为触发，产生注入门极的触发电流ＩＧ的电路称为门极触发电路。
也正是由于能过门极只能控制其开通，不能控制其关断，晶闸管才被称为半控型器件。
2单相晶闸管全控整流电路
2.1设计方案
本课程设计采用以锯齿波同步移相触发电路I和II+单相桥式全控整流电路来实现。
为了确保触发电路和主电路频率的一致，在设计中利用一个同步变压器，将其一次侧接入为主电路供电的电网，由其二次侧提供同步电压信号，这样就实现了触发脉冲频率与主电路晶闸管电压频率始终是一致的。
2.2总电路的原理框图
系统原理方框图如2.1所示：
图2.1系统原理方框图
2.3单相桥式全控整流电路
电路图如图2.2所示。
图2.2纯电阻性负载的单相桥式全控整流电路及波形
其工作原理是：
正半周时，a点电位高于b点电位，两个晶闸管T1、T4同时承受正向电压。
门极无触发信号，则两个晶闸管处于正向阻断状态，电源电压将全部加在T1、T4上，两个晶闸管各自承受电源电压的一半，负载电压为零。
在ωt=α时，给T1、T4同时施加触发脉冲，T1、T4即时导通，电源电压通过T1、T4加在负载上。
当电源电压下降至零时，负载电流也降至零，T1、T4自然关断。
在电源电压的正半周，晶闸管T2、T3始终承受反向电压而处于截止状态。
在的负半周，b点电位高于a点电位，晶闸管T2、T3同时承受正向电压。
在ωt=2π+α时，触发T2、T3，T2、T3导通，电流从b端流出经T3、R、T2回到电源a端，负载获得与正半周相同的整流电压和电流波形，这期间，T1、T4均承受反向电压而处于阻断状态。
当过零变正时，T2、T3关断，负载电压和电流也降至零。
此后，T1、T4又承受正向电压，并在ωt=π+α时被触发导通，依此循环工作。
2.4整流电路参数的计算
整流输出电压的平均值可按下式计算
（2-1）
当=0时，取得最大值，即=0.9，取=100V则Ud=90V，=180o时，=0。
角的移相范围为180o。
负载电流平均值为
（2-2）
负载电流有效值，即变压器二次侧绕组电流的有效值为
（2-3）
流过晶闸管电流有效值为
（2-4）
2.5晶闸管的选取
1、额定电压UTN:
通常取和中较小的，再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额定电压。
在选用管子时，额定电压应为正常工作峰值电压的2～3倍，以保证电路的工作安全。
晶闸管的额定电压
，其中:
工作电路中加在管子上的最大瞬时电压。
2、额定电流:
又称为额定通态平均电流。
其定义是在室温40°和规定的冷却条件下，元件在电阻性负载流过正弦半波、导通角不小于170°的电路中，结温不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流值。
将此电流按晶闸管标准电流取相近的电流等级即为晶闸管的额定电流。
3、参数计算如下：
取=100V；当时=90V，P=500W。
由P=U2/R得出R=16.5，代入（2-2）、（2-3）和（2-4）得，
负载电流的有效值，即=6.06A；
流过晶闸管的电流有效值=4.29A；
额定电流==2.73A；
晶闸管承受最大反向电压为：
=；
考虑到安全裕量，故晶闸管额定电压为：
=（2～3）=282.8V～424.3V；流过晶闸管电流有效值最大为：
==500/90=5.56A，考虑到安全裕量，故晶闸管额定电流为：
=（1.5～2）=8.34A～11.12A，取12A。
通过以上计算得知，可以取晶闸管额定电压为400V，额定电流为12A。
晶闸管型号及主要参数如下：
型号
TYN812-E
12
800
15
5
30
3辅助电路的设计
3.1触发电路
晶闸管装置的正常工作与门极触发电路的正确、可靠的运行密切相关，门极触发电路必须按主电路的要求来设计，为了能可靠触发晶闸管应满足以下要求:
（1）触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压和电流应大于晶闸管要求的数值，并保留足够的裕量。
（2）为了实现变流电路输出的电压连续可调，触发脉冲的相位应能在一定的范围内连续可调。
（3）触发脉冲与晶闸管主电路电源必须同步，两者频率应该相同，而且要有固定的相位关系，使每一周期都能在同样的相位上触发。
（4）触发脉冲的波形要符合一定的要求。
多数晶闸管电路要求触发脉冲的前沿要陡，以实现精确的导通控制。
对于电感性负载，由于电感的存在，其回路中的电流不能突变，所以要求其触发脉冲要有一定的宽度，以确保主回路的电流在没有上升到晶闸管擎住电流之前，其门极与阴极始终有触发脉冲存在，保证电路可靠工作。
3.1.1锯齿波同步移相触发电路I、II
锯齿波同步移相触发电路I、II由同步检测、锯齿波形成、移相控制、脉冲形成、脉冲放大等环节组成，其原理图如图1-11所示。
图3.1锯齿波同步移相触发电路I原理图
由V3、VD1、VD2、C1等元件组成同步检测环节，其作用是利用同步电压UT来控制锯齿波产生的时刻及锯齿波的宽度。
由V1、V2等元件组成的恒流源电路，当V3截止时，恒流源对C2充电形成锯齿波；当V3导通时，电容C2通过R4、V3放电。
调节电位器RP1可以调节恒流源的电流大小，从而改变了锯齿波的斜率。
控制电压Uct、偏移电压Ub和锯齿波电压在V5基极综合叠加，从而构成移相控制环节，RP2、RP3分别调节控制电压Uct和偏移电压Ub的大小。
V6、V7构成脉冲形成放大环节，C5为强触发电容改善脉冲的前沿，由脉冲变压器输出触发脉冲，电路的各点电压波形如图1-12所示。
图3.2锯齿波同步移相触发电路I各点电压波形（）
本装置有两路锯齿波同步移相触发电路，I和II，在电路上完全一样，只是锯齿波触发电路II输出的触发脉冲相位与I恰好互差180O，所以本次课程设计用该触发电路。
3.2晶闸管的保护
晶闸管的主要缺点：
过流、过压能力很差。
1.晶闸管的热容量很小：
一旦过流，温度急剧上升，器件被烧坏。
2.晶闸管承受过电压的能力极差：
电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。
正向电压超过转折电压时，会产生误导通，导通后的电流较大，使器件受损。
3.2.1过电流保护
电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。
过电流分过载和短路两种情况。
而其中最常用的过电流保护的措施有快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。
采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
在选择快速熔断器时应考虑：
1.电压等级应根据熔断后快熔实际承受的电压来确定。
2.电流容量应按其主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。
快熔一般与电力半导体器件串联连接，在小容量装置中也可串联于阀侧交流母线或直流母线中。
3.快熔的值应小于被保护器件的允许值。
4.为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间-电流特性。
3.2.2过电压保护
电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压两类。
外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，包括：
1.操作过电压：
由分闸、合闸等开关操作引起的过电压，电网侧的操作过电压会由供电变压器电磁感应耦合，或由变压器绕组之间存在的分布电容静电感应耦合过来。
2.雷击过电压：
由雷击引起的过电压。
内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程，包括：
1.换相过电压：
由于晶闸管或者与全控型器件反并联的续流二极管在换相结束后不能立即恢复阻断能力，因而有较大的反向电流流过，使残存的载流子恢复，而当恢复了阻断能力时，反向电流急剧减少，这样的电流突变会因线路电感而在晶闸管阴阳极之间或续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。
2.关断过电压：
全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。
过电压的保护措施中可以采用ＲＣ过电压抑制电路和采用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管（ＢＯＤ）等非线性元器件来限制或吸收过电压。
而本课程设计才用的是ＲＣ过电压抑制电路，其典型的连接方式如图所示。
6总电路图及仿真
图3.3RC过电压抑制电路连接方式（a为单相，b为三相）
4系统仿真
4.1基于Matlab的Simulink仿真软件简介
Simulink是基于Matlab的框图设计环境，可以用来对各种动态系统进行建模、分析和仿真，它的建模范围广泛，可以针对任何能用数学来描述的系统进行建模，例如航空航天动力学系统、卫星控制制导系统、通信系统、船舶及汽车等，其中包括了连续、
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