内存条的类型与识别.docx

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内存条的类型与识别

内存条的类型与识别2011-7-718:

50阅读（21）

内存经销商、内存类型

   内存类型指内存所采用的存储类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。

目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三种，其中DDRSDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。

RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。

SDRAM：

SDRAM，即SynchronousDRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。

既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。

SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。

与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。

同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。

SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。

SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

DDRSDRAM：

严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDRSDRAM，就认为是SDRAM。

DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。

DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

   与SDRAM相比：

DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL（DelayLockedLoop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号）技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。

DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。

但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。

DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

RDRAM：

RDRAM（RambusDRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。

与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。

在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。

而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。

RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。

但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。

同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。

普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。

另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。

一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

二、内存条的识别

   通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。

虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。

   下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒

   目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

   编码规则：

K4H280838B-TCB0　　

   主要含义：

   第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

　　第2位——芯片类型4，代表DRAM。

　　第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

　　第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

　　第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

　　第11位——连线“-”。

　　第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns（CL=3）；7C为7.5ns（CL=2）；80为8ns；10为10ns（66MHz）。

　　知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。

　　注：

“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：

一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

hynix（hyundai）现代

   现代内存的含义：

hy5dv641622at-36

   1、hy代表是现代的产品

   2、内存芯片类型：

（57=sdram，5d=ddrsdram）；

   3、工作电压：

空白=5v，v=3.3v,u=2.5v

   4、芯片容量和刷新速率：

16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref

   5、代表芯片输出的数据位宽：

40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

   6、bank数量：

1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系

   7、i/o界面：

1:

sstl_3、2:

sstl_2

   8、芯片内核版本：

可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新

   9、代表功耗：

l=低功耗芯片，空白=普通芯片

   10、内存芯片封装形式：

jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ

   11、工作速度：

55:

183mhz、5:

200mhz、45:

222mhz、43:

233mhz、4:

250mhz、33:

300nhz、l:

ddr200、h:

ddr266b、k:

ddr266a

   现代的mbga封装的颗粒

LGS:

   LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。

LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。

其中10K是非PC100规格的，速度极慢。

7J和7K才是PC100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs7J编号在1073222，LGs7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。

而8才是真正的8nsPC100内存，但国内没有出现。

现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。

而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。

   LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

   GM72V 668 41E  T7J 

   GM72VXXXXX1XXTXX

   GM代表为LGS的产品。

   72代表SDRAM。

   V表示生产工艺及电压为CMOS工艺3.3V

   第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits，28为128Mbits。

   第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。

4、8只占一位。

   第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。

   第6个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"E"了。

   第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。

   "T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。

   最后的XX自然是代表速度：

   7.5：

7.5ns〔133MHz〕

   8：

8ns〔125MHz〕

   7K：

10ns〔PC-100CL2或3〕

   7J：

10ns〔100MHz〕

   10K：

10ns〔100MHz〕

   12：

12ns〔83MHz〕

   15：

15ns〔66MHz〕 

infineon（英飞凌）

   infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：

容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。

编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。

infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。

所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。

其它也是如此，如：

hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。

infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；

-8——表示该内存的工作频率是100mhz。

例如：

1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。

其容量计算为：

128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。

1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。

其容量计算为：

128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。

kingmax、kti

   kingmax内存的说明

   kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。

并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。

kingmax内存颗粒有两种容量：

64mbits和128mbits。

   在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

   容量备注：

   ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；

   ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；

   ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；

   ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；

   ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。

   kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

   -7a——pc133/cl=2；

   -7——pc133/cl=3；

   -8a——pc100/cl=2；

   -8——pc100/cl=3。

   例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：

64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。

micron（美光）

   以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

   含义：

   mt——micron的厂商名称。

   48——内存的类型。

48代表sdram；46代表ddr。

   lc——供电电压。

lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。

   16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：

16m（地址）×8位数据宽度。

   a2——内存内核版本号。

   tg——封装方式，tg即tsop封装。

   -75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。

   实例：

一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。

该内存支持ecc功能。

所以每个bank是奇数片内存颗粒。

   其容量计算为：

容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。

winbond（华邦）

   含义说明：

   wxxxxxxxx

   12345

   1、w代表内存颗粒是由winbond生产

   2、代表显存类型：

98为sdram，94为ddrram

   3、代表颗粒的版本号：

常见的版本号为b和h；

   4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装

   5、工作频率:

0：

10ns、100mhz；8：

8ns、125mhz；z：

7.5ns、133mhz；y：

6.7ns、150mhz；6：

6ns、166mhz；5：

5ns、200mhz

mosel（台湾茂矽）

   台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。

这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

   南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。

这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt

   内存颗粒编号为vdd8608a8a-6bh0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周