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电子灭蝇器课程设计

一使用器件的介绍

1.1单向可控硅

单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。

单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

1.1.1单向可控硅工作原理

可控硅导通条件:

一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。

另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。

可控硅关断条件:

降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小维持电流以下。

1.1.2单向可控硅的引脚区分

对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅,可用万用表R×100或R×1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

1.1.3单向可控硅的性能检测

可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是:

用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。

电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。

1.2双基极二极管

单结晶体管(简称UJT)又称双基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。

在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。

其结构、符号和等效电路如图1-1所示。

图1-1单结晶体管

1.2.1单结晶体管的特性

从图1-1可以看出,两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻:

rbb=rb1+rb2

式中:

rb1----第一基极与发射结之间的电阻,其数值随发射极电流ie而变化,rb2为第二基极与发射结之间的电阻,其数值与ie无关;发射结是PN结,与二极管等效。

若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb,则A点电压为:

VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb

式中:

η----称为分压比,其值一般在0.3---0.85之间,假如发射极电压VE由零逐渐增加,就可测得单结晶体管的伏安特性,见图1-2

图1-2单结晶体管的伏安特性

(1)当Ve<ηVbb时,发射结处于反向偏置,管子截止,发射极只有很小的漏电流Iceo。

(2)当Ve≥ηVbb+VDVD为二极管正向压降(约为0.7伏),PN结正向导通,Ie显著增加,rb1阻值迅速减小,Ve相应下降,这种电压随电流增加反而下降的特性,称为负阻特性。

管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点,与其对就的发射极电压和电流,分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。

Ip是正向漏电流,它是使单结晶体管导通所需的最小电流,显然Vp=ηVbb

(3)随着发射极电流Ie不断上升,Ve不断下降,降到V点后,Ve不在降了,这点V称为谷点,与其对应的发射极电压和电流,称为谷点电压,Vv和谷点电流Iv。

(4)过了V点后,发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态,所以uc继承增加时,Ie便缓慢地上升,显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压,如果Ve<Vv,管子重新截止。

1.2.2单结晶体管的主要参数

(1)基极间电阻Rbb:

发射极开路时,基极b1、b2之间的电阻,一般为2--10千欧,其数值随温度上升而增大。

(2)分压比η:

由管子内部结构决定的常数,一般为0.3--0.85。

(3)eb1间反向电压Vcb1:

b2开路,在额定反向电压Vcb2下,基极b1与发射极e之间的反向耐压。

(4)反向电流Ieo:

b1开路,在额定反向电压Vcb2下,eb2间的反向电流。

(5)发射极饱和压降Veo:

在最大发射极额定电流时,eb1间的压降。

(6)峰点电流Ip:

单结晶体管刚开始导通时,发射极电压为峰点电压时的发射极电流。

1.3隔离变压器

隔离是指变压器原副边绕线圈之间是电绝缘的。

变压器的隔离是隔离原副边绕线圈各自的电流。

隔离有很多种,对于低压常见的变压器主要是金属绕线圈外面敷上绝缘漆,然后原副边绕线圈绕在一闸铁心上组成一个变压器。

这种变压器的绕线圈使用的导线很多人就叫其“漆包线”。

原因就是那层绝缘漆。

这时原副边就是靠那层漆绝缘的,即隔离。

隔离变压器有隔离分布式系统的作用,通常采用降压变压器以降低进线电压.任何用于控制器的隔离变压器必须有足够的功率以胜任其负载,功率额定值通常以伏安VA表示.

隔离变压器的原理和普通变压器的原理是一样的。

都是利用电磁感应原理。

隔离变压器一般是指1:

1的变压器。

由于次级不和地相连。

次级任一根线与地之间没有电位差。

使用安全。

常用作维修电源。

隔离变压器不全是1:

1变压器。

控制变压器和电子管设备的电源也是隔离变压器。

如电子管扩音机,电子管收音机和示波器和车床控制变压器等电源都是隔离变压器。

如为了安全维修彩电常用1比1的离变压器。

隔离变压器是使用比较多的,在空调中也是使用的。

隔离变压器是在使用某些电器时为了人身安全而加设的。

例如在维修彩色电视机时,因为有彩色电视机的电源部分和市电相连,若维修人员不注意碰到了这部分电路,隔离变压器就会引触电,危及人身安全。

其次,在维修一些家用电器时,也应该接上隔离变压器。

说明一点,隔离变压器是一个1:

1的变压器,也就是说,它的初级和次级的圈数和线径的粗细都是相等的,并不分初级和次级,哪边的绕组接入市电都是一样的。

须要注意的是,选用隔离变压器的原则是:

隔离变压器的功率一定要大于所维修的家电电器的功率。

1.4稳压电源的主要技术指标

能为负载提供稳定交流电源或直流电源的电子装置,包括交流稳压电源和直流稳压电源两大类。

交流稳压电源又称交流稳压器。

随着电子技术的发展,特别是电子计算机技术应用到各工业、科研领域后,各种电子设备都要求稳定的交流电源供电,电网直接供电已不能满足需要,交流稳压电源的出现解决了这一问题。

常用的交流稳压电源有:

①铁磁谐振式交流稳压器。

由饱和扼流圈与相应的电容器组成,具有恒压伏安特性。

②磁放大器式交流稳压器。

将磁放大器和自耦变压器串联而成,利用电子线路改变磁放大器的阻抗以稳定输出电压。

③滑动式交流稳压器。

通过改变变压器滑动接点位置稳定输出电压。

④感应式交流稳压器。

靠改变变压器次、初级电压的相位差,使输出交流电压稳定。

⑤晶闸管交流稳压器。

用晶闸管作功率调整元件。

稳定度高、反应快且无噪声。

但对通信设备和电子设备造成干扰。

20世纪80年代以后,又出现3种新型交流稳压电源:

补偿式交流稳压器。

数控式和步进式交流稳压器。

净化式交流稳压器。

具有良好隔离作用,可消除来自电网的尖峰干扰。

开关型交流稳压电源它应用于高频脉宽调制技术,与一般开关电源的区别是它的输出量必须是与输入侧同上频、同相的交流电压。

它的输出电压波型有准方波、梯型波、正弦波等,市场上的不间断电源(UPS)抽掉其中的蓄电源和充电器,就是一台开关型交流稳压电源的稳压性好,控制功能强,易于实现智能化,是非常具有前途的交流稳压电源。

 

二方案分析

2.1方案分析

通过对几种方案的对比分析,最后选定下面这种方案,具体分析如下:

(1)最大输出电流指稳压电源正常工作的情况下能输出的最大电流,用IOmax表示。

一般情况下的工作电流IO

(2)输出电压指稳压电源的输出电压,用UO表示

(3)输出电阻稳压电源的输出电阻RO用来表明负载电流IO变化时,引起输出电压UO变化的程度。

当输入电压不变时,由于负载电流变化DIO,而引起输出电压变化DUO,则显然,RO越小负载变化时对输出电压的影响就越小。

说明该稳压电源的性能越好

(4)电压调整率KV它表示负载电流和环境温度T保持不变,输入电压UI(220V)变化±10%时,输出电压的相对变化值。

(5)稳压系数SS是指负载电流和环境温度T保持不变时,输入电压Ui的相对变化引起输出电压的相对变化,显然,电压调整率越小表示该电源的性能越稳定,其值应是越小越好

2.2电路原理图

图2-1

该装置电路如图2-1所示。

整个装置直接由220V市电经整流后供电。

R3、R4、R5、C1和双基极二极管组成张驰振荡器,其输出脉冲信号用于控制可控硅的导通和关断。

不可控硅处于关断状态,市电经VD整流再经R6和L1的等效电阻向C3充电。

当VS被触发导通后,C3上的电荷经导通的可控硅和L1的等效电阻迅速放电。

当放电电流过零时,可控硅又自动关断。

如此反复循环,在变压器的次级L2就获得了高压脉冲电压,这一电压加在由许多等距离金属丝组成的电网上,电网下设有诱饵,苍蝇嗅到诱饵而来,着落时触及电网而被电死,死蝇从网距空间自动下落,达到自动灭蝇的效果。

2.3参数计算

当在ωt=α时刻开通晶闸管VT1,负载电流应满足如下微分方程式和初始条件:

解方程得:

式中,

;θ为晶闸管导通角。

利用边界条件:

,可求得:

负载电压有效值:

晶闸管电流有效值为:

 

负载电流有效值:

设晶闸管电流

的标么值为:

一定时,

越小,

越大,即

越大。

时,

不变,为最大值0.5。

故可求出晶闸管电流有效值

的最大值:

晶闸管的额定电流为:

晶闸管承受的最大反向电压为:

所以考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:

因此,依据以上参数选择晶闸管,比如,可以选用额定电压为800V,额定电流为200A的晶闸管。

2.4功能描述

R3的阻值在20-50K之间选择。

振荡电容C1最好选用钽电容,如选用普通铝电解电容,应保证漏电流足够小。

C2为滤波电容,在保证耐压的前提下,容量大些为好。

变压器用14吋黑白电视机行输出变压器的磁芯,初级用Φ=0.1mm的漆包线绕600匝,次级利用原高压包线圈。

绕好后变压器需经烘干浸漆处理。

  改变R3的电阻值,使振荡频率在10-20Hz范围内,此时可测得输出电压在4kV左右。

灭蝇盒的尺寸为320×225×70mm3。

在灭蝇盒顶部用14号铁丝制成高压电网。

相邻铁丝距离为7mm。

灭蝇盒前侧开一方孔,以便清除死蝇。

使用时应封死,严防苍蝇从该洞进出。

  为防止触及高压,灭蝇盒应安置在距地面几米高处,且应固定牢靠。

"R3、R4、R5、C1和双基极二极管组成张驰振荡器,其输出脉冲信号用于控制可控硅的导通和关断。

不可控硅处于关断状态,市电经VD整流再经R6和L1的等效电阻向C3充电。

当VS被触发导通后,C3上的电荷经导通的可控硅和L1的等效电阻迅速放电。

当放电电流过零时,可控硅又自动关断。

如此反复循环,在变压器的次级L2就获得了高压脉冲电压,这一电压加在由许多等距离金属丝组成的电网上,电网下设有诱饵,苍蝇嗅到诱饵而来,着落时触及电网而被电死,死蝇从网距空间自动下落,达到自动灭蝇的效果。

 

三系统仿真结果

图3-1

图3-2

图3-3

图3-4

 

四结论

这个设计是在充分介绍单向可控硅,双基极二极管,隔离变压器,稳压电源等电力电子器件后,对这些电子器件进行性能分析,充分利用了其性能特点设计电路。

R3、R4、R5、C1和双基极二极管组成张驰振荡器,其输出脉冲信号用于控制可控硅的导通和关断。

不可控硅处于关断状态,市电经VD整流再经R6和L1的等效电阻向C3充电。

当VS被触发导通后,C3上的电荷经导通的可控硅和L1的等效电阻迅速放电。

当放电电流过零时,可控硅又自动关断。

如此反复循环,在变压器的次级L2就获得了高压脉冲电压,这一电压加在由许多等距离金属丝组成的电网上,电网下设有诱饵,苍蝇嗅到诱饵而来,着落时触及电网而被电死。

改变R3的电阻值,使振荡频率在10-20Hz范围内,此时可测得输出电压在4kV左右。

灭蝇盒的尺寸为320×225×70mm3。

在灭蝇盒顶部用14号铁丝制成高压电网。

相邻铁丝距离为7mm。

灭蝇盒前侧开一方孔,以便清除死蝇。

使用时应封死,严防苍蝇从该洞进出。

 

五心得体会

在这次设计过程中我收集了大量资料,为这次设计做出了充分的准备。

通过这次设计我学到了很多很多的的东西,同时不仅可以巩固了以前所学过的知识,而且学到了很多在书本上所没有学到过的知识,并对所学课程进行了补充和扩展。

经过几天网上、图书馆查阅积累的大量资料,最终终于有了这个设计,通过这几天的电子技术课程设计,我有了以下几方面体会:

开始的时候很迷茫,不知道从那里下手,后来反复的看书本查知识。

在书本网络图书馆反复搜寻,开始渐渐的有了头绪,而且发现了很多其他的知识,在本次课程设计中也需要运用。

真正了解到知识的重要性。

也明白了,做任何事情,必须明白你在做什么,为什么做。

对题目的反复思考之后,一步一步着手去做,有条理,有思路,有计划的去做,才会取得成果。

作为一名大三的电力专业的学生,我认为做这样的课程设计是非常必要的,课程设计是培养学生综合运用所学知识,发现,提出,分析和解决实际问题,锻炼实践能力的重要环节,是对学生实际工作能力的具体训练和考察过程。

而且无论对我们的理论知识还是动手操作能力都是一个锻炼,对我们今后的发展是很有帮助的。

 

参考文献

[1]池之恒ProtelDXP电路原理图与电路板设计教程

[2]易培林电子技术与应用

[3]崔玮Protel99SE电路原理图与电路板设计教程

[4]华成英童诗白模拟电子技术基础第四版高等教育出版社

[5]王兆安刘进军电力电子技术第五版机械工业出版社

 

附录

元器件清单

编 号

名 称

型 号

数 量

R1

金属膜电阻

300K

1

R2

金属膜电阻

1K

1

R3

金属膜电阻

20-50K

1

R4

金属膜电阻

510Ω

1

R5

金属膜电阻

200Ω

1

C1

电解电容

100u/25V

1

C2

电解电容

5u/16V

1

C3

金属纸介电容

0.22u/400V

1

VD

整流二极管

IN4007

1

VS

单向可控硅

1A/400V

1

VT

双基极二极管

BT33

1

T

开关变压器

自制

1

 

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