模电期未自测练习填空选择题A.docx

1、模电期未自测练习填空选择题A模电自测练习-填空、选择题（A）= 二极管=*（填空题）*1 半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种 特性称为单向导电 性。PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止_。导通后，硅管的管压降约为 _0.7V_，锗管约为_0.2V_2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P型半导体，其多数载流子是 空穴 。3、PN结的正向接法是 P型区接电源的正_极，N型区接电源的负_极。P型半导体中的多数载流子是空 穴_

2、，少数载流子是 电子。N型半导体中的多数载流子是 _电子一、少数载流子是 _空穴_。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小。5整流电路是利用二极管的 单向导电_性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。8 硅稳压二极管的稳压电路是由 _限流电阻、_硅稳压二极管_ 与_负载电阻_组成。6发光二极管是一种通以 正向 电流就会发光 的二极管。7.光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。8半导体是一种导电能力介于 导体_与_绝缘体之间的物质。半导体按导电类型分为 _N_型半导体与_P型 半导体。N型半

3、导体主要靠_电子_来导电，P型半导体主要靠_空穴来导电。半导体中的空穴带 _正 电。9、 PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散运动，促进少数载流子的 漂移_运动。10.晶体二极管主要参数是 最大正向电流与最高反向电压 。11晶体二极管按所用的材料可分为 锗和硅一两类，按PN结的结构特点可分为一点接触型一和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为 检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管 等。12、 点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于_高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触 面积大，可用于大功率_的场合。13、 2AP系列晶体二极管是 _锗_材料做成的，其工作温

4、度较 低。2C P、2CZ系列晶体二极管是 _硅材 料做成的，其工作温度较 _高_。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子2.杂质半导体中少数载流子的浓度 _C本征半导体中载流子浓度。 A.大于 B.等于 C.小于3.室温附近，当温度升高时，杂质半导体中_C_ 浓度明显增加。A.载流子 B.多数载流子 C.少数载流子4杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （C ）。A 温度B掺杂工艺 C掺杂浓度D 晶格缺陷5 PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。A 价电子 B 自由电子 C空穴 D 杂质离子6.硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A，反向饱和电流比锗二极管 B。 A.大 B.小 C.

5、相等7.B，反向电流A_。温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压A.增大 B.减小 C.不变8.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而 （B ）。 A .减小 B .基本不变C .增大9流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 （C ）。 A 增大 B.基本不变 C.减小10.变容二极管在电路中主要用作 （D ）。 A.整流 B .稳压 C .发光 D .可变电容器11.当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （A ）。A.多数载流子；B.少数载流子；C.既有多数载流子又有少数载流子12如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（ C ）。A.正常;B.已被击穿

6、；C.内部断路13如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（ B ）A.正常；B.已被击穿；C.内部断路14晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）oA.反偏，B.正偏，C.零偏15当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ A）o A.增大； B.减小； C.不变16在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（ B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关= = 三极管 =1.晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2种载流子参与导电。硅管以_NPN居多，锗管以_PNP_型居多。2晶体管具有电流放大作用的外部条件是

7、发射结 正偏，集电结 反偏_。3晶体管的输岀特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大、 饱和、截止_。4当温度升高时，晶体管的参数B 增大Icbo增大，导通电压Ube_减小一。5.某晶体管工作在放大区，如果基极电流从 10叭变化到20小时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数B约为99 。6.某晶体管的极限参数 lcM=20mA、PcM=100mW、U（br）ceo=30V，因此，当工作电压 Uce=10V时，工作 电流lc不得超过 10 mA ;当工作电压 Uce=1V时，lc不得超过 20 mA;当工作电流Ic=2 mA时，Uce 不得超过30 V。7晶体三极管三个电极分

8、别称为 发射极、基极和集电一极，它们分别用字母 E、_b_和_C_表示。8.当晶体管工作在放大区时， 各极电位关系为： NPN管的uCuBuE, PNP管的uj v_ uB_v_ uE；工作在饱和区时ic_ uo2 D . uoK uo2图T3 I5.在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（ E ）。A.PNP型的基极；B.PNP型的集电极；C.NPN型的基极；D . N PN型的发射极 E . PNP型的发射极；F. NPN型的基极6在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（ B ）A.晶体三极管将深度饱和； B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正

9、偏7在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（ A ）。A.晶体三极管将深度饱和；B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。8在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（ B ）A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真9在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（ A ）A.饱和失真；B.截止失真.C.不失真10晶体三极管低频小信号放大器能（ A ）oA 放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号11在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（ B ） A.偏高；B.偏低；C.适当12画放大器直流通道

10、时，电容应视为（ B ） A.短路；B.开路；C.不变13 .在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为 uo= （ B ） oA. icRc； B. - Rcic; C. -IcRc D. IbRc15为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（ A ）oA 发射结正偏，集电结正偏； B 发时结正偏，集电结反偏； C.发射结正偏，集电结零偏16.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（ C ）oA .同相位 B.相位差90q C.相位共为18 0o； D .不能确定17在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（ C ）oA.电阻的阻值尽可能小；

11、B.提高输入信号的频率；C.加大电容以减小容抗；D 尽可能减小时间常数。18. 为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（ A ）的方法。A.减小Ib B.减小R c C.提咼Ec的绝对值19. 为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使 Rb电阻值（B ）o A.增大B.减小；C.不变20.如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（ C ）oA.集电极电流减小；B.集电极电压Uce上升；C.集电极电流增大21. 在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（ B ）oA.集电极电压Uce上升；B.集电极电压Uce下降； C.基极电流不

12、变22.在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数 B （ A ） o A.增大；b,减小； C.不变23.在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（ B ） A.增大；B.减小；C.不变24.当交流放大器接上负载R l后，其交流负载线的斜率（E ） oA.由R l的大小决定；B.若Rc的大小不变，则交流负载线的斜率不变； C.因电容C具有隔直流作用，所以斜率不变； D .由R c和Rl的串联值决定； E.由Rl和Rc的并联值决定= = 场效应管 =1.场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 绝缘栅型 或MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道 两类；对于MOSFET，根

13、据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型 、增强型_ o由于场效应晶体管几乎不存在 _栅流，所以其输入直流电阻 _很大_o2. UGS（off）表示 夹断 电压，|DSS表示饱和漏极电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。3.增强型场效应管当其 Ugs=0时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在_导 电沟道，而增强型 MOS管则_不存在_导电沟道。4.MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的 大_o5 .场效应晶体管一般米用 自偏压（或栅极偏压）一和分压式（或分压式 自偏压 两种偏置电路o25. 场效应晶体管源极输岀器类似于（ B ）o A.共发射电路；B.共

14、集电极电路；C.共基极电路26.（ D ）具有不同的低频小信号电路模型A . NPN型管和PNP型管 B .增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D.晶体管和场效应管27 .当Ugs=0时，（B ）管不可能工作在恒流区。A . JFET B .增强型 MOS管 C .耗尽型 MOS管 D . NMOS管28、 下列场效应管中，无原始导电沟道的为 （B ）。A . N沟道JFET B .增强型PMOS管 C .耗尽型NMOS管 D .耗尽型PMOS管29、 场效应管是利用外加电压产生的 _B_来控制漏极电流的大小的。A.电流 B.电场 C.电压30、 场效应管是_C_器件。A.电压控制电压 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电流控制电流31、 结型场效应管利用栅源极间所加的 _A来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流32、场效应管漏极电流由 C 的漂移运动形成。A.少子B.电子C.多子D.两种载流子33、P沟道结型场效应管的夹断电压 Up为A 。A.正值B.负值C.ugs D.零34、N沟道结型场效应管的夹断电压 Up为B 。A.正值B.负值C.零35、P沟道耗尽型 MOS管的夹断电压 Up为A。A.正值B.负值C.零36.当场效应管的漏极直流电流 Id从2mA变为4mA