ASME第V卷无损检测docx.docx
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ASME第V卷无损检测docx
ASME2010第V卷《无损检测》新内容
美国机械工程师学会（ASME）于2010年7月1日发布的最新版ASME第V卷《无损
检测》，增添的新内容大多是围绕焊缝超声检测（UT）展开的，可见UT方法中隐含着大量
鲜活的科技新信息新技能，无一不与当今高速发展的计算机技术息息相关。
充分熟悉新版新
内容，熟练掌握新技能新要求，为承压设备制造质量提供安全可靠和高效的检测数，据是当
今无损检测人员与时俱进，接受时代挑战的重要使命。
以下先介绍新版ASME有关承压设
备无损检测的一般新内容，而后重点介绍有关超声检测新技术的新规定新要求。
1一般要求（第一章）
检测结果评（定T-180）
指出：
ASME第V卷中各种无损检测方法所提供的验收标准，应符合相关卷的要求，
并优先采用相关卷的规定。
2焊缝超声检测（第四章）
2.1
概述（T-420）
指出：
本章“焊缝超声检测方法”要求应与第
V卷第一章“一般要求”并驾齐驱，这
是指以下四方面的内容：
（1）粗晶焊缝UT的特殊要求，按T-451。
（2）计算机成像技术（简称CITs）的特殊要求，按T-452。
（3）TOFD（超声衍射时差）技术，按本章
强制性附录Ⅲ。
（4）相控阵手工光栅式扫查技术，按本章
强制性附录Ⅳ。
2.2
试块曲率（T-434.1）.7
有三点要求：
（1）工件直径D＞500mm时，可用平面状基本校验试块。
（2）工件直径D≤500mm时，应使用曲面试块。
一个曲面试块可用于检测0.9-1.倍5直
径的范围。
例如，D=200mm的曲面试块，可用于校验D=180-300mm的曲面范围。
D=24-500mm的曲面范围，则需6种曲面试块（见图1）。
（3）管子校验试块：
检测管焊缝时，基本校验试块的结构和反射体应按图2；曲率要求与上述
（2）同。
试块尺寸与反射体位置应适合于所用斜探头校验。
1
m
m
/
径
直
面
曲
块
试
23
39
67
500
108
180
300
500
A：
基本校验试块
M：
0.9倍限值线
MAN：
1.5倍限值线
375
333
N
250
200
125
120
72
43
26
0
0125250375500
工件曲面直径/mm
图1试块-工件曲面比限值
标称壁厚T
弧长
堆焊层（如有则）加
﹡线槽离试块边缘或线槽与线槽间小得不距于壁厚T或25mm（取两者中较大值）。
注：
（a）试块长L最小应为200mm或8T（取两者中较大值）。
（b）外径Do≤100mm时，试块弧长最小应为270；°Do＞100mm时，试块弧长最小应
为200mm或3T（取两者中较大值）。
（c）槽深最小应为8%T，最大11%T。
有堆焊层时，试块堆焊层侧的槽深，应加上堆焊
层厚度（即槽深最小为8%T+CT，最大为11%T+CT）。
（d）槽宽最大值并不很严。
线槽可用电火花加工，或R≤3mm的端铣削。
（e）槽长应足以为校验提供3:
1的信噪比。
图2管子UT基本校验试块
2.3粗晶焊缝（T-451）
概述中提到的粗晶焊缝是指高合金钢和高镍合金焊缝，碳钢和高合金钢、高镍合金之间
2
的异种金属焊缝，其超声检测通常要比铁素体钢焊缝难度大。
超声检测的难度是由粗晶结构
和各向异性结构引起的；这样的结构特征会使超声波在各晶界面上的反射、折射和衰减，明
显不同，也会使晶粒内的声速发生变化。
对粗晶焊缝，通常用纵波斜声束进行UT。
探测前，
要制作焊接试板，在焊缝金属中设置参考反射体，用单晶或双晶纵波斜探头进行验证演示操
作。
2.4计算机成像技术（T-452）
指出：
计算机成像技术（CITs）的主要贡献，在于用于缺陷表征分析评价时的有效性。
但CITs也可用于进行探伤所需要的基本扫查动作。
用计算机处理的数据分析和显示技术，
可与自动或半自动扫查机构联用，以获得缺陷的两维和三维图像，从而强化重要工件或结构
件的检测能力。
计算机处理可用于定量评价用超声波或其它无损检测方法检出的缺陷类型、
尺寸、形状、位置和方向。
有关可使用的一些计算机成像技术（包括合成孔聚焦法——即
SAFT法、线合成孔聚焦法——即L-SAFT法、宽带全息照相法、相控阵法、TOFD法、自
动取样成像法），可参阅相关非强制性附录E。
2.5焊缝距离波幅法（T-472）
有关卷规定用距离波幅法检测和评价焊缝时，应使用1个斜探头在焊缝轴线的平行方向
和横切方向对焊接接头进行扫查（至少4向扫查）。
斜探头探伤前，先用直探头在焊缝两侧
对斜声束要通过的母材区域，进行检测，以发现有可能妨碍斜探头声束检测焊缝缺陷。
非强
制性附录I提供了用多种角度的斜探头探伤法。
2.6文档资料（T-490）
拒收缺陷（T-491）.1
对拒收缺陷应做出记录。
记录内容至少应包括：
缺陷性质（即指明是裂纹、未熔合、夹
渣等）、位置和范围（指长度）。
非强制性附录D和K给出了斜探头和直探头探伤的一般记
录的示例。
指明也可采用其它方法。
3TOFD技术（强制性附录Ⅲ）
3.1TOFD对比试块
TOFD检测灵敏度调整用的对比试块见图3和图4。
图3是厚度不分区检测用的对比试
块，至少设置2个横孔，横孔深度位置分别为T/4和3T/4。
图4是厚度一分为二、作二分区
检测用的对比试块，每一分区，在分区厚度1/4和3/4处，均分别设置横孔。
对对比试块，
只规定试块厚度范围和横孔深度位置，未规定试块长宽和孔位两维具体尺寸，但指出：
试块
长宽尺寸和横孔位置，要适合于所用探头声束角度的灵敏度调整。
3
堆焊层（如有则加）
T/4
T3T/4
壁厚/mm
孔径/mm
≤25
2.5
＞25～50
3
＞50～100
5
＞100
6
图3厚度不分区TOFD对比试块
T1/4T1上区
3T1/4
T
T2/4
3T/4
T2下区
2
堆焊层（如有则加）
图4厚度二分区TOFD对比试块
3.2缺陷定量和评定
有缺陷测高要求时，仪器和系统按有关规定（Ⅲ-463）校验后，将TOFD探头对放在校
验试块上，根据试块底面反射信号图像位置判读的深度偏差，应不大于实厚度±际1mm。
用深度分区的TOFD检测，若试块底面反射信号图像不显示，或难以分辨时，也可使用试
块中的横孔或其它已知深度的参考反射体，根据其信号图像位置，判读深度偏差。
有关缺陷
定量和评定的附加信息，详见非强制附性录L和N。
注意，只有当所有显示参数调整（即对比度、亮度、直通波和底波移除、SAFT处理等）
4
完成后，才能进行最终评定。
3.3TOFD检测一般要求（非强制性附录O）
2010版增补了一份很重要的非强制性附录O——有关TOFD法的一般检测要求，详
述了TOFD法的探头参数（频率、晶片尺寸、角度）的选定，给出了薄板、中厚板、厚板
TOFD检测中探头对的探测布置和声束示踪图（4张图），交代了厚度分区扫查的通道设定
数和声束交叉位置等要素要领要点。
这些内容与非强制性附录N所提供的32张有关TOFD
显示图的评定，一起构成承压设备TOFD焊缝检测的最大亮点——最关键的技术。
所有
TOFD检测人员，必须习之而谙熟于心，驭之而得心应手。
（1）探头参数
用TOFD法检测铁素体焊缝时，不同厚度范围适用的TOFD探头参数见表1和表2。
（2）探测布置
当厚度达到75mm以上时，单一探头的声束扩散不大可能产生足够的声强来很好检测
整个被检区域。
因此，被检厚度应分成若干层区，进行分层检测。
厚度分区数与声束交叉位
置的一般设定导则见表3；厚度分区的TOFD探测布置和声束示踪图例见图5～图8。
表1
厚度不分区检测时
TOFD探头参数的选定（
t＜75mm）
厚度t/mm
标称频率/MHz
晶片尺寸/mm
声束角度
＜13
10～15
3～6
60°～70°
13～＜38
5～10
3～6
50°～70°
38～＜75
2～5
6～13
45°～65°
表2
厚度分区检测时
TOFD探头参数的选定（
t＞75mm～300mm）
厚度t/mm
标称频率/MHz
晶片尺寸/mm
声束角度
＜38
5～15
3～6
50°～70°
38～300
1～5
6～12.5
45°～60°
5
表3对接焊缝TOFD检测厚度分区设定导则（t＜300mm）
声束交叉位置
厚度t/mm
厚度分区数
﹡
深度范围
（近似值）
＜50
1
0～t
（2/3）t
50～＜100
2
0～t/2
（2/3）t
t/2～t
（5/6）t
0～t/3
（2/9）t
100～＜200
3
t/3～2t/3
（5/9）t
2t/3～t
（8/9）t
0～t/4
（1/12）t
t/4～t/2
（5/12）t
200～＜300
4
t/2～3t/4
（8/12）t
3t/4～t
（11/12）t
﹡厚度分区不一定等高。
t
图5厚度不分区TOFD探测布置
探头2探头1探头1探头2
1区
2区
图6厚度二分区TOFD探测布置（厚度分区等高）
6
探头4探头3探头2探头1探头2探头3探头4
探头1
1区
2区
3区（2次偏置扫查）
图7厚度三分区TOFD探测布置
（厚度分区不等高，强调2次偏置扫查）
探头4探头3探头2探头1探头2探头3探头4
探头1
1区
2区
3区
4区
图8厚度四分区TOFD探测布置（厚度分区等高）
4相控阵线扫查检测技术（强制性附录Ⅴ）
4.1适用范围
叙述用线阵列探头进行相控阵E（电子）扫描（固定角度）和S（扇形）扫描编码线扫
查检测的要求。
三个术语的意义：
（1）E扫法（见图9）
又称电子光栅扫描法。
将单一聚焦法则通过多路传输，递加于一组组主动阵元，让压
电转换产生的角度恒定的超声波束，沿着相控阵探头长度方向，以给定的增量进行快速扫查。
7
（2）S扫法（见图10）
又称扇形扫查法或方位角扫查法。
S扫法，可指声束移动，也可指数据显示：
a.声束移动是指将一组聚焦法则，施加于同一组阵元，通过压电转换，使其在被检材料中产生一系列给定角度范围的扇形声束。
b.数据显示是指由特定阵元组产生的所有A扫描的两维视图，这些A扫描的时间延迟
和声束折射角均经校准。
扫查体积已校准的S扫图像一般显示扇形图像，图像中缺陷形位
可测。
（3）线扫法
所谓线扫查（也称为行扫查），是指探头以固定的焊缝-探头距离、平行于焊缝轴线的单
道扫查。
电子束线扫描
声束单行扫查
图9相控阵E扫法
（激励晶片的电子束直线移动，试件和探头均不移动）
图10相控阵S扫法
（上为扇形声束扫查横孔，下为扇形扫描图像显示）
8
4.2通用要求和特定要求
（1）相控阵E扫和S扫检测的通用要求按第四章“焊缝超声检测方法”正文，特定要
求按本附录V。
（2）相控阵UT工艺规程分通用要求和特定要求，两者须同时满足。
通用要求（
20项）
见表4，特定要求（12项）见表5。
表4ASME规定的UT工艺必须量化的通用性要求
变素分类
序号
必须量化的UT通用工艺参数
1
受检焊缝几何形状，包括厚度尺寸，母材产品形式（管、板等）
2
进行检测的表面
3
检测方法（直射波、斜射波、接触法或液浸法）
重
4
声波在材料中的传播角度和波型
5
探头型式、频率和晶片尺寸、形状
要
6
特殊探头、楔块、衬垫或鞍座
7
超声仪
变
8
校验（校验试块和方法）
9
扫查方向和范围
素
10
扫查方式（手工或自动）
11
几何信号与缺陷信号的识别方法
12
测定信号大小的方法
13
计算机数据采集（使用时
14
扫查覆盖性（仅指减少时）
15
人员操作要求（有要求时）
非
1
人员资格鉴定要求
重
2
表面状态（探测面，校验试块）
要
3
耦合剂牌号或类型
变
4
自动报警或记录设备（用到时）
素
5
记录、包括要记录的必要校验数据（如仪器设定）
9
表5ASME规定的PA检测工艺必须量化的特定性要求
变素分类
序号
必须量化的
UT特定工艺参数
1
探头（阵元或晶片尺寸，阵元数，阵元芯距，阵元间距）
2
焦点范围（识别平面，焦点深度，或声程距离）
重
3
虚拟窗尺寸（阵元数，阵元宽度、有效高度﹡）
要
4
楔块角度
变
5
扫查布置图（施探图）
素
●
E扫描附加要求
6
光栅角度
虚拟窗起始和终止晶片号数（如
1-126,10-等50）7
8
虚拟窗增量变化（晶片步进数，如
1,2等）
●
S扫描附加要求
扫查角度范围（如40°-50°，50°-70°等）9
扫查角度增量变化（如0.5°,1°等）10
11
虚拟窗晶片序号（第一个和最后一个）
非重要
12焊缝轴线参考点标记
变素
﹡有效高度是指由聚焦法则中使用的第一个和最后一个晶片的外端两者之间测出的距离。
ASME规定：
对工艺规程中的每一量化要求，应规定一个数值或数值范围。
当产品设计
或制造规范提出要对UT或PA工艺进行评定时，若上述表4和表5列出的重要变素的量化
要求偏离规定的数值或数值范围，就要求对UT或PA工艺重新进行评定。
对非重要变素的
变化，则不要求工艺重评。
但不管是重要变素，还是非重要变素，有了变化，都要求对原书
面工艺进行修改或增补。
4.3相控阵扫查布置图（ScanPlan）
用线阵探头，作相控阵E扫描（固定角度）和S扫描编码线扫查检测前，ASME要求
必须给出扫查布置图（施探图），示出探头的放置和移动方式，以为焊缝检测提供标准化和
有重复性的方法。
扫查布置图（施探图）中除含有表5所示数据（重要变素11项，非重要
变素1项）外，还应指明声束角度和相对于焊缝轴线参考点的方向、焊接接头的几何形状尺
寸、以及检测区域数。
图11～图14给出了薄板、中厚板和厚板对接接头对接焊缝及T型接头组合焊缝的典型
相控阵扫查布置和声线示踪图例（要领和细节另文详述）。
10
薄壁对接焊缝应从焊缝两侧进行探测，最好从开有坡口的焊缝一侧探测（探头可接近时）。
对薄壁焊缝，
只要探头参数适当，声束足以全覆盖检测范围，以单一探头-焊缝距离作线扫查即可。
图11薄壁和中薄壁对接焊缝的S扫和E扫
厚壁对接焊缝应从焊缝两侧进行探测，最好从开有坡口的焊缝一侧探测（探头可接近时）。
对厚壁焊缝，
可用两种或两种以上的探头-焊缝距离，或多种聚焦法则的探头-焊缝距离，进行线扫查，以确保全部覆盖
检测体积。
图12厚壁对接焊缝的S扫和E扫
对T型接头，可将斜探头置于腹板上，用类似于对接接头对接焊缝的检测方法进行探伤。
腹板厚度较
薄时，可只用一种探头-焊缝距离作E扫描或S扫描。
只要可接近，斜探头应从腹板两面进行检测。
图13T型接头的S扫描（腹板侧斜探伤）
11
只要可接近，T型接头焊缝最好从翼板外侧进行探测。
为使焊缝熔合面（K型坡口有三个熔合面）的
缺陷获得最佳检出，可三法并举：
（0°E扫描）+（小角度纵波E扫描）+（横波E扫描）。
图14T型接头的E扫描（翼板外侧探伤）
4.4仪器设备校验
（1）仪器线性对超声仪器的波幅控制线性，要求按强制性附录Ⅱ，对每一脉冲发生器
-接收器电路进行校验。
校验方法与常规方法同（略）。
（2）聚焦法则这是相控阵操作文件，用于确定激活的探头阵元及其时间延迟法则，由
此确定声束聚焦位置。
聚焦法则既适用于声波的发射，也适用于声波的接收。
检测过程中使
用的聚焦法则，也应使用于校验过程。
图15表示聚焦法则用于纵波直探伤和横波斜探伤的
原理图。
（3）声束校验检测中用到的所有声束均应一一校验，以提供检测声程中相应距离和波
幅校准的量值。
此声束校验应包括对楔块声程变化和楔块衰减效应所作出的补偿修正。
（4）编码器校验用线阵探头加编码器作E扫描或S扫描检测前，应对所用编码器进
行校验。
校验间隔不超过一个月，或在首次使用后不超过一个月；校验时，编码器至少移动
500mm。
显示值偏差应不大于实际移动距离的1%。
延时值ns延时值ns
PA探头PA探头
变角
产生的波阵面产生的波阵面
（a）（b）
（a）垂直入射（b）倾斜入射
图15相控阵声束聚焦原理简图
12
4.5扫查声束覆盖范围
要检测的焊缝和热影响区体积，应使用带编码器的线阵探头进行线扫查。
每次线扫查应
平行于焊缝轴线，探头-焊缝距离保持不变，声束垂直于焊缝轴线。
要领如下：
（1）探头离焊缝轴线的距离应借助于固定的导轨或机械装置，保持一定。
（2）E扫描的检测角度和S扫查的角度范围，应针对被检焊接接头，适当定选。
（3）扫查速度应使每25mm线扫查长度的数据漏失，于少2数据线，且无相邻数据线
跳过现象。
（4）对E扫描法来说，相邻主动窗（即窗口增量变化）之间的重叠应至少为有效窗高度的50%。
（5）对S扫描法来说，角度扫查增量变化最大应为1或°足以确保50%的声束重叠。
（6）当需用多道线扫查来覆盖被检焊缝和热影响区母材时，相邻线扫查之间的重叠范
围，对E扫描，应确保至少有10%的有效窗高度；对S扫描，至少为10%的声束宽度。
4.6扫描数据记录
ASME规定：
对关注的检测区，应记录未作设未、理处限门的值A扫描数据，最小数
字化频率为检测频率的5倍，记录增量最大值Rmax相关于材料厚度t：
（1）t＜75mm时，Rmax≯1mm；
（2）t≥75mm时，Rmax≯2mm。
4.7焊缝横向缺陷的检测
对横切焊缝轴线的缺陷（如横向裂纹），可不采用探头平行于焊缝轴线的线扫查，而用
斜探头沿焊缝宽度方向进行手工扫查。
4.8相控阵UT检测记录报告
每次检测，除需记录一般手工UT要求的19项内容外，还需记录4项与相控阵直接相
关的特定内容，即：
（1）UT一般记录内容：
a.检测规程号和修订号；b.超声探伤仪标识（包括出厂编号）；c.探头标识（包括出
厂编号，频率，尺寸）；d.所用声束角度；e.所用耦合剂、牌号或类型；f.所用探头电缆、
类型和长度；g.所用特殊设备（探头、斜楔、导块、自动扫描设备，记录设备等）；h.计算
机程序标识及修改情况（如用到）；i.校验试块标识；j.模拟试块，电子模拟体标识（如用
到）；k.仪器参考水平增益，以及衰减、抑制调节（如用到）；l.校验数据（包括参考反射
体，指示幅度，距离读数）；m.初始校验时，与数据相关的模拟试块和电子模拟体（若使用）；
n.扫查焊缝或体积的位置和标识；o.进行检测的表面，以及表面状态；p.检出判废缺陷或
返修区的示图或记录；q.无法接近的区域或焊缝；r.检测人员代号和资格；级等s.检测日
期。
上述b～m，可作单独校验记录，校验记录号应列入检测告报中。
13
（2）PA特定记录内容：
a.探头阵元（晶片）尺寸、阵元数、阵元芯距、阵元间距；
b.聚焦法则参数，包括角度、变角范围、焦深、焦平面、使用阵元数、变角或变阵元增量、起始和终止阵元号或起始阵元号；
c.楔块角度；
d.扫查布置图（施探图）。
所记
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