最新场效应管测量方法.docx

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最新场效应管测量方法

【最新】场效应管测量方法

下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）,我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管.下图为MOS管的标识我们主板中常用的MOS管GDS三个引脚是固定的。

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不管是N沟道还是P沟道都一样。

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把芯片放正。

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从左到右分别为G极D极S极!

如下图:

用二极管档对MOS管的测量。

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首先要短接三只引脚对管子进行放电。

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1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1.3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...4然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.（这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先）5然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1到此我们可以判定此N沟道场管为正常有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。

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当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值...测量方法描述到此结束.... 场效应管测量方法绝缘栅型场效应管（MOSFET）除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。

其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便。

不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多。

 一、基本类型MOS管测试MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。

　　　　图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管（InternalDiode）。

与图1稍有不同，图2所示NMOS管的G-S之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件”保护二极管”，由于保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。

因此，这两种管子的测量方法基本类似，具体测试步骤如下：

　1．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。

而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。

选择指针万用表的R_1kΩ挡，轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。

当指针出现较大幅度偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极D，剩余第3脚则为栅极G，如图3所示。

　2．短接G、D、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。

图2所示MOS管的G-s极间接有双向保护二极管，可跳过这一步。

　3．万用表电阻挡切换到的R_10kΩ挡（内置9V电池）后调零。

将黑笔接漏极D、红笔接源极S，经过上一步的短接放电后，UGS降为0V，MOS管尚未导通，其D-S间电阻RDS为∞，故指针不会发生偏转，如图4所示。

　　　4．有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能好坏作出准确的判断：

第一种方法：

①用手指碰触G-D极，此时指针向右发生偏转，如图3所示。

手指松开后，指针略微有些摆动。

②用手指捏住G-S极，形成放电通道，此时指针缓慢回转至电阻∞的位置，如图6所示。

　　　图2所示MOS管的G-S间接有保护二极管，手指撤离G-D极后即使不去接触G-S极，指针也将自动回到电阻∞的位置。

值得注意的是，测试过程中手指不要接触与测试步骤不相关的管脚，包括与漏极D相连的散热片，避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造成误判。

第二种方法：

①用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结电容进行充电，此时可以忽略万用表指针的轻微偏转，如图7所示。

 ③交换黑笔与红笔的位置，万用表所指示的电阻值基本不变，说明此时MOS管的D-S极已经导通。

当前万用表所指示的电阻值近似为D-S极导通电阻RDS（on）。

因测试条件所限，这里得到的RDS（on）值往往比手册中给出的典型值偏大。

对于图2所示的。

MOS管，因G-S间保护二极管的存在，万用表指针在接近零刻度位置后，将自动回复到电阻∞位置。

5．放大能力（跨导）的估测判断NMOS管跨导性能时，选择万用表的R_10kΩ电阻挡，此时表内电压较高。

对于垂直沟道的VMOS管（如2SJ353），用R_1kΩ挡即可完成所有的测试功能。

将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，相当于在D-S之间加上一个9V的电压。

此时栅极开路，当用手指或镊子接触栅极G并停顿几秒时，指针会缓慢地偏转到满刻度的1／3～1／2处。

指针偏转角度越大，MOS管的跨导值越高。

如果被测管的跨导很小，用此法测试时指针偏转幅度很小。

二、特殊小功率MOS管的测试图1所示MOS管在目前使用较广，典型器件如NMOS型的IRF740、IRF830、PMOS型的IRF9630等。

图2所示的MOS管以NMOS型居多，2SKl548、FS3KMl6A为这类MOS器件的典型代表。

此外，还有一类比较特殊的MOS管，这类MOS管的栅极G在并联保护二极管的同时还集成有一只电阻，结构如图9所示。

　　　图9所示的MOS管在小功率器件中采用较多，如常见的2SK1825。

这类NMOS管与前述两种MOS管的测试方法区别较大，正确的测试步骤如下：

1．切换到万用表的R_1kΩ挡，将黑笔与某只引脚相接，红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量，若两次测试过程中指针均出现较大幅度的偏转，则与黑笔相连的管脚即为源极S。

这主要是由于MOS管内部集成有两只保护二极管的缘故。

2．为了区分漏极D与栅极G，接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识别程序进行测试：

①假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接，红笔则接假设的栅极G；②用手指捏住假设的栅极G与漏极D，观察指针的偏转情况。

若指针偏转幅度较大，则与黑笔相接的管脚即为漏极D，与红笔相接的则为栅极，测试原理如图10所示。

三、型号不明的MOS管的测量PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似，在测量过程中应注意将表笔的顺序颠倒。

但是，对于型号不明的MOS管，通过检测单向导电性往往只能判断出其中哪一只管脚为栅极，而不能直接识别管子的极性和D、S极。

对此，合理的测试方法如下：

1、万用表取R_1kΩ挡，在观察到单向导电性之后，交换两只表笔的位置；2、将万用表切换至R_10kΩ挡，保持黑笔不动，将红笔移到栅极G停留几秒后再回到原位，若指针出现满偏，则该元件为PMOS管，且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为漏极D；3、若第2步指针没有发生大幅度偏转，则保持红笔位置不变，将黑笔移到栅极G停留几秒后回到原位，若指针满偏则管子类型为NMOS，黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接为源极S。

MOS管的种类较多，测试方法也不尽相同，实际工作中需要在充分掌握上述测试原则的基础上灵活地选择合适的测试方法。

场效应管好坏的测量  场效应管检测方法 一、用指针式万用表对场效应管进行

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：

将万用表拨在R_1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：

首先将万用表置于Ｒ_１０或Ｒ_100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ_１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：

用万用表电阻的R_100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。

这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。

根据上述方法，我们用万用表的R_100档，测结型场效应管3DJ2F。

先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

 运用这种方法时要说明几点：

首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。

这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。

但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。

第二，此方法对MOS场效应管也适用。

但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。

第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。

这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。

 （4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。

用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。

当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。

 （5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。

此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。

将万用表的欧姆档选在R_10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。

当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。

 二、.场效应管的使用注意事项 

（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。

如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。

 （3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。

尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。

 （4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。

以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

 （5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。

 对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。

因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。

 总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。

三.VMOS场效应管 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。

它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。

它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108OS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。

因此，VMOS管的并联得到广泛应用。

众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。

VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:

第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。

由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。

电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。

由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。

下面介绍检测VMOS管的方法。

1．判定栅极G将万用表拨至R_1k档分别测量三个管脚之间的电阻。

若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R_1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

例如用500型万用表R_1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2OS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。

对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。

例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Superte_公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30OS管时必须加合适的散热器后。

以VNF306为例，该管子加装140_140_4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30Hz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。

　　D在路电压检测判断法　　在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。

2大功率晶体三极管的检测　　利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。

但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。

PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。

所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R_1k挡测量，必然测得的电阻值很小，好像极间短路一样，所以通常使用R_10或R_1挡检测大功率三极管。

3普通达林顿管的检测　　用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。

因为达林顿管的E－B极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的R_10K挡进行测量。

4大功率达林顿管的检测　　检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。

但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。

具体可按下述几个步骤进行：

A用万用表R_10K挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。

正、反向电阻值应有较大差异。

B在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。

用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是（R1＋R2）电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。

但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是（R1＋R2）之和，而是（R1＋R2）与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

5带阻尼行输出三极管的检测　　      将万用表置于R_1挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。

具体测试原理，方法及步骤如下：

　　A将红表笔接E，黑表笔接B，此时相当于测量大功率管B－E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅有20～50，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接B，黑表笔接E，则测得的是大功率管B－E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小。

　　B将红表笔接C，黑表笔接B，此时相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接B，黑表笔接C，则相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。

C将红表笔接E，黑表笔接C，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大，约300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接C，黑表笔接E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值一般都较小，约几欧至几十欧。

 国产三极管用颜色表示放大倍数时，一般颜色与放大倍数对应关系如下:

 颜色棕红橙黄绿兰紫hFE7-1515-2525-4040-5555-8080-120用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R_10kΩ挡（内置有9V或15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R_1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R_100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：

JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。

反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。

注意事项：

（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。

但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。

（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。

三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。

现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：

C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。

具体方法如下：

将万用表拨在R_100或R_1K档上。

红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。

2.判别发射极和集电极由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。

在判别出管型和基极b后，可用下列方法来判别集电极和发射极。

   将万用表拨在R_1K档上。

用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可将手指湿润一下，将红表笔接在与基