集成电路制造工艺客观题复习含答案.docx
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集成电路制造工艺客观题复习含答案
集成电路制造工艺客观题复习含答案
化学汽相淀积的英文缩写是（）。
[单选题]
A.VPE
B.CVD（正确答案）
C.PVD
D.LASER
PVD是指（）。
[单选题]
A.物理汽相淀积（正确答案）
B.等离子体
C.汽相外延
D.二氧化硅
LPCVD的气压控制在（）范围。
[单选题]
A.10~100torr
B.1~100torr
C.0.01~1torr（正确答案）
D.0.001~1torr
低压化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]
A.APCVD
B.LPCVD（正确答案）
C.PECVD
D.LCVD
常压化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]
A.APCVD（正确答案）
B.LPCVD
C.PECVD
D.LCVD
等离子体增强化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]
A.APCVD
B.LPCVD
C.PEPVD（正确答案）
D.LCVD
激光诱导化学汽相淀积的缩略语是（）。
[单选题]
A.APCVD
B.LPCVD
C.PEPVD
D.LCVD（正确答案）
CVD的过程是（）。
[单选题]
A.排出-反应-扩散
B.转移-介吸-反应-扩散
C.输送-扩散-吸附-反应-介吸-转移-排出（正确答案）
D.反应-吸附-转移
VPE是指（）。
[单选题]
A.低压外延
B.离子注入
C.等离子体
D.汽相外延（正确答案）
物理汽相淀积的英文缩写是（）。
[单选题]
A.VPE
B.CVD
C.PVD（正确答案）
D.LASER
PVD是指（）。
[单选题]
A.物理汽相淀积（正确答案）
B.等离子体
C.汽相外延
D.二氧化硅
Ti.Ta.Al.Cu.Pt对应的物质分别是（）。
[单选题]
A.钛.钽.铜.铝.铂
B.钛.钽.铝.铜.铂（正确答案）
C.钛.钽.铝.铜.金
D.钛.钽.铝.铜.银
蒸镀的过程为（）。
[单选题]
A.蒸发—气相质量输运—淀积成膜（正确答案）
B.离化—气相质量输运—淀积成膜
C.蒸发—离化—淀积成膜
D.离化—挥发—淀积成膜
薄膜对应的英文是（）。
[单选题]
A.silicon
B.poly
C.substrate
D.film（正确答案）
蒸发和溅射对应的英文是（）。
[单选题]
A.sputtering-evaporation
B.evaporation-sputtering（正确答案）
C.oxidation-epitaxy
D.epitaxy-sputtering
低压化学气相淀积的英文缩写是（）。
[单选题]
APCVD
PECVD
LPCVD（正确答案）
HDPCVD
干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）。
[单选题]
形成所需的二氧化硅膜厚
获得致密的二氧化硅表面（正确答案）
提高二氧化硅和光刻胶的黏附性
改善二氧化硅和硅交界面的性能
在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度.导电类型.电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）。
[单选题]
外延（正确答案）
热氧化
PVD
CVD
用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。
[单选题]
反射
干涉（正确答案）
衍射
二氧化硅膜本身的
掺杂结束后，要对硅片进行质量检测，造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是（）。
[单选题]
A.离子束中混入电子
B.注入机未清洁干净（正确答案）
C.注入过程中晶圆的倾斜角度不合适
D.离子束电流检测不够精准
（）是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体材料中，改变材料电学性质，达到形成半导体器件的目的。
[单选题]
A.光刻
B.掺杂（正确答案）
C.刻蚀
D.金属化
如图所示，属于液态源扩散装置的是（）。
[单选题]
A.图1
B.图2
C.图3（正确答案）
D.图4
离子注入、退火、快速热退火的英文分别是（）。
[单选题]
A.anneal,ionimplantation,RTA
B.diffusion,anneal,RTA
C.ionimplantation,anneal,RTA（正确答案）
D.ionimplantation,anneal,CVD
注入能量和剂量分别控制了掺杂层的（）。
[单选题]
A.长度和宽度
B.电阻率和电导率
C.浓度和结深
D.结深和浓度（正确答案）
从安全上看，四氯化硅氢还原法.三氯氢硅氢还原法.硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为：
（）。
[单选题]
硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法＜三氯化硅氢还原法
四氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法
三氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法
硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法＜四氯化硅氢还原法（正确答案）
完善的精馏技术可将杂质总量降到（）量级。
[单选题]
10-2~10-5
10-5~10-7
10-7~10-10（正确答案）
10-17~10-20
二氧化硅和碳在（）摄氏度的环境下反应可生成粗硅。
[单选题]
100-200
500-700
700-900
1600-1800（正确答案）
用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时，通过（）可以得到高纯度的四氯化硅。
[单选题]
高温还原炉
精馏塔（正确答案）
多晶沉积设备
单晶炉
单晶炉的开机顺序正确的顺序是（）。
[单选题]
电源开关-加热器开关-坩埚开关-籽晶开关（正确答案）
电源开关-坩埚开关-加热器开关-籽晶开关
电源开关-籽晶开关-坩埚开关-加热器开关
籽晶开关-坩埚开关-加热器开关-电源开关
单晶炉中籽晶轴的作用（）。
[单选题]
保证炉内温度均匀分布及散热
带动籽晶上下移动和旋转（正确答案）
起支撑作用
提供一个原子重新排列标准
单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中热探针法可以测量单晶硅的（）参数。
[单选题]
电阻率
直径
少数载流子的寿命
导电类型（正确答案）
该图为单晶硅生长环节（）的示意图。
[单选题]
缩颈
引晶
放肩（正确答案）
等颈生长
晶向为<111>.8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度研磨出（）。
[单选题]
一个基准面
两个基准面且呈45度角
两个基准面且呈90度角
定位槽（正确答案）
8英寸的晶圆直径大小为：
（）。
[单选题]
125mm
150mm
200mm（正确答案）
300mm
对晶向为<111>,6英寸N型半导体材料来说，（）是作为放置第一步的光刻图形的掩膜版的依据。
[单选题]
主平面（正确答案）
次平面
两表平面均可
定位槽
单晶硅锭切片后需要进行倒角，其目的是（）。
[单选题]
确定定位面
产生精确的材料直径
去除硅顶两端的不符合直径要求的部分
去除硅片缘锋利的棱角（正确答案）
4英寸的单晶硅锭的切割方式为（）[单选题]
外围切割
内圆切割（正确答案）
线距切割
以上均可
光刻是将（）上的几何图形转移光刻胶上的工艺。
[单选题]
A.光刻胶
B.掩膜版（正确答案）
C.曝光机
D.晶圆
（）不是光刻光源。
[单选题]
A.紫外线
B.电子束
C.X射线
D.红外线（正确答案）
（）不是先进的光刻技术。
[单选题]
A.极紫外光刻
B.X射线光刻
C.电子束光刻
D.紫外线光刻（正确答案）
正胶的优点是（）。
[单选题]
A.有更高的光刻分辨率（正确答案）
B.具有较好的灵敏度
C.对硅片有良好的粘附性
D.对刻蚀有良好的阻挡性
光刻胶应放在（）中。
[单选题]
A.避光的容器（正确答案）
B.透明玻璃瓶
C.透明塑料瓶
D.坩埚
深紫外光刻采用（）谱线。
[单选题]
A.193nm和248nm（正确答案）
B.190nm和240nm
C.100nm和300nm
D.200nm和300mm
投影式曝光的优势是（）。
[单选题]
A.分辨率高
B.复印面积大
C.复印精度好
D.以上都是（正确答案）
（）不是光刻的曝光方式。
[单选题]
A.接触式
B.接近式
C.投射式（正确答案）
D.投影式
脱水烘烤是在（）的氛围中进行烘烤。
[单选题]
A.真空
B.干燥氮气
C.真空或干燥氮气（正确答案）
D.清洁的空气
请选择光刻工序的正确操作步骤（）。
[单选题]
A.预处理-涂胶-对准和曝光-软烘-显影-曝光后烘焙
B.涂胶-预处理-坚膜-对准和曝光-曝光后烘焙-显影-软烘-显影检查
C.预处理-涂胶-软烘-对准和曝光-显影-坚膜（正确答案）
D.预处理-涂胶-显影-对准和曝光-软烘-曝光后烘焙
在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。
[单选题]
A.薄膜制备
B.光刻（正确答案）
C.刻蚀
D.金属化
通常被用于深紫外光刻胶的准分子激光器的光源材料是（）。
[单选题]
A.KrF（正确答案）
B.F2
C.ArF
D.XeF
（）是芯片制造过程中在元器件表面上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以使形成互连线和集成电路填充塞的过程[单选题]
刻蚀
薄膜制备
填充
金属化（正确答案）
解决铝尖刺的方法有（）。
[单选题]
在合金化的铝中适当地添加铜
采用三层夹心结构
在合金化的铝中适当地添加硅（正确答案）
采用“竹节状”结构
利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）。
[单选题]
电阻加热蒸发
电子束蒸发
溅射（正确答案）
电镀
铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生（）。
[单选题]
空洞（正确答案）
尖刺
电迁移
肖特基现象
金属钨在集成电路中通常用于（）。
[单选题]
填充塞（正确答案）
金属连线
阻挡层
焊接层
湿法刻蚀中，（）的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。
[单选题]
A.硅
B.铝
C.二氧化硅（正确答案）
D.砷化镓
常用的干法去胶方法有（）。
[单选题]
A.溶剂去胶
B.氧化剂去胶
C.等离子去胶（正确答案）
D.介质去胶
反应离子刻蚀的过程简单来说是（）。
[单选题]
A.电离→解吸.排放→轰击→扩散.反应
B轰击→电离→扩散.反应→解吸.排放
C.电离→扩散.反应→轰击→解吸.排放
D.电离→轰击→扩散.反应→解吸.排放（正确答案）
通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数据的方法是（）。
[单选题]
A.发射光谱法（正确答案）
B.干涉测量法
C.质量分析法
D.椭圆偏振法
等离子的英文表达为（）。
[单选题]
A.etch
B.ion
C.plasma（正确答案）
D.wet
扩散是（）的一种方法。
[单选题]
A.光刻
B.刻蚀
C.掺杂（正确答案）
D.外延
扩散运动本质是（）。
[单选题]
A.粒子由高到低运动
B.改变导电类型或杂质浓度
C.改变电学性质
D.微观粒子做不规则热运动的统计结果（正确答案）
扩散运动的方向是（）。
[单选题]
A.低浓度向高浓度
B.高浓度向低浓度（正确答案）
C.随机的
D.没有固定方向
扩散运动形成的原因是（）。
[单选题]
A.浓度分布不均匀（正确答案）
B.温度变化
C.湿度变化
D.气氛变化
方块电阻的测量方法有（）。
[单选题]
A.两探针法
B.四探针法（正确答案）
C.扩展电阻法
D.欧姆表
用来描述扩散运动快慢的物理量是（）。
[单选题]
A.扩散流密度
B.扩散因子
C.扩散系数D（正确答案）
D.扩散分压
关于两步扩散法，第一步主要控制（）。
[单选题]
A.结深
B.杂质总量（正确答案）
C.杂质分布
D.杂质表面浓度
（）不是杂质在半导体中的扩散方式。
[单选题]
A.替位式
B.间隙式
C.替位-间隙式
D.跳跃式（正确答案）
（）不是用来测量结深的。
[单选题]
A.磨角染色法
B.扩展电阻法
C.阳极氧化剥离法
D.扩散剥离法（正确答案）
（）是使硅片上的局部区域达到平坦化。
[单选题]
A.平滑处理
B.部分平坦化
C.局部平坦化（正确答案）
D.全局平坦化
使用化学机械抛光进行粗抛时抛光区域温度一般控制在（）。
[单选题]
A.38-50℃（正确答案）
B.20-50℃
C.20-30℃
D.20-38℃
化学机械抛光中，抛光液的作用是（）。
[单选题]
A.与硅片表面材料反应，变成可溶物质或一些硬度过高的物质变化（正确答案）
B.向抛光垫施加压力
C.将反应生成物从硅片表面去除
D.清洗硅片
CMP湿实现（）的一种技术。
[单选题]
A.平滑处理
B.部分平坦化
C.局部平坦化
D.全局平坦化（正确答案）
SOI的意思是（）。
[单选题]
A.汽相外延
B.液相外延
C.分子束外延
D.绝缘层上（外延）硅（正确答案）
汽相外延的简称是（）。
[单选题]
A.VPE（正确答案）
B.SSD
C.GND
D.wuhu
关于外延层的质量要求以下说法正确的是（）。
[单选题]
A.对厚度没有要求
B.对掺杂的浓度没有要求
C.杂质分布满足要求（正确答案）
D.外延层中位错.层错.麻坑.雾状.缺陷.伤痕等都无所谓
SOS是在（）衬底上外延单晶硅。
[单选题]
A.蓝宝石（正确答案）
B.多晶硅
C.单晶硅
D.钻石
选择外延的简称是（）。
[单选题]
A.CBE
B.SEG（正确答案）
C.UHV
D.SPE
超高真空的简称是（）。
[单选题]
A.SHV
B.HHV
C.UHV（正确答案）
D.HLV
硅氧四面体由（）组成。
[单选题]
A.四个氧和一个硅（正确答案）
B.两个氧和两个硅
C.四个硅和一个氧
D.三个氧和一个硅
集成电路制造工艺中，制备二氧化硅的方法有（）。
[单选题]
A.化学汽相沉积
B.原子层沉积
C.热氧化
D.以上都是（正确答案）
二氧化硅可以用作扩散掩蔽膜的原因是（）。
[单选题]
A.杂质在二氧化硅中的扩散系数远小于其在硅中的扩散系数（正确答案）
B.杂质在二氧化硅中的扩散系数等于其在硅中的扩散系数
C.杂质硅中的扩散系数远小于其在二氧化硅中的扩散系数
D.杂质在二氧化硅中不扩散
热氧化法生长100个单位厚度的二氧化硅会消耗（）个单位厚度的硅？
[单选题]
A.44（正确答案）
B.56
C.54
D.46
（）可以很大程度降低氧化层钠离子的沾污。
[单选题]
A.高压氧化
B.水汽氧化
C.湿氧氧化
D.含氯氧化（正确答案）
氧化速率跟氧化温度之间的关系是什么？
（）。
[单选题]
A.温度越高，氧化速率越慢
B.温度越高，氧化速率越快（正确答案）
C.没有关系
D.温度越高越好
氧化层上表面的二氧化硅是（）生长的。
[单选题]
A.最后
B.最先（正确答案）
C.随机
D.中间
在半导体生产中，常常采用的氧化方式是“干-湿-干”氧化，湿氧氧化的作用是（）。
[单选题]
A.较短的时间得到较厚的薄膜（正确答案）
B.得到较好的表面
C.较好的二氧化硅特性
D.提高氧化膜的质量
界面陷阱电荷解决方法是（）。
[单选题]
A.干氧氧化（正确答案）
B.水汽氧化
C.高压氧化
D.掺氯氧化
热氧化生长200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚？
（）[单选题]
A.200
B.88（正确答案）
C.100
D.56
CVD可以淀积（）。
A.半导体（正确答案）
B.绝缘体（介质）（正确答案）
C.导体（正确答案）
D.二氧化硅（正确答案）
CVD的具体方法有（）。
A.APCVD（正确答案）
B.LPCVD（正确答案）
C.PECVD（正确答案）
D.LCVD（正确答案）
CVD的特点是（）。
A.薄膜成分可控（正确答案）
B.速度优于PVD（正确答案）
C.黏附性好（正确答案）
D.纯度高
PVD可以淀积（）。
A.半导体（正确答案）
B.绝缘体（介质）（正确答案）
C.导体（正确答案）
D.二氧化硅（正确答案）
PVD的种类有（）。
A.真空蒸镀（正确答案）
B.等离子体
C.溅射（正确答案）
D.二氧化硅
PCV的具体方法有（）。
A.电阻蒸镀（正确答案）
B.电子束蒸镀（正确答案）
C.激光蒸镀（正确答案）
D.LCVD
PVD的特点是（）。
A.工艺温度低（正确答案）
B.工艺原理简单（正确答案）
C.致密性高
D.台阶覆盖良好
PVD的主要用途（）。
A.制备金属类薄膜（正确答案）
B.制备金属电极（正确答案）
C.制备金属附着层（正确答案）
D.制备金属阻挡层（正确答案）
集成电路中所选金属化材料的特点有（）。
A.良好的导电性（正确答案）
B.与半导体有良好的接触性（正确答案）
C.良好的稳定性（正确答案）
D.良好的工艺兼容性（正确答案）
铝硅合金通常会出现哪些失效现象（）。
A.铝尖楔现象（正确答案）
B.结穿刺现象（正确答案）
C.电迁移现象（正确答案）
D.短路现象
为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：
（）。
衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖（正确答案）
用两步外延法（正确答案）
低压外延法（正确答案）
降低外延生长温度
属于氧化层表面缺陷的是（）。
白雾（正确答案）
针孔
斑点（正确答案）
层错
属于绝缘介质膜的是（）。
砷化镓
二氧化硅（正确答案）
氮化硅（正确答案）
多晶硅
掺杂的目的可能是（）。
A.形成PN结（正确答案）
B.改变材料的电阻率（正确答案）
C.改变材料的某些特性（正确答案）
D.形成一定的杂质分布（正确答案）
离子注入过程中，常用的退火方法有（）。
A.高温退火（正确答案）
B.快速热退火（正确答案）
C.氧化退火
D.电阻丝退火
抑制通道效应的方法有（）。
A.破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）（正确答案）
B.将晶圆倾斜一定的角度（正确答案）
C.表面铺一层非结晶材质SiO2（正确答案）
D.进行快速热退火
扩散掺杂的优点有（）。
A.设备简单（正确答案）
B.效率高（正确答案）
C.成本低（正确答案）
D.杂质纯度高
离子注入的有点有（）。
A.设备简单
B.不受固溶度限制（正确答案）
C.避免高温过程（正确答案）
D.杂质纯度高（正确答案）
离子注入后退火的目的是（）。
A.修复晶格损伤（正确答案）
B.激活杂质（正确答案）
C.提高硬度
D.提高稳定性
离子注入使用用来制作（）。
A.超浅结（正确答案）
B.源漏注入（正确答案）
C.深埋层（正确答案）
D.阈值电压调整（正确答案）
杂质离子注入衬底后阻挡机制有（）。
A.分子阻挡
B.离子阻挡
C.原子核阻挡（正确答案）
D.电子阻挡（正确答案）
离子注入设备主要由（）和聚焦阳极，偏束板，扫描器，靶室组成。
A.离子发生器（正确答案）
B.磁分析器（正确答案）
C.加速器（正确答案）
D.减速器
提高离子注入剂量的方法有（）。
A.提高电场强度
B.提高磁场强度
C.延长时间（正确答案）
D.提高速流（正确答案）
切片是抛光片制备中一道重要的工序，因为这一工序基本上决定了硅片的四个重要参数，即晶向、（）、（）、（）。
平行度（正确答案）
直径
翘度（正确答案）
厚度（正确答案）
单晶硅生长是将电子级纯的多晶硅华为单晶硅锭，要实现这一条件需满足三个条件：
（）、（）、（）。
原子具有一定的动能（正确答案）
要有一个排列标准（正确答案）
排列好的原子能稳定下来（正确答案）
不能含有任何杂质
工业上用二氧化硅和碳在高温下以一定的比例混合发生置换反应得到的单质硅纯度约为98%，主要含有（）、（）、（）、（）等杂质。
Fe（正确答案）
Al（正确答案）
B（正确答案）
Cu（正确答案）
直径大于8英寸的单晶硅锭可以用（）方法制备出来。
FZ法
CZ法（正确答案）
直拉法（正确答案）
悬浮区熔法
单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有（）、（）。
晶棱随细颈转为宽平（正确答案）
B.有反光或细颈某一侧向外鼓起（正确答案）
C.长出规定尺寸的细颈
界面出现抖动的光圈
倒角的目的是：
（）、（）、（）。
防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂（正确答案）
防止热应力产生的缺陷在边缘产生并阻止其向内部移动（正确答案）
增加晶圆边缘的平坦度（正确答案）
去除晶圆表面微量的损伤层
光刻工艺三要素为（）。
A.光刻机（正确答案）
B.光刻胶（正确答案）
C.掩膜版（正确答案）
D.涂胶机
光刻光源有（）。
A.汞灯（正确答案）
B.准分子激光（正确答案）
C.水银弧光灯（正确答案）
D.等离子体（正确答案）
光刻胶的主要成分有（）。
A.感光剂（正确答案）
B.溶剂（正确答案）
C.聚合物材料（正确答案）
D.胶水
EUV技术难点有（）。
A.所有设备均需工作在高真空环境下（正确答案）
靶材的使用寿命较低（正确答案）
C.难以找到合适的光刻胶（正确答案）
D.光源功率较低（正确答案）
电子束光刻的特点是（）。
A.分辨率高（正确答案）
B.速度快
C.效率低（正确答案）
D.受光波长限制
光刻胶的主要性能指标有（）。
A.灵敏度（正确答案）
B.分辨率（正确答案）
C.抗蚀性（正确答案）
D.黏附性（正确答案）
先进的光刻技术有（）。
A.EUV曝光（正确答案）
B.电子束光刻（正确答案）
C.X射线光刻（正确答案）
D.纳米压印技术（正确答案）
X射线有可能获得更高的分辨率是因为（）。
A.波长更短（正确答案）
B.波长更长
C.频率更高（正确答案）
D.频率更低
表征光刻胶的性能指标包括（）。
A.灵敏度（正确答案）
B.分辨率（正确答案）
C.黏附性（正确答案）
D.留膜率（正确答案）
金属薄膜制备中常见的蒸发方式有（）。
电阻丝加热蒸发（正确答案）
电子束蒸发（正确答案）
金属蒸发
离子束蒸发
解决铝的电迁移的方法有（）。
可做铝铜合金（正确答案）
采用三层夹心结构（正确答案）
在合金化的铝中适当地添加硅
采用“竹节状”结构（正确答案）
最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括（）。
A.氯氟酸（正确答案）
B.氟化铵（正确答案）
C.去离子水（正确答案）
D.磷酸
以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是（）。
A.湿法刻蚀
B.溅射刻蚀（正确
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