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开关电源变压器设计要点

开关电源变压器设计(草稿)

开关变压器是将DC电压﹐通过自激励震荡或者IC它激励间歇震荡形成高频方波﹐通过变压器耦合到次级,整流后达到各种所需DC电压﹒

变压器在电路中电磁感应的耦合作用﹐达到初﹒次级绝缘隔离﹐输出实现各种高频电压﹒

目的﹕减小变压器体积﹐降低成本﹐使设备小形化﹐节约能源﹐提高稳压精度﹒N

工频变压器与高频变压器的比较﹕

工频高频

E=4.4fNAeBmf=50HZE=4.0fNAeBmf=50KHZNAeBm

效率﹕η=60-80%(P2/P2+Pm+PC)η>90%((P2/P2+Pm)

功率因素﹕Cosψ=0.6-0.7(系统100W供电142W)Cosψ>0.90(系统100W供电111W)

稳压精度﹕ΔU%=1%(U20-U2/U20*100)ΔU<0.2%

适配.控制性能﹕差好

体积.重量大小

SPS開關電源方框圖

 

分立元件

IC

(典形電路)

开关变压器主要工作方式

一.隔离方式:

有隔离;非隔离(TV&TVM11)

二.激励方式:

自激励;它激励(F+&IC)

三.反馈方式:

自反馈;它反馈(F-&IC)

四.控制方式:

PWM:

PFM(T&TON)

五.常用电路形式:

FLYBACK&FORWARD

非隔离:

P-S共用地﹐俗稱熱底板

有隔离:

P-S不共用地

一.隔离方式:

S2

S1

P=300V

220V*√2-VD

F-

取樣

分立元件震蕩

P=300V

S1=120V

S1=110V

S2=57V

F+

激勵

S3=16V

分立元件

自激勵﹕用變壓器F+自激勵震蕩

它激勵﹕用集成IC它激勵間歇震蕩

二.激励方式:

S1=85V

S1=120V

S1=120V

S2=12V

S1=40V

IC

P=40V

P=300V

S3=±12V

F+=5VV

S2=5V

控制電路

Vo

Vi

单端反激励(Flyback)

控制電路

Vo

Vi

Tr

单端正激励(Forward)

-

Tr

+

Tr:

TonIRLIRL

开关变压器主要设计参数

静态测试参数:

RDC.L.LK.LDC.TR.IR.HI-POT.IVO-P.Cp.Z.Q.…………..

动态测试参数:

Vi.Io.Vo.Ta.U.FDmax………….

材料选择参数

CORE:

P.Pc.ui.AL.Ae.Bs…….

WIRE:

Φ℃.ΦImax.HI-POT……..

BOBBIN:

UL94V--O.(PBT.PHENOLIC.NYLON)……….

TAPE:

℃.δh.HI-POT……..

制程设置要求

PN…(SOL.SPC).PN//PN.PN-PN.SN(SOL.SPC).Φn.Mtape:

δ&wTAPE:

δ&w.V℃……..

三.反馈方式:

它反饋﹕用集成IC接受輸出光電

耦合信號﹐調整Ton,達到輸出穩定﹒

自反饋﹕用變壓器F-同步于主輸出

調整理Ton,達到輸出穩定﹒

;它

S4=+12V

P=300V

分立元件

 

F+=8V

 

四.控制方式:

PWM:

PFM

T可變

T恒定

脉冲宽度调制脉冲频率调制

 

五.常用电路形式:

单端反激励FLYBACK单端正激励FORWARD

Rfz

 

开关变压器主要设计参数

静态测试参数:

RDC.L.LK.LDC.TR.IR.HI-POT.IVO-P.Cp.Z.Q.…………..

动态测试参数:

Vi.Io.Vo.Ta.U.FDmax………….

材料选择参数

CORE:

P.Pc.ui.AL.Ae.Bs…….

WIRE:

Φ℃.ΦImax.HI-POT……..

BOBBIN:

UL94V--O.(PBT.PHENOLIC.NYLON)……….

TAPE:

℃.δh.HI-POT……..

制程设置要求..

 

 

傳遞磁能區間增加

加GAP曲線Br下降﹐ΔB增加

傳遞能力增大﹒

 

Bs:

飽和磁通(束)密度Br:

殘留磁通(束)密度

Hs:

飽和磁場強度Hc:

保磁力(矯頑力)

Ui:

初始導磁率

 

单端反激励FLYBACK调节TON使能量守恒定1/2*LP*IPK2=1/2*LS*ISK2

ToffBmBr

開關變壓器應用磁滯回線描述

 

變壓器導通Ton和截止Toff的變化

 

單端反激勵(Flyback)

一.波形

Ton

變壓器能量守恒﹐就是利用Ton調整Vo﹒

Vi

Dmax=Ton/T

Toff

T=1/f

Ton=1/f*Dmax

Ip

CL放電電流

Ipk

 

Ir

ΦI

Φ磁通變化

Bm

Φr

单端反激励(Flyback)波形分为:

临界状态,非连续状态,连续状态(常用状态).

二.設計公式

Po=1/2LIpk2*f(η)Vimin=Ipk*Lp/Ton

Po/ViminIpk=2Po/DmaxVimin(Po=VoIo)

Vimin*Ton=Ipk*LpLp=Vimin*Dmax/Ipk*f

Np=Lp*Ipk/Ae*ΔBNp=ΔB*Ig/0.4π*Ipk

4

Ig=0.4πLpIpk2/Ae*ΔB2

Vo+VD=Vimin*(Dmax/1-Dmax)*Ns/Np

Ns=(VO+VD)*(1-Dmax)*Np/Vimin*Dmax

Core=g/w(f=20kHzREF)

Dmin=Dmax/(1-Dmax)K+DmaxK=Vimax/Vimin

 

单端反激励(Flyback)设计例题一

条件﹕

Vi=170V-270V﹐f=30KHZVo=5V,Io=20A,Dmax=0.45(设计取值)

设计﹕

1)Vimin=170*1.4--20=218V,Vimax=270*1.4-20=358V

Vimin=170*√2-(VD.ΔU)Vimax=270*√2-(VD.ΔU)Vimin=(ViACMIN)2-2Po(1/2fL-tc)

2)Ipk=2*5*20/218*0.45=2.04AηCIN

Ipk=2Po/DmaxVimin(Po=VoIo)Po=1/2LIpk2*f(η)

3)Lp=218*0.45/2.04*30000=1.6mH

Lp=Vimin*Dmax/Ipk*f

4)K=358/218=1.64

K=Vimax/Vimin

5)Dmin=0.45/(1-0.45)*1.64+0.45=0.332

Dmin=Dmax/(1-Dmax)K+Dmax

6)CORE查表100W选择EER42/15Ae=183mm2(1.83cm2)Bs=390mT(3900Gs)

Core=g/w(f=20kHzREF)

7)WIRE查表或SΦ=√I/3=√20/3=2.58mm选"铜箔"为佳.PΦ=√2.04/3=0.82,选0.60X2

r2*π(2.58/2)2*3.14=5.225选择19#,Φ=0.98*7(0.98/2)2*3.14*7=5.277(4Pin并绕)

8)Ig=(0.4*3.14*1.6*10-3*2.042/1.83*19502)*108=0.12cm

Ig=0.4πLpIpk2/Ae*ΔB2

9)Np=1950*0.12/0.4*3.14*2.04=91.32T.Np=(0.0016*2.04/1.83*1950)*108=91.46T

Np=ΔB*Ig/0.4π*IpkNp=Lp*Ipk/Ae*ΔB

10)Ns=(5+1)*(1-0.45)*91/218*0.45=3.06T11)P=1/2*1.6*2.042*30=96W

Ns=(VO+VD)*(1-Dmax)*Np/Vimin*DmaxP=1/2LI2*f

另一种AP法,計算參數查找麻煩

 

單端正激勵(Forward)

 

UCE

 

能量再生線圈和波形

一﹐波形

 

2UCE

 

二﹐設計公式﹕

 

单端正激励(FORWARD)设计例题一

已知条件﹕

输入电压﹒Vi=48V(36~60V),额定输出电压﹒电流﹒Vo=5.0V﹒Io=11A

额定输出功率55W.最大输出功率65W

f=470kHz(450~500kHz)δmax=0.42η=82

设计步骤:

选择PC50.3F3.N49等材质

选PC50.EPC25.Ae:

46.4mm2.Le:

59.2mm.BS:

3800GS

1):

Ipk=Ic=2POUT/Vinmin=2*65/36=3.6A

2):

Np=Vinmax*108/(4FBmax*Ae)取Bmax=2000G

=60*108/(4*450K*2000G*0.464)=4TS,调整为6TS

3):

Ns=Np*(Vo+VD)/(Vi*δmax)

=4*(5.5+1)/(36*0.42)=1.7TS调整为2TS

4):

反馈绕组.N=Np*(15+1)/(36*0.42)=6*16/(36*0.42)=6TS

5):

选择绕组线径Np:

Φ0.1*120C

Ns:

Φ0.1*200C

N:

Φ0.25

6):

由于为安全电压.故不须包MARGINTAPE.

单端正激励(FORWARD)设计例题二

已知条件﹕

输入电压﹒Vi=100V(85V~135V),

额定输出电压﹒电流﹒Vo=5.0V(4.5-5.5)﹒Io=20A

f=200kHzδmax=0.42

设计步骤:

选择PC40..TP4等材质

选TP4.EE28C.Ae:

87.4mm2.BS:

3800GS取Bmax=2000G

1):

T=1/fo=1/200K=5us

2):

Tonmax=T*Dmax=5*0.42=2.1us

3):

V2min=(Vo+VL+VF)*T/Tonmax=(5.5+0.2+0.5)*5/2.1=14.8V

4):

n=V2min/V1min=14.8/100=0.148

5):

N2=(V2min*Tonmax/Bs*Ae)*104=(14.8*2.1/2000*87.4)*104=1.83T︽2T

6):

N1=N2/n=2/0.148=13.5T︽14T

Tonmax=(Vo+VL+VF)*T/V2min=2.09Dmax=Tonmax/T=2.09/5=0.418︽0.42

 

优化设计举例

1)绕线空间设计:

变压器绕线空间设计得好﹐使其耦合传递最佳﹐发挥功率更佳﹐干扰更小﹐

(3)

(2)

P

S

(1)

要求电流较大﹐漏感较小﹒P&S均可采用分层绕法﹒

(1)

(3)

 

例一﹐ETD44AV音响主功率变压器

1-2Φ0﹒35X725T

1-2Φ0﹒21X10X225T

7-9Φ0﹒35X95T

7-9Φ0﹒35X95T

2-3Φ0﹒21X10X225T

2-3Φ0﹒35X725T

减小绕线高度﹐对理线较合理﹒

(1)

(3)

例二﹐EI22DVD辅助变压器

1-XΦ0﹒308T

1-2Φ0﹒2516T

6--8--------------------

6--8--------------------

6--9--------------------

6--9--------------------

X-2Φ0﹒308T

1-2Φ0﹒2516T

增强耦合性能﹐采用并联绕线﹐合理安排接线工艺﹐减小漏感﹒

(3)

(2)

例三﹐EER28DVD主功率变压器

3--4Φ0.4025T

17--15Φ0.40X24T

4--2Φ0.4025T

14--13----------------------

2--1Φ0.4025T

3--4Φ0.4025T

17--15Φ0.40X54T

4--2Φ0.4025T

14--13----------------------

2--1Φ0.4025T

加大耦合﹐减小漏感﹐提高负载能力﹒17--15Φ0.40X24T

2)絕緣空間設計

随着变压器的小形化﹐可以根据爬电距离来实现安全性能要求﹐设计产品的

目的﹐主要满足用户要求﹐符合安全性能规定﹒

1﹒干燥空气爬电耐压距离﹕经验距离为1mm/1000V﹒

2﹒TAPE(0﹒025/0﹒065)P-S三层规定﹕1层>4000V延伸变形后>1500V﹒

3﹒S线圈-S线圈之间爬电耐压距离﹕>1500V>1.5mm﹒

4﹒边缘胶带MARGINTAPE爬电耐压距离﹕边缘安胶W=3mm可根据Vi电压W1.5-2.mm﹒

5﹒采用TEX-E线解决耐压距离﹕三重绝缘线层>6000V延伸变形后耐压下降﹒

6﹒胶带绝缘层解决耐压距离﹕胶带村垫SOL一层SPC二层﹐反贴胶带等﹒

7﹒规格耐压条件(3.0KV/60’2mA)制程条件UL3.0KV*1.2倍/2’2mA﹒

8﹒层间耐压要求﹕层间耐压测试要求﹐与AN有关﹒

膠帶耐壓測試

空气爬電耐壓測試

0.065mm

鐵平板

4﹒0KV

鐵平板

 

CS2670

耐壓儀

 

常規安全距离

MARGINTAPE3mm

常規安全距离

MARGINTAPE6mm

 

wire-core

TUBE保護

woil-woil

爬電距离

woil-woil

TUBE保護

3)开关变压器的参数分析

一﹐漏感Lk﹕當開關管達到高速開關時﹐(截止)由于變壓器的Lk存在﹐開關管兩端就會產生浪涌電壓﹒整机中可以采用(電壓鉗位電路)來控制.

UL

L(dic/dt)

Uc

 

C(dUc/dt)

Ic

IL

 

二﹐分布電容Cp﹕當開關管(導通)由于開關寄生電容及變壓器Cp產生浪涌電流﹐流向開關產生很大噪聲﹒整机中可以采用(電流限制電路)來控制.

 

三﹐集膚效應﹕﹒線圈中流過高頻電流時在開關頻率較高﹐電流只在導線的表皮流過﹐稱為集膚效應﹐高速開關下磁力線引起渦流﹐抵消中心電流﹐導線形成空心導体﹒

穿透深度Δ=6﹒61/√f(mm)高頻>100KHZ,線經不超過穿透深度Δ的兩倍為好﹒

例﹒Δ=0﹒090﹒09*2=0﹒18選用0﹒10-0﹒17

 

1.关于集肤效应可选用多股线(满足b>aa=r2πb=r2π*xx=x股线)满足高频负载电流﹐降低变压器温升﹒

2.关于Lk与Cp是一对矛盾﹐一般要求变压器平衡Lk与Cp参数﹐Lk不要追求愈小愈好﹐Cp的增加会引起噪声的增加﹒

 

开关变压器GAP&LK

LEAKAGEFLUX

GAP儲蓄能量

B

B

1/2LI2=*/uo0.4π*AeIg

GAP

Φ1

MUTUALFLUX

Φ2

ΦC

SECONDARY

PRIMARY

B

儲能

體積

磁場

磁感

GAP氣隙長度

Ig=0.4πLI2/Ae*2

B

1﹒气隙GAP设计大小与所需要的传递能量有关﹐GAP大气隙长度增加也就是气隙体积增加﹐电感下降﹒GAP小容易引起电感饱和﹒

2﹒气隙GAP传递能量大小与使用的工作频率有关﹐高频时(>60KHZ)磁芯损耗加大﹒

3﹒LEAKAGE漏感﹕初级绕组P&S次级主绕组相邻紧密﹐耦合面积大﹐(P﹒S夹绕)漏感量小﹒S次级主绕组如果匝数少﹐疏绕或者增加匝数﹐也可减小漏感量﹒

 

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