硅片行业术语大全中英文对照 AH.docx

1、硅片行业术语大全中英文对照 AH硅片行业术语大全(中英文对照 A-H)align=centersize=5color=redb硅片行业术语大全(中英文对照 A-H)/b/color/size/alignAcceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.受主 -一

2、种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process.套准精度 - 在光刻工艺中转移图形的精度。Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting各向异性 - 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。Area Contamination - Any foreign particles

3、or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.沾污区域 - 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的污染。Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the

4、ellipse.椭圆方位角 - 测量入射面和主晶轴之间的角度。Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use back surface.)背面 - 晶圆片的底部表面。（注：不推荐该术语，建议使用“背部表面”）Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insulator layer, which supports the silicon film on

5、top of the wafer.底部硅层 - 在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.双极晶体管 - 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insulating layer.绑定晶圆片 - 两个晶圆片通过二氧化硅层结合到

6、一起，作为绝缘层。Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs.绑定面 - 两个晶圆片结合的接触区。Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic.埋层 - 为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates b

7、etween the two wafers.氧化埋层(BOX) - 在两个晶圆片间的绝缘层。Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer.载流子 - 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both ch

8、emical removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process.化学-机械抛光(CMP) - 平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。此工艺在前道工艺中使用。Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand.卡盘痕迹 - 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。Cleavage Plane

9、 - A fracture plane that is preferred.解理面 - 破裂面Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length.裂纹 - 长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.微坑 - 在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。Conductivity

10、 (electrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow throughout a material.传导性（电学方面） - 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标 。Conductivity Type - The type of charge carriers in a wafer, such as “N-type” and “P-type”.导电类型 - 晶圆片中载流子的类型，N型和P型。Contaminant, Particulate (see light point defect)污染微粒 （参见光点缺陷）

11、Contamination Area - An area that contains particles that can negatively affect the characteristics of a silicon wafer.沾污区域 - 部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。Contamination Particulate - Particles found on the surface of a silicon wafer.沾污颗粒 - 晶圆片表面上的颗粒。Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacanc

12、ies and dislocations that can have an impact on a circuits electrical performance.晶体缺陷 - 部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。Crystal Indices (see Miller indices)晶体指数 （参见米勒指数）Depletion Layer - A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers.耗尽层 - 晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。Dimple - A

13、concave depression found on the surface of a wafer that is visible to the eye under the correct lighting conditions.表面起伏 - 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。Donor - A contaminate that has donated extra “free” electrons, thus making a wafer “N-Type”.施主 - 可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。Dopant - An element that contrib

14、utes an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity. Dopants for silicon wafers are found in Groups III and V of the Periodic Table of the Elements.搀杂剂 - 可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。晶圆片搀杂 剂可以在元素周期表的III 和 V族元素中发现。Doping - The process of the donation of an electron o

15、r hole to the conduction process by a dopant.掺杂 - 把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。Edge Chip and Indent - An edge imperfection that is greater than 0.25 mm.芯片边缘和缩进 - 晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。Edge Exclusion Area - The area located between the fixed quality area and the periphery of a wafer. (This varies accordin

16、g to the dimensions of the wafer.)边缘排除区域 - 位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。（根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。）Edge Exclusion, Nominal (EE) - The distance between the fixed quality area and the periphery of a wafer.名义上边缘排除(EE) - 质量保证区和晶圆片外围之间的距离。Edge Profile - The edges of two bonded wafers that have been shaped either chemically

17、 or mechanically.边缘轮廓 - 通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。Etch - A process of chemical reactions or physical removal to rid the wafer of excess materials.蚀刻 - 通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。Fixed Quality Area (FQA) - The area that is most central on a wafer surface.质量保证区(FQA) - 晶圆片表面中央的大部分。Flat - A section of the perime

18、ter of a wafer that has been removed for wafer orientation purposes.平边 - 晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。Flat Diameter - The measurement from the center of the flat through the center of the wafer to the opposite edge of the wafer. (Perpendicular to the flat)平口直径 - 由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。Four-Point Probe -

19、 Test equipment used to test resistivity of wafers.四探针 - 测量半导体晶片表面电阻的设备。Furnace and Thermal Processes - Equipment with a temperature gauge used for processing wafers. A constant temperature is required for the process.炉管和热处理 - 温度测量的工艺设备，具有恒定的处理温度。Front Side - The top side of a silicon wafer. (This t

20、erm is not preferred; use front surface instead.)正面 - 晶圆片的顶部表面（此术语不推荐，建议使用“前部表面”）。Goniometer - An instrument used in measuring angles.角度计 - 用来测量角度的设备。Gradient, Resistivity (not preferred; see resistivity variation)电阻梯度 （不推荐使用，参见“电阻变化”）Groove - A scratch that was not completely polished out.凹槽 - 没有被完

21、全清除的擦伤。Hand Scribe Mark - A marking that is hand scratched onto the back surface of a wafer for identification purposes.手工印记 - 为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer.雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状。Hole - Similar to a posi

22、tive charge, this is caused by the absence of a valence electron.空穴 - 和正电荷类似，是由缺少价电子引起的。1 主题内容与适用范围本标准规定了太阳能热利用中一部分关于天文与辐射的术语。 本标准适用于太阳能热利用中对太阳辐射的研究与测量。 2 引用标准GB 3102.6光及有关电磁辐射的量和单位 GB 4270热工图形符号与文字代号 3 天文3.1 天球celestial sphere 为研究天体的位置和运动而辅设的一个半径为无限长的假想球体。其中心按需要可设在观测点、地心、日心或银心等。天体的位置即指沿天球中心至该天体方向在球

23、面上的投影。 3.2 天轴celestial axis 天球的自转轴。它通过天球中心并平行于地球自转轴。 3.3 天极celestial pole 天轴与天球相交的两个交点的统称。 3.4 北天极celestial north pole 北半天球上的天极。 3.5 南天极celestial south pole 南半天球上的天极。 3.6 天顶zenith 观测点铅垂线向上延长与天球相交的交点。 3.7 天底nadir 观测点铅垂线向下延长与天球相交的交点。 3.8 天赤道celestial equator 通过天球中心并垂直于天轴的平面与天球相交的大圆。 3.9 天球子午圈celestial

24、 meridian 天球上通过天顶和天极的大圆。 同义词天球子午线 3.10 时圈hour circle 天球上通过两天极的任一大圆。 同义词赤经圈right ascension circle 3.11 地平面horizontal plane 地球表面观测点以铅垂线为法线的切平面。 3.12 地平圈horizontal circle 通过天球中心并垂直于天顶-天底连线的平面与天球相交的大圆。 同义词地平线horizon 3.13 地平经圈vertical circle 天球上通过天顶和天底的任一大圆。 3.14 角距离angular distance 天球大圆上任意两点所对应的圆心角。 3.1

25、5 天球坐标系celestial coordinate system 为确定天体在天球上的投影位置和运动而引入的球面坐标系。根据所选择的基本圆和辅助圆以及原点的不同，可区分为不同的天球坐标系。 注：天文测量中提到的“天体”或“太阳”均指其在天球上的投影。 3.16 地平坐标系horizontal coordinate system 以高度角和方位角为坐标所组成的天球坐标系。 3.17 高度角altitude 从地平圈沿某天体所在地平经圈量至该天体的角距离。以地平圈为零，向上为正，向下为负。单位为度（）。 同义词 地平纬度 3.18 太阳高度角（h）solar altitude 日面中心的高度角

26、，即从观测点地平线沿太阳所在地平线圈量至日面中心的角距离。 3.19 方位角azimuth 从天球子午圈沿地平圈量至某天体所在地平线圈的角距离。以南点为零点，向西为正，向东为负。单位为度（）。 同义词地平经度 3.20 太阳方位角（）solar azimuth 日面中心的方位角，即从观测点天球子午圈沿地平圈量至太阳所在地平经圈的角距离。 3.21 天顶距zenith distance 从观测点天顶沿某天体所在地平线圈量至该天体的角距离。以观测点天顶为零点，单位为度（）。 该角度与高度角互补。 同义词天顶角zenith angle 3.22 赤道坐标系equatorial coordinate

27、system 以赤纬和赤经（或时角）为坐标所组成的天球坐标系。 3.23 赤纬declination 赤道坐标系中，天赤道与某天体沿所在时圈量度的角距离。以天赤道为零，向北为正，向南为负。 单位为度（）。 3.24 太阳赤纬（）solar declination 日面中心的赤纬，即从天赤道沿太阳所在时圈量至日面中心的角距离。春（秋）分时为0，一年之内在2327之间变化。 3.25 时角hour angle 从天球子午圈沿天赤道量至某天体所在时圈的角距离。以天球子午圈为零，向西为正向东为负。 单位既可为时（h），也可为度（）。时间与角度的换算关系为： 1h=15 时间与角度的换算关系为每小时相当

28、于15。 3.26 太阳时角（）solar hour angle 日面中心的时角，即从观测点天球子午圈沿天赤道量至太阳所在时圈的角距离。 3.27 太阳行程图sun-path diagram 以高度角和方位角为坐标表示某地点不同日期从日出至日没太阳运行轨迹的一种图示。 3.28 近日点perihelion 地球在公转轨道上距太阳最近的一点，约为1.47108km。时值元月初。 3.29 远日点aphelion 地球在公转轨道上距太阳最远的一点，约为1.52108km。时值七月初。 3.30 日地平均距离mean Earth-Sun distance 地球在公转轨道上距太阳距离的周年平均值，约为

29、1.496108km。 同义词 天文单位astronomical unit 3.31 日面solar disk；suns disk 在地表观测到的太阳光亮圆形外观，平均视角直径为3159.3。 3.32 日出sunrise 太阳上升时，日面上边缘与地平圈相切的时刻。 3.33 日没sunset 太阳下落时，日面上边缘与地平圈相切的时刻。 3.34 中天culmination 天体经过观测点天球子午圈的统称。 3.35 上中天upper culmination 天体距天顶较近的一次中天。 3.36 下中天lower culmination 天体距天底较近的一次中天。 3.37 太阳正午solar

30、 noon 日面中心上中天的时刻。 同义词 视正午 3.38 真太阳日apparent solar day 日面中心连续两次上中天所经历的时间。 同义词 视太阳日 3.39 真太阳时apparent solar time 由日面中心的时角量度的计时系统。 同义词 视太阳时 3.40 平太阳mean sun 以太阳周年运行的平均速度沿天赤道作等速运动的假想天体。 3.41 平正午mean noon 平太阳上中天的时刻。 3.42 平太阳日mean solar day 平太阳连续两次下中天所经历的时间。 3.43 平太阳时mean solar time 由平太阳的时角量度的计时系统。以平正午减12

31、h为零时。 3.44 时差equation of time 真太阳时与平太阳时之差。 3.45 时区time zone 自本初子午线起，将地球上每隔15的24条经线作为其东西两侧各7.5 经度范围内的中央子午线所形成的24个区域。东、西两半球各12个时区，每相邻时区时间相差1h。 注：时区划分中实际上还参考了行政区域的界限。 3.46 区时zone time 一时区内中央子午线的平太阳时。 注：我国通用的北京时系东八时区中央子午线（东经120）的平太阳时。 3.47 世界时（UT）universal time 本初子午线的平太阳时。即零时区的区时。 注：世界时与北京时相差8h。 同义词 格林尼治平时（GMT）Greenwich mean time 4 辐射4.1 辐射radiation 能量以电磁波或粒子形式的发射或传播。 注：在“辐射”一词之前冠以各种说明词时，除具有上述定义之外，在某些学科领域习惯上还具有辐射量（辐照度或辐照量）的含义。 4.2 辐射能（Q）radiant energy 以辐射形式发射、传播或接收的能量。单位为焦耳（J）。 4.3 辐射能通量（）radiant flux 以辐射形式发射、传播或接收的功率。单位为瓦（特）（W）。