9•由晶体三极管的输岀特性可知，它存在_截止区、_放大区和饱和区三个区域。
为了使晶体三极管在
放大器中正常工作，发射结须加正向电压，集电结须加—反向_电压。
10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结_，另一个叫做_发
射结_。
11•晶体三极管具有电流放大作用的条件是：
第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高，_集电一区
的面积大，_基_区尽可能地薄；第二（外部条件），使_发射_结正向偏置，—集电结反向偏置。
12.晶体三极管发射极电流2、基极电流lb和集电极电流|c之间的关系是_Ie=Ib+1C_。
其中|c/|b叫做—直流电流放大系数，用字母表示；Ae/Ab叫做交流电流放大系数，用字母卫表示。
13•晶体三极管的电流放大作用，是通过改变一基极一电流来控制_集电极_电流的，其实质是以—微小电
流控制_较大电流。
14•硅晶体三极管发射结的导通电压约为_0.7V，饱和电压降为_0.3V_,锗晶体三极管发射结的导通电
压约为0.3V,饱和电压降为_0.1V_。
15•当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加_正向—电压，集电结必定加正向或零电压。
16•当晶体三极管的队Uce—定时，基极与发射极间的电压Ube与基极电流lb间的关系曲线称为_输入特性曲线_；当基极电流lb一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人lc关系曲线称为—输岀特性曲线_。
17•晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性_相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交
流输入电阻，它是—Ube的增量—和］b的增量的比值。
18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将—较差_；而电流放大系数太大时，又会使晶体三
极管的性能_不稳定_。
19.按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极_、_共集极和_共基极三种基本放大电路。
20•晶体三极管的穿透电流lceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管_小得多所
以硅三极管的_热稳定性_比锗三极管好。
1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测岀正向电压为0.2V—时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.7V时，就认为此二极管为硅二极管。
2、NPN型晶体三极管的发射区是_N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P_型半导体。
3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。
若晶体
三极管的直流电流放大系数B=50便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为_0.12mA_。
4•共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极_和_发射极—组成，它不但具有电流—放大、_电压—放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。
5.晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制—漏极电流—的，
所以它的输入阻抗很高。
6•共发射极单管放大电路，输岀电压与输入电压相位差为_180°，这是放大器的重要特征，称为_放大器
的倒相作用_。
7•常用的耦合方式有_阻容耦合_、_变压器耦合和_直接耦合_三种形式。
晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用_阻容_耦合电路.
8•放大器的静态是指没有输入信号_时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用_估算—方法确定，
也可以用图解_方法确定。
表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有」b_、le_和—Uce_。
场效
应晶体管的静态工作点由_Ugs_、_ld_和_UDS_确定。
9.晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为_电压放大和_功率_放大两类。
10.为了使放大器输岀波形不失真，除需设置_适当的静态工作点夕卜，还需要采用_稳定工作点_的方法,
且输入信号幅度要适中。
11•在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生点设置太高将产生_饱和_失真。
_截止—失真；静态工作
Ic的_正_半周及Uce
12•在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使
13.晶体三极管工作在放大状态时Uce随lb而变化，如果lb增加，则Uce将—减小_；如果lb减小，则
Uce将_增大_。
因此，lb可以起调节电压作用。
14•在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Rb，则静态工作点沿着负载线—上移容易岀
现_饱和失真；若增大Rb,工作点沿着负载线—下移_，容易岀现_截止_失真。
15・如果晶体三极管放大器Ec增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线_
右移。
在晶体三极放大器中Rc减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变_陡。
16.对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻_大些，以减轻信号源的负担，输出电阻—小些，
以增大带动负载的能力。
17•由于电容C具有—隔直流通交流_的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管c、e极间总电压的_交流部分。
18•为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在VCCUces（或直流负载线的中点）。
2
19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。
管号
T1
T2
T3
管号
T1
T2
T3
管脚
①
0.7
6.2
3
由极
①
电位
②
0
6
10
电/极
名称
②
（V）
③
5
3
3.7
③
材料
类型
1.放大电路的输入电压Ui=10mV，输出电压U0=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增
益为40dB。
2.放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输岀
电阻越小，负载对输岀电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强_。
3
.共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输
出电阻小。
1•当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（C）。
A.饱和状态;B.放大状态；C.截止状态
2•当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C）A.截止状态;B.放大状态；C.饱和状态
3•当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（A）
A.放大状态；B.饱和状态；C.截止状态
4•晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（C）。
A.随基极电流的增加而增加；B.随基极电流的增加而减小，C.与基极电流变化无关，只决定于Uce
5•当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C）
A.反向；B.增大；C.中断
6.当温度升高时，半导体电阻将（
7.工作在放大状态的晶体管
8.晶体管电流由_B效应管Co
9.晶体管通过改变
种控制器件。
A.基极电流
B）oA.增大；b,减小；C.不变
流过发射结的是A电流，流过集电结的是B_电流。
A.扩散B.漂移形成，而场效应管的电流由_A_形成。
因此，晶体管电流受温度的影响比场
A.一种载流子B.两种载流子C.大
A—来控制C;而场效应管是通过改变
D.小
B控制D，是一
源电压C.集电极电流D.漏极电流
Ube=0V，Ubc=—5V，则可知管子工作于C.截止
11•根据国产半导体器件型号的命名方法可知，
B.栅-
10.某NPN型管电路中，测得
A.放大B.饱和
E.电压
（C
F.电流）状态。
A.NPN型低频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D•不能确定
3DG6为（B）o
B.NPN型高频小功率硅晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管
A.正弦小信号B.低频大信号
C.
低频小信号
D•高频小信号
13在绝对零度（OK）时，本征半导体中
B
载流子。
A
.有B.没有
C.
少数
D.
14在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能,
进入导带，产生
Do
A.负离子B.空穴
C.正离子
D.
电子-空穴对
15、
半导体中的载流子为
DoA.电子
B.空穴
C.正离子
D.
电子和空穴
16、
N型半导体中的多子是
AoA.
电子
B.空穴
C.正离子
D.
负离子
17、
P型半导体中的多子是
BoA.
电子
B.空穴
C.正离子
D.
负离子
18、
当PN结外加正向电压时，
扩散电流
A
漂移电流。
A.大于B.
小于
C.
等与
19、
当PN结外加反向电压时，
扩散电流
B
漂移电流。
A.大于B.
小于
C.
等于
uo和ui的相位_B。
A.同相B.
反相C.相差90度
20、
多数
12.输入（C）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则
D.不确定
21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则度D.不确定
22、既能放大电压，也能放大电流的是
uo和uii的相位_A_。
A.同相
B.反相C.相差90
A—组态放大电路。
A.共射B.共集uii的相位_AoA.
Uo和
23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则度D.不确定
可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。
A.
可以放大电流，但不能放大电压的是—B—组态放大电路。
C.共基
同相B.反相
D.不确定
C.相差90
24、
25、
26、
27、
28、
29、
30、
C.共基
共射B.共集C.共基组态。
共射B.共集
A.
D.不确定
D.不确定
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于
A.共射B.共集C.共基D.不确定
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是
A.共射B.共集C.共基D.不确定
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是
A.共射B.共集C.共基D.不确定
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输岀电阻最小的是
A.共射B.共集C.共基
三极管是__D_器件。
A.电压控制电压
1的是B
B组态。
C组态。
组态。
D.不确定
B.电流控制电压
3V，接入2kQ的负载后，测得输出电压为
B.1.0C.2.0D.4
C.
1.测量某放大电路负载开路时输出电压为
的输出电阻为（D）kQoA.0.5
2•为了获得反相电压放大，则应选用（A）放大电路。
A•共发射极B•共集
电压控制电流D.电流控制电流
1V，则该放大电路
电极C.共基极D•共栅极
3•为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（B）放大电路。
A•共发射极B•共集电极C.共基极D.共源极
4.放大电路如图T3.1所示，已知Rs=Rd，且电容器容量足够大，则该
放大电路两输出电压uoi与uo2之间的大小关系为（B）oA.uoi=uo2
B.uoi=—uo2C.uoi>uo2D.uoKuo2
图T3I
5.在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E）。
A.PNP型的基极；B.PNP型的
集电极；C.NPN型的基极；D.NPN型的发射极E.PNP型的发射极；F.NPN型的基极
6•在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（B）
A.晶体三极管将深度饱和；B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏
7•在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（A）。
A.晶体三极管将深度饱和；B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。
8•在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B）
A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真
9•在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A）
A.饱和失真；B.截止失真.C.不失真
10•晶体三极管低频小信号放大器能（A）oA•放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号
11•在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（B）A.偏高；B.偏低；C.适当
12•画放大器直流通道时，电容应视为（B）A.短路；B.开路；C.不变
13.在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为uo=（B）o
A.icRc；B.-Rcic;C.-IcRcD.IbRc
15•为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（A）o
A•发射结正偏，集电结正偏；B•发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏
16.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C）o
A.同相位B.相位差90qC.相位共为180o；D.不能确定
17•在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C）o
A.电阻的阻值尽可能小；B.提高输入信号的频率；C.加大电容以减小容抗；D•尽可能减小时间常数。
18.为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A）的方法。
A.减小IbB.减小RcC.提咼Ec的绝对值
19.为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使Rb电阻值（B）oA.增大B.减小；C.不变
20.如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（C）o
A.集电极电流减小；B.集电极电压Uce上升；C.集电极电流增大
21.在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（B）o
A.集电极电压Uce上升；B.集电极电压Uce下降；C.基极电流不变
22.在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数B（A）oA.增大；b,减小；C.不变
23.在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（B）A.增大；B.减小；C.不变
24.当交流放大器接上负载Rl后，其交流负载线的斜率（E）o
A.由Rl的大小决定；B.若Rc的大小不变，则交流负载线的斜率不变；C.因电容C具有隔直流作用，
所以斜率不变；D.由Rc和Rl的串联值决定；E.由Rl和Rc的并联值决定
====场效应管====
1.场效应管从结构上可分为两大类：
结型、绝缘栅型或MOS;根据导电沟道的不同又可分
为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两
种：
耗尽型、增强型_o由于场效应晶体管几乎不存在_栅流—，所以其输入直流电阻_很大_o
2.UGS（off）表示夹断电压，|DSS表示—饱和漏极—电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
3.增强型场效应管当其Ugs=0时不存在导电沟道。
JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时—存在_导电沟道，而增强型MOS管则_不存在_导电沟道。
4.MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大_o
5.场效应晶体管一般米用自偏压（或栅极偏压）一和—分压式（或分压式自偏压两种偏置电路o
25.场效应晶体管源极输岀器类似于（B）oA.共发射电路；B.共集电极电路；C.共基极电路
26.（D）具有不同的低频小信号电路模型
A.NPN型管和PNP型管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管
C.N沟道场效应管和P沟道场效应管D.晶体管和场效应管
27.当Ugs=0时，（B）管不可能工作在恒流区。
A.JFETB.增强型MOS管C.耗尽型MOS管D.NMOS管
28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B）。
A.N沟道JFETB.增强型PMOS管C.耗尽型NMOS管D.耗尽型PMOS管
29、场效应管是利用外加电压产生的_B_来控制漏极电流的大小的。
A.电流B.电场C.电压
30、场效应管是__C__器件。
A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流
31、结型场效应管利用栅源极间所加的__A—来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流
32、场效应管漏极电流由C的漂移运动形成。
A.少子
B.电子
C.多子
D.两种载流子
33、
P沟道结型场效应管的夹断电压Up为
A。
A.
正值
B.
负值
C.ugsD.零
34、
N沟道结型场效应管的夹断电压Up为
B。
A.
正值
B.
负值
C.零
35、
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压Up为
A
。
A.
正值
B.
负值
C.零
36.当场效应管的漏极直流电流Id从2mA变为4mA
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