什么是超级电容.docx
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什么是超级电容
电子知识
超级电容是近几年才批量生产的一种无源器件，介于电池与一般电容之间，具有电容的大电流快速充放电特性，同时也有电池的储能特性，而且重复利用寿命长，放电时利用移动导体间的电子（而不依托化学反映）释放电流，从而为设备提供电源。
超级电容的特性
一、超级电容器特性：
a.体积小，容量大，电容量比同体积电解电容容量大30~40倍；
b.充电速度快，10秒内达到额定容量的95%；
c.充放电能力强；
d.失效开路，过电压不击穿，平安靠得住；
e.超长寿命，可长达40万小时以上；
f.充放电线路简单，无需充电电池那样的充电电路，真正免保护；
g.电压类型：
2.7v---12.0v
h.容量范围：
0.1F--1000F
二、超级电容与电池比较，有如下特性：
a.超低串联等效电阻（LOWESR），功率密度（PowerDensity）是锂离子电池的数十倍以上，适合大电流放电，（一枚4.7F电容能释放刹时电流18A以上）。
b.超长寿命，充放电大于50万次，是Li-Ion电池的500倍，是Ni-MH和Ni-Cd电池的1000倍，若是对超级电容天天充放电20次，持续利用可达68年。
c.能够大电流充电，充放电时刻短，对充电电路要求简单，无经历效应。
d.免保护，可密封。
e.温度范围宽-40℃～+70℃，一样电池是-20℃～60℃
IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/OBUFFER快速准确建模方式，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时刻及输入负载等参数，超级适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。
IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并非说明这些被记录参数如何利用，这些参数需要由利用IBIS模型仿真工具来读取。
欲利用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：
获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方式；提供用于仿真可被运算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。
IBIS模型优势能够归纳为：
在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方式更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。
可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：
串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。
IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情形上升时刻条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情形；模型能够免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界普遍仿真平台。
IBIS模型核由一个包括电流、电压和时序方面信息列表组成。
IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。
非集聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中排除那个问题。
事实上，所有EDA供给商此刻都支持IBIS模型，而且它们都很简便易用。
大多数器件IBIS模型都可从互联网上免费取得。
能够在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。
IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/OBUFFER快速准确建模方式，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时刻及输入负载等参数，超级适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。
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获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方式；提供用于仿真可被运算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。
IBIS模型优势能够归纳为：
在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方式更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。
可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：
串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。
IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情形上升时刻条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情形；模型能够免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界普遍仿真平台。
IBIS模型核由一个包括电流、电压和时序方面信息列表组成。
IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。
非集聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中排除那个问题。
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