X79AGD45 BIOS设置解说2.docx

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X79AGD45BIOS设置解说2

二、性能（OC超频）设置

点击OC按钮进入性能（OC超频）设置。

性能（OC超频）设置可以分为五个部分：

CPU频率设置，微星超频，内存频率设置，电压设置，性能辅助设置。

2-1、CPU频率设置

第1-2行显示当前CPU和内存频率。

2-1-1、InternalPLLOvervoltage（内部PLL过电压）

开启/关闭内部PLL过电压保护，设置项有Auto/Disabled/Enabled，默认是Auto。

2-1-2、CPUBaseClock（MHz）（CPU基本频率）

设置CPU的外频，英特尔SNB-E处理器的外频是100MHz，可以适当提高或降低。

调整方法是用小键盘的+/-键，每敲一次键加/减1MHz。

此项下面的灰色行就是当前的CPU基频。

调整FSB频率直接影响内存频率。

所以，超频时请注意内存频率要与内存条标称频率相近，如果偏差较大，可能导致超频失败。

2-1-3、AdjustCPUBaseClockRatio（调整CPU基频倍率）

英特尔SNB-E处理器可以设置基频的倍率，设置项有Auto/1.0/1.25/1.67，默认是Auto。

这项设置就是调整CPU的基频，1.25倍就是125MHz。

2-1-4、AdjustCPURatio（调整CPU倍频）

在此敲回车，弹出倍频选择菜单，从中选择你想用的倍频。

对于锁倍频的CPU来说，只能降不能升。

不锁倍频的CPU可以在这里超倍频。

倍率表从12到60。

2-1-5、EIST（智能降频技术）

这里是开启/关闭EIST，设置项有Enabled/Disabled，默认是Enabled（开启）。

EIST全称为“EnhancedIntelSpeedStepTechnology”，它能够根据不同的系统工作量自动调节处理器的电压和频率，以减少耗电量和发热量。

2-1-6、IntelTurboBoost2.0（英特尔智能加速技术）

这里是开启/关闭英特尔智能加速技术，设置项有Enabled/Disabled，默认是Enabled（开启）。

IntelTurboBoost2.0是第2代英特尔智能加速技术，这种技术就是根据CPU的实际作业情况提升核心的频率，比如一个核心作业就可以提高这个核心的频率，加速作业进程。

智能加速技术提升的频率要看几个核心在运作，运作的核心越少，提升的频率越高。

2-2、微星超频

这里是微星特有的超频技术。

主板上设有OCGenie和DirectOC按钮。

BIOS的这2项设置就是开启/关闭这些按钮功能的。

2-2-1、OCGenieButtonOperation（超频精灵按钮）

开启/关闭超频精灵按钮功能，设置项有Disabled（关闭）和Enabled（开启），默认是Enabled。

BIOS开启这个按钮功能后，开机前按下这个按钮，开机后就自动超频。

也叫做一键超频。

2-2-2、DirectOCButton（直接超频按钮）

开启/关闭直接超频按钮，设置项有Disabled（关闭）和Enabled（开启），默认是Disabled。

BIOS开启这个按钮功能后，在操作系统下按+钮就可以直接超频，按一次超1MHz。

如果按-钮就降频。

2-3、内存频率设置

2-3-1、DRAMFrequency（内存频率）

这里是设置内存频率的，内存控制器整合到SNB-E处理器内，支持内存的规格依据CPU了。

SNB-E处理器支持的内存规格是DDR31066/1333。

主板通过内存超频，可以支持1600/1866/2133/2400的内存。

回车弹出内存频率选单，从中选择内存频率。

2-3-2、ExtremeMemoryProfile（X.M.P）

XMP是英特尔提出的一种内存超频模式，就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的SPD模块中。

BIOS启动XMP就是直接从SPD中读取超频设置参数设置内存和CPU的频率。

这里是开启/关闭XMP，设置项有设置项有Disabled（关闭）和Enabled（开启），默认是Disabled（关闭）。

2-3-3、DRAMTimingMode（DRAM时序模式）

这里是设置内存时序的，设置项有Auto（自动）/Link（四通道联调）/Unlink（单个通道调），默认是Auto。

如果设定Link（四通道联调）/Unlink（单通道单调），AdvancedDRAMConfiguration就变成可以设置的。

2-3-4、Link（四通道联调）的AdvancedDRAMConfiguration（高级DRAM配置）

上列内存参数设置，左侧是参数名称，中间是默认值，右侧是设置项（Auto），要修改设置，请敲回车，从弹出的的参数菜单中选择。

CommandRate：

命令速率，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。

设置项有Auto/1T/2T，默认是Auto，1T比2T快。

但是要依据内存条的性能。

性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。

一般保持Auto就是依据SPD设置。

tCL（CASLatency）：

列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。

CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。

因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

　　内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。

当内存读写请求触发后，最初是tRP（ActivetoPrechargeDelay：

预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。

一旦tRAS激活后，RAS（RowAddressStrobe行地址选通）开始对需要的数据进行寻址。

首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAStoCASDelay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。

期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。

所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。

同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。

这个参数越小，则内存的速度越快。

必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。

而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。

参数范围5-15T。

tRCD（RAStoCASDelay）：

行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。

JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。

参数范围4-15T。

tRP（RowprechargeDelay）：

行地址选通预充电时间。

这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。

预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。

但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。

参数值大将提高系统的稳定。

参数范围4-15T。

JEDEC规范中，它是排在第三的参数。

tRAS（RowactiveStrobe）：

行地址选通。

这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。

也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。

降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。

如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。

该值一般设定为CASlatency+tRCD+2个时钟周期。

为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

参数范围10-40T。

JEDEC规范中，它是排在第四的参数。

tRFC（RefreshCycleTime）：

刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。

该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令（即：

REF指令）之间的时间间隔。

tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

参数范围48-200T。

tWR（TimingofWriteRecovery）：

写恢复时间。

这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。

就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。

这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。

同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

参数范围5-32T。

tWTR（WritetoReadDelay）：

写到读延时。

这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。

也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。

偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。

参数范围4-15T。

tRRD（RAStoRASDelay）：

行选通到行选通延迟，也称为RowtoRowdelay。

这是表示“行单元到行单元的延时”。

该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。

tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。

然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。

如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。

参数范围4-15T。

tRTP（DRAMREADtoPRETime）：

内部读取到预充电命令时间。

这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。

如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。

参数范围4-5T。

tFAW（FourActivateWindow）：

FAW是FourBankActivateWindow的缩写，4个Bank激活窗口。

这个参数就是4个Bank激活窗口的延迟。

通常在8-bank设备中滚动tFAW窗口不要超过4bank。

参数范围4-63T。

tWCL（WriteCAS#Latency）：

写CAS#延迟。

SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。

tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。

该参数主要影响稳定性。

参数范围5-15T。

tCKE（ClockEnable）：

CKE是时钟有效信号（ClockEnable），在这里这个参数叫做CKEMinimumPlusWidth，就是CKE最小脉冲宽度。

参数范围3-15T。

tRTL（DRAMRoundTripLatency）：

RTL就是在一个UCLK（NBClock）内往返读取若干单元之间的最小延迟。

参数范围24-64T。

tXP（ExitPowerDown）：

退出关机而延迟锁相环（DLL）还运作到命令生效的时间；退出预充电关机而延迟锁相环（DLL）停住到命令不要求锁定DLL的时间。

参数范围1-6T。

高级时序配置

tRRDR：

Read-ReadDifferentRank，sameDIMM。

这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。

参数范围1-6T。

tRRDD：

Read-ReadDifferentRank。

这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。

参数范围1-6T。

tWWDR：

Write-WriteDifferentRank，sameDIMM。

这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。

参数范围1-6T。

tWWDD：

Write-WriteDifferentRank。

这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。

参数范围1-6T。

tRWDRDD：

Read-WriteDifferentRankssameorDifferentDIMM。

这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。

参数范围1-6T。

tWRDRDD：

Write-ReadDifferentRankssameorDifferentDIMM。

这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。

参数范围1-6T。

tRWSR：

Read-WriteSameRank。

这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。

参数范围1-6T。

2-3-5、UnLink（单通道单调）的AdvancedDRAMConfiguration（高级DRAM配置）

每个通道的时序配置与前面的四通道联调是一样的，请参看。

2-4、电压设置

2-4-1、VDroopControl（电压降控制）

这是控制超频满载时出现电压降的控制选项。

设置项有Level0-Level7等七个级别，默认为Level0。

级别越高控制电压降的强度越大。

如果感觉超频后，CPU满负荷时电压下降较大，可以设置为高级别的VDroopControl。

2-4-2、CPUCoreVoltage（CPU核心电压）

这里是调整CPU核心电压。

设置项有Auto和电压0.800—1.800V的选项。

敲回车从弹出的列表中选择。

默认是Auto。

调整核心电压要小心。

强烈建议不要超过1.400V。

2-4-3、SystemAgentVoltage（SA）（系统辅助电压）

这个电压就是整合在CPU里面的内存控制器（NB）的电压。

设置项有Auto和电压0.85—1.80V的选项，默认是Auto。

调整SA电压要小心。

建议不要超过1.400V。

一般保持默认就可以。

2-4-4、CPUI/OVoltage（CPUI/O电压）

这里是调整CPUI/O电压。

设置项有Auto和电压0.85—1.69V的选项，默认是Auto。

调整IO电压要小心。

建议不要超过1.400V。

2-4-5、CPUPLLVoltage（CPUPLL电压）

这是CPU的时钟信号电压。

设置项有Auto和电压1.40V—2.50V的选项，默认是Auto。

调整CPUPLL电压要小心，建议不要超过1.98V。

一般保持默认就可以。

2-4-6、CPUOverrideVoltage（CPU倍率电压）

这是设置CPUOverrideVoltage（CPU倍率电压），设置项有0-5，默认是0。

超频时可以提高倍率，以便超频稳定。

2-4-7、DDRCH_A/BVoltage（内存通道A/B电压）

调整内存A/B通道的电压，设置值有Auto，1.050-2.445V，默认是Auto。

超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。

2-4-8、DDRCH_C/DVoltage（内存通道C/D电压）

调整内存A/B通道的电压，设置值有Auto，1.050-2.445V，默认是Auto。

超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。

2-4-9、DDRCH_ACAVrefVoltage—CH_DCAVrefVoltage（DDRA-D通道参考电压）

这里是4个内存通道的控制通道的参考电压，设置项有Auto和电压0.435V—1.150V的选项，默认是Auto。

这个电压也可以说是内存的PLL电压，一般设置为内存电压（SSTL）的一半为宜。

保持默认值就可以。

2-4-10、DDRCH_ADQVrefVoltage—CH_DDQVrefVoltage（DDRA-D通道参考电压）

这里是4个内存通道的数据通道电压，设置项有Auto和电压0.435V—1.150V的选项，默认是Auto。

这个电压也可以说是内存的PLL电压，一般设置为内存电压（SSTL）的一半为宜。

保持默认值就可以。

2-4-11、PCH1.1Voltage（X79芯片1.1电压）

这是X79芯片的1.1电压，设置项是Auto，0.9V—1.9V，默认是Auto。

调整PCH芯片电压要小心。

建议不要超过1.3V。

一般保持默认就可以，不需要更改。

2-4-11、PCH1.5Voltage（X79芯片1.5V电压）

这是X79芯片的1.5电压，设置项是Auto，1.2V—1.9V，默认是Auto。

调整PCH芯片电压要小心。

建议不要超过1.6V。

一般保持默认就可以，不需要更改。

2-5、性能辅助设置。

2-5-1、OverclockingProfiles（超频预置文件）

这是把超频的BIOS设置保存为一个预置文件，可以随时加载。

可以保存6个预置文件。

保存时需要键入文件名，以后可以加载（Load），也可以删除（Clear）。

比如保存预置文件1，在OverclockingProfile1回车，提示SetNameforOverclockingProfile1，在此输入文件名。

然后点击SaveOverclockingProfile1即可。

LoadOverclockingProfile1（加载超频预置文件1）

ClearOverclockingProfile1（清除超频预置文件1）

2-5-2、CPUSpecifications（CPU规格）

这是显示CPU的规格

CPU支持的技术

2-5-3、MEMORY-Z（内存SPD信息）

先列出安装内存的4个内存槽，然后可以看每个槽内存的信息。

内存规格信息

支持XMP的内存，还有XMP规格信息。

2-5-4、CPUFeatures（CPU特征）

这是CPU的一些特征设置。

这些CPU功能特征也可以设置。

2-5-4-1、Hyper-threading（超线程）

开启/关闭超线程技术，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是Enabled（开启）。

注意当CPU本身支持超线程，才会出现这个选项。

2-5-4-2、ActiveProcessorCore（活动的处理器核心）

设置启用的核心，对于多核CPU来说，客户可以设置使用的核心。

比如6个核心，可以设置使用3个核心。

设置项有：

All/2/3/4/5/6….。

要处理器正常工作，最低有一个核心工作，所以设置项里没有1。

2-5-4-3、LimitCPUIDMaximum（最大CPUID限制）

开启/关闭CPUID最大限制，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是Disabled（关闭）。

CPUID就是CPU的信息，包括了CPU的型号，信息处理器家庭，高速缓存尺寸，时钟速度，制造厂，晶体管数，针脚类型，尺寸等信息。

CPUID指令是IntelIA32架构下获得CPU信息的汇编指令，如果执行CPUID指令返回的值大于3，可能会造成某些操作系统（比如NT4.0，）误动作，所以要限制返回的值大于3。

Windows操作系统不受返回值的影响，使用Windows的用户就要关闭这项。

只有哪些受返回值影响的OS才需要开启。

2-5-4-4、ExecuteDisabledBit（扩展禁止位）

开启/关闭扩展禁止位，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是开启。

ExecuteDisableBit是Intel在新一代处理器中引入的一项功能，开启该功能后，可以防止病毒、蠕虫、木马等程序利用溢出、无限扩大等手法去破坏系统内存并取得系统的控制权。

其工作原理是：

处理器在内存中划分出几块区域，部分区域可执行应用程序代码，而另一些区域则不允许。

当然，要实现处理器的“ExecuteDisableBit”功能，还需要操作系统的配合才行。

现在Windows系统、Linux9.2及RedHatEnterpriseLinux3Update3等均支持这一功能。

2-5-4-5、IntelVirtualizationTech（英特尔虚拟机技术）

开启/关闭虚拟机，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是Disabled（关闭）。

虚拟机就是在安装了Windows系统的PC机上，再设置一台共用此PC硬件的系统。

这个系统就是虚拟机，虚拟机可以使一台PC同时使用2种不同的操作系统。

2-5-4-6、Intel（R）VT-DTech（英特尔VT-D技术）

开启/关闭VT-D技术，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是Disabled（关闭）。

VT-D技术就是I/O虚拟分配技术。

英特尔VT-d是英特尔虚拟化技术硬件架构的最新成员。

VT-d能够改进应用的兼容性和可靠性，并提供更高水平的可管理性、安全性、隔离性和I/O性能，从而帮助VMM更好地利用硬件。

通过使用构建在英特尔芯片组内部的VT-d硬件辅助，VMM能够获得更出色的性能、可用性、可靠性、安全性和可信度。

2-5-4-7、PowerTechnology（电源技术）

电源技术就是节能技术，设置项有关闭（Disable）/能效（EnergyEfficient）/自选（Custom），默认是自选（Custom）。

当默认的自选时，可以自己设置下面2个选项。

当设置为关闭（Disable）/能效（EnergyEfficient），这2个选项就不能设置了。

2-5-4-8、C1ESupport（C1E支持）

开启/关闭C1E支持，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是Disabled（关闭）。

C1E的全称是C1Eenhancedhaltstat，由操作系统HLT命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。

2-5-4-9、OverSpeedProtection（过速保护）

开启/关闭过速保护，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是Enabled（开启）。

过速保护就是超频过度，可能影响CPU寿命。

开启这个保护，就会防止超频过度，如果过度就不能开机。

2-5-4-10、IntelC-State（英特尔C-状态）

开启/关闭C-State，设置项有Disabled（关闭）/Enabled（开启），默认是Enabled（开启）。

C-State是ACPI定义的处理器的电源状态。

处理器电源状态被设计为C0,C1,C2,C3...Cn。

C0电源状态是活跃状态，即CPU执行指令。

C1到Cn都是处理器睡眠状态，即和C0状态相比，处理器消耗更少的能源并且释放更少的热量。

但在这睡眠状态下，处理器都有一个恢复到C0的唤醒时间，不同的C-State要耗费不同的唤醒时间。

C-State与C1E的区别：

C-State是ACPI控制的休眠机制，C1E是HLT指令控制的降低CPU频率节能。

C1E是