硅片行业术语大全中英文对照 AH.docx

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硅片行业术语大全中英文对照AH

硅片行业术语大全（中英文对照A-H）

[align=center][size=5][color=red][b]硅片行业术语大全（中英文对照A-H）[/b][/color][/size][/align]

Acceptor-Anelement,suchasboron,indium,andgalliumusedtocreateafreeholeinasemiconductor.Theacceptoratomsarerequiredtohaveonelessvalenceelectronthanthesemiconductor.

受主-  一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。

受主原子必须比半导体元素少一价电子

AlignmentPrecision-Displacementofpatternsthatoccursduringthephotolithographyprocess.

套准精度-在光刻工艺中转移图形的精度。

Anisotropic-Aprocessofetchingthathasverylittleornoundercutting

各向异性-在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.

沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。

由沾污、手印和水滴产生的污染。

Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.

椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。

Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.（Note:

Thistermisnotpreferred;instead,use‘backsurface’.）

背面-晶圆片的底部表面。

（注：

不推荐该术语，建议使用“背部表面”）

BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.

底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.

双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whichactsasaninsulatinglayer.

绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.

绑定面-两个晶圆片结合的接触区。

BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.

埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。

BuriedOxideLayer（BOX）-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.

氧化埋层（BOX）-在两个晶圆片间的绝缘层。

Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.

载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

Chemical-MechanicalPolish（CMP）-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.

化学-机械抛光（CMP）-平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。

此工艺在前道工艺中使用。

ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.

卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.

解理面-破裂面

Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.

裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。

Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually.

微坑-在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

Conductivity（electrical）-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.

传导性（电学方面）-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。

ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-type”.

导电类型-晶圆片中载流子的类型，N型和P型。

Contaminant,Particulate（seelightpointdefect）

污染微粒（参见光点缺陷）

ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffectthecharacteristicsofasiliconwafer.

沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。

ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.

沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。

CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuit’selectricalperformance.

晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

CrystalIndices（seeMillerindices）

晶体指数（参见米勒指数）

DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.

耗尽层-晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.

表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“N-Type”.

施主-可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。

Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thusalteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthePeriodicTableoftheElements.

搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。

晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III和V族元素中发现。

Doping-Theprocessofthedonationofanelectronorholetotheconductionprocessbyadopant.

掺杂-把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。

EdgeChipandIndent-Anedgeimperfectionthatisgreaterthan0.25mm.

芯片边缘和缩进-晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。

EdgeExclusionArea-Thearealocatedbetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.（Thisvariesaccordingtothedimensionsofthewafer.）

边缘排除区域-位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。

（根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。

）

EdgeExclusion,Nominal（EE）-Thedistancebetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.

名义上边缘排除（EE）-质量保证区和晶圆片外围之间的距离。

EdgeProfile-Theedgesoftwobondedwafersthathavebeenshapedeitherchemicallyormechanically.

边缘轮廓-通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。

Etch-Aprocessofchemicalreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessmaterials.

蚀刻-通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。

FixedQualityArea（FQA）-Theareathatismostcentralonawafersurface.

质量保证区（FQA）-晶圆片表面中央的大部分。

Flat-Asectionoftheperimeterofawaferthathasbeenremovedforwaferorientationpurposes.

平边-晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。

FlatDiameter-Themeasurementfromthecenteroftheflatthroughthecenterofthewafertotheoppositeedgeofthewafer.（Perpendiculartotheflat）

平口直径-由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。

Four-PointProbe-Testequipmentusedtotestresistivityofwafers.

四探针-测量半导体晶片表面电阻的设备。

FurnaceandThermalProcesses-Equipmentwithatemperaturegaugeusedforprocessingwafers.Aconstanttemperatureisrequiredfortheprocess.

炉管和热处理-温度测量的工艺设备，具有恒定的处理温度。

FrontSide-Thetopsideofasiliconwafer.（Thistermisnotpreferred;usefrontsurfaceinstead.）

正面-晶圆片的顶部表面（此术语不推荐，建议使用“前部表面”）。

Goniometer-Aninstrumentusedinmeasuringangles.

角度计-用来测量角度的设备。

Gradient,Resistivity（notpreferred;seeresistivityvariation）

电阻梯度（不推荐使用，参见“电阻变化”）

Groove-Ascratchthatwasnotcompletelypolishedout.

凹槽-没有被完全清除的擦伤。

HandScribeMark-Amarkingthatishandscratchedontothebacksurfaceofawaferforidentificationpurposes.

手工印记-为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。

Haze-Amassconcentrationofsurfaceimperfections,oftengivingahazyappearancetothewafer.

雾度-晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状。

Hole-Similartoapositivecharge,thisiscausedbytheabsenceofavalenceelectron.

空穴-和正电荷类似，是由缺少价电子引起的。

1主题内容与适用范围　　本标准规定了太阳能热利用中一部分关于天文与辐射的术语。

　　本标准适用于太阳能热利用中对太阳辐射的研究与测量。

2引用标准　　GB3102.6　光及有关电磁辐射的量和单位　　GB4270　热工图形符号与文字代号3天文3.1天球　celestialsphere　　为研究天体的位置和运动而辅设的一个半径为无限长的假想球体。

其中心按需要可设在观测点、地心、日心或银心等。

天体的位置即指沿天球中心至该天体方向在球面上的投影。

3.2天轴　celestialaxis　　天球的自转轴。

它通过天球中心并平行于地球自转轴。

3.3天极　celestialpole　　天轴与天球相交的两个交点的统称。

3.4北天极　celestialnorthpole　　北半天球上的天极。

3.5南天极　celestialsouthpole　　南半天球上的天极。

3.6天顶　zenith　　观测点铅垂线向上延长与天球相交的交点。

3.7天底　nadir　　观测点铅垂线向下延长与天球相交的交点。

3.8天赤道　celestialequator　　通过天球中心并垂直于天轴的平面与天球相交的大圆。

3.9天球子午圈　celestialmeridian　　天球上通过天顶和天极的大圆。

　　同义词　天球子午线3.10时圈　hourcircle　　天球上通过两天极的任一大圆。

　　同义词　赤经圈　rightascensioncircle3.11地平面　horizontalplane　　地球表面观测点以铅垂线为法线的切平面。

3.12地平圈　horizontalcircle　　通过天球中心并垂直于天顶-天底连线的平面与天球相交的大圆。

　　同义词　地平线　horizon3.13地平经圈　verticalcircle　　天球上通过天顶和天底的任一大圆。

3.14角距离　angulardistance　　天球大圆上任意两点所对应的圆心角。

3.15天球坐标系　celestialcoordinatesystem　　为确定天体在天球上的投影位置和运动而引入的球面坐标系。

根据所选择的基本圆和辅助圆以及　　原点的不同，可区分为不同的天球坐标系。

　　注：

天文测量中提到的“天体”或“太阳”均指其在天球上的投影。

3.16地平坐标系　horizontalcoordinatesystem　　以高度角和方位角为坐标所组成的天球坐标系。

3.17高度角　altitude　　从地平圈沿某天体所在地平经圈量至该天体的角距离。

以地平圈为零，向上为正，向下为负。

单位为度（°）。

　　同义词地平纬度3.18太阳高度角（h）　solaraltitude　　日面中心的高度角，即从观测点地平线沿太阳所在地平线圈量至日面中心的角距离。

3.19方位角　azimuth　　从天球子午圈沿地平圈量至某天体所在地平线圈的角距离。

以南点为零点，向西为正，向东为负。

单位为度（°）。

　　同义词　地平经度3.20太阳方位角（ψ）　solarazimuth　　日面中心的方位角，即从观测点天球子午圈沿地平圈量至太阳所在地平经圈的角距离。

3.21天顶距　zenithdistance　　从观测点天顶沿某天体所在地平线圈量至该天体的角距离。

以观测点天顶为零点，单位为度（°）。

　　该角度与高度角互补。

　　同义词　天顶角　zenithangle3.22赤道坐标系　equatorialcoordinatesystem　　以赤纬和赤经（或时角）为坐标所组成的天球坐标系。

3.23赤纬　declination　　赤道坐标系中，天赤道与某天体沿所在时圈量度的角距离。

以天赤道为零，向北为正，向南为负。

　　单位为度（°）。

3.24太阳赤纬（δ）　solardeclination　　日面中心的赤纬，即从天赤道沿太阳所在时圈量至日面中心的角距离。

春（秋）分时为0°，一年之内在±23°27′之间变化。

3.25时角　hourangle　　从天球子午圈沿天赤道量至某天体所在时圈的角距离。

以天球子午圈为零，向西为正向东为负。

　　单位既可为时（h），也可为度（°）。

时间与角度的换算关系为：

1h=15°　　时间与角度的换算关系为每小时相当于15°。

3.26太阳时角（ω）　solarhourangle　　日面中心的时角，即从观测点天球子午圈沿天赤道量至太阳所在时圈的角距离。

3.27太阳行程图　sun-pathdiagram　　以高度角和方位角为坐标表示某地点不同日期从日出至日没太阳运行轨迹的一种图示。

3.28近日点　perihelion　　地球在公转轨道上距太阳最近的一点，约为1.47×108km。

时值元月初。

3.29远日点　aphelion　　地球在公转轨道上距太阳最远的一点，约为1.52×108km。

时值七月初。

3.30日地平均距离　meanEarth-Sundistance　　地球在公转轨道上距太阳距离的周年平均值，约为1.496×108km。

　　同义词天文单位　astronomicalunit3.31日面　solardisk；sun＇sdisk　　在地表观测到的太阳光亮圆形外观，平均视角直径为31′59.3″。

3.32日出　sunrise　　太阳上升时，日面上边缘与地平圈相切的时刻。

3.33日没　sunset　　太阳下落时，日面上边缘与地平圈相切的时刻。

3.34中天　culmination　　天体经过观测点天球子午圈的统称。

3.35上中天　upperculmination　　天体距天顶较近的一次中天。

3.36下中天　lowerculmination　　天体距天底较近的一次中天。

3.37太阳正午　solarnoon　　日面中心上中天的时刻。

　　同义词视正午3.38真太阳日　apparentsolarday　　日面中心连续两次上中天所经历的时间。

　　同义词视太阳日3.39真太阳时　apparentsolartime　　由日面中心的时角量度的计时系统。

　　同义词视〔太阳〕时3.40平太阳　meansun　　以太阳周年运行的平均速度沿天赤道作等速运动的假想天体。

3.41平正午　meannoon　　平太阳上中天的时刻。

3.42平太阳日　meansolarday　　平太阳连续两次下中天所经历的时间。

3.43平〔太阳〕时　meansolartime　　由平太阳的时角量度的计时系统。

以平正午减12h为零时。

3.44时差　equationoftime　　真太阳时与平太阳时之差。

3.45时区　timezone　　自本初子午线起，将地球上每隔15°的24条经线作为其东西两侧各7.5°经度范围内的中央子午线所形成的24个区域。

东、西两半球各12个时区，每相邻时区时间相差1h。

　　注：

时区划分中实际上还参考了行政区域的界限。

3.46区时　zonetime　　一时区内中央子午线的平太阳时。

　　注：

我国通用的北京时系东八时区中央子午线（东经120°）的平太阳时。

3.47世界时（UT）　universaltime　　本初子午线的平太阳时。

即零时区的区时。

　　注：

世界时与北京时相差8h。

　　同义词格林尼治平时（GMT）　Greenwichmeantime4辐射4.1辐射　radiation　　能量以电磁波或粒子形式的发射或传播。

　　注：

在“辐射”一词之前冠以各种说明词时，除具有上述定义之外，在某些学科领域习惯上还具有　　辐射量（辐照度或辐照量）的含义。

4.2辐〔射〕能（Q）　radiantenergy　　以辐射形式发射、传播或接收的能量。

单位为焦〔耳〕（J）。

4.3辐〔射能〕通量（Φ）　radiantflux　　以辐射形式发射、传播或接收的功率。

单位为瓦（特）（W）。