模电复习资料判断选择填空.docx
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模电复习资料判断选择填空
判断题
第一章
半导体1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
（对）
二极管
1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。
（对）
2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
（错）
3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错）
三极管
1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）
2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区.（错）
3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）
4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）
5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）
6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（错）
场效应管
1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：
可变电阻区、截止区和饱和区。
（错）
第二章
1、技术指标
放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
（对）
2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）
3、放大电路的三种组态
射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）
三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
（对）
射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）
射极输出器不具有电压放大作用。
（对）
4、多级放大电路
直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）
直流放大器只能放大直流信号。
（错）
现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。
（错）
多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。
（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。
（错）
多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
（错）
第四章
在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。
（对）
第五章
差动放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的差模电压放大倍数是相等的。
（ ）
差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移。
（ ）
从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。
（错）
差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。
（错）
一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。
（ ）
一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（ ）
差动放大电路的AVD越大越好，而AVC则越小越好。
（ ）
放大器级间耦合方式有三种：
阻容耦合；变压器耦合；直接耦合；在集成电路中通常采用阻容耦合。
（错）
集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
（）
第六章
射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。
（）
电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。
（）
若放大电路的Au小于1，则接入的反馈一定是负反馈；若放大电路的Au大于1，则接入的反馈一定是正反馈。
（错）
第八章
电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，滞回比较器的输出状态发生2次跃变。
（错）
第九章
振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（ ）。
稳定振荡器中的晶体三极管静态工作点，有利于提高频率稳定度（ ）。
放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（ ）。
石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。
（）
振荡电路中只要引入了负反馈，就不会产生振荡信号。
（）
第十章
1、判断图所示的电路是否能正常稳压，说明原因。
不能稳压，电路中缺少限流电阻R。
2、图所示的稳压电路采用两只硅稳压管串联，万用表测得输出电压Vo为7V，判断稳压管Vz1的稳压值是多少？
稳压管VZ1的稳压值是6.3V。
填空题
第一章
半导体
1、自然界的各种物质，根据其导电能力的差别，可以分为_____________、_____________及_____________三大类。
导体；绝缘体；半导体
2、导电性能介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为____________。
半导体
3、最常用的半导体材料有和。
（硅、锗）
4、纯净的、不含其他杂质的半导体称为____________________。
本征半导体
5、杂质半导体可以分为_____________和_____________两大类。
N型半导体；P型半导体
6、在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且还有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。
（自由电子、自由电子、空穴）
7、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成_______________，其多子为___________，少子为__________。
N型半导体（电子型半导体）；自由电子；空穴
8、P型半导体中是多数载流子。
（空穴）
9、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是。
（自由电子、空穴）
10、P型半导体中多数载流子是；N型半导体中少数载流子是。
空穴；空穴
11、N型半导体中是多数载流子，是少数载流子，P型半导体中是多数载流子，是少数载流子。
（自由电子、空穴、空穴、自由电子）
12、如果在本征半导体晶体中掺入三价元素的杂质，就可以形成________________型半导体，其多子为________________。
P、空穴
13、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的__________，少子的浓度主要取决于__________。
浓度；温度
PN结
1、PN结的主要特性是具有________________。
单向导电性
2、PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。
（单向导电性、正向、反向）
3、PN结的导电特性是，其伏安特性的数学表达式是。
（单向导电性、略）
4、PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。
（导通、截止、单向导电性）
5、当硅材料的PN结正向偏压小于V，锗材料的PN结正向偏压小于V时，PN结仍不导通，我们把这一数值通常称为。
（0.5、0.1、死区电压）
二极管
1、当二极管所加的正向电压大于，二极管处于正向导通状态，呈低阻。
导通电压
2、一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已，又有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，表明该二极管已。
（击穿、熔断）（短路、断路）
3、稳压管的稳压区是其在区。
反向击穿
4、稳压二极管工作于伏安特性曲线的区。
（反向击穿区）
5、稳压管通常工作在________________区。
反向击穿
6、要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在区。
反向击穿
晶体三极管结构
1、晶体三极管内部有三个区分别是集电区、基区和区。
（发射区）
2、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做 ，另外一个叫做 。
（发射结、集电结）
分类
1、三极管根据分层次序分为_________型和_________型两大类。
NPN型；PNP型
2、晶体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
（NPN、PNP、略、略）
参数
1、三极管的安全工作区由三个极限参数决定，_______________________、_____________________________、_______________________________。
集电极最大允许电流；集电极最大允许耗散功率；极间反向击穿电压
2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_________。
增大
3、晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO，VBE，β。
放大
1、晶体三极管工作在放大状态的外部条件是。
（发射结正偏、集电结反偏）
2、三极管处于放大状态的条件是发射结，集电结。
正偏；反偏
3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为_________、集电结电压应为_________。
正偏；反偏
4、为了使三极管工作在放大区，必须使发射结________________；集电结________________。
正向偏置、反向偏置
5、晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
（发射结、集电结、发射结、集电结）
6、晶体三极管有两个PN结，在放大电路中结必须加正偏，结必须加反偏。
特性
1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即、和。
（放大区、截止区、饱和区）
2、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于截止区时，
；当三极管工作于区时，关系式
才成立；当三极管工作在区时
。
3、当三极管工作在区时，关系式IC＝βIB才成立；当三极管工作在区时，IC≈0；当三极管工作在区时，UCE≈0。
（放大区、截止区、饱和区）
计算
1、已知三极管
，若
，则该管Ic=，Ie=。
2、若晶体三极管集电极电流Ic=9mA，该管的电流放大系数β=50，则基极电流IB=________。
3、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态。
4、某放大电路三极管，测得管脚直流电压分别为
这是管（硅、锗），__________型，集电极管脚是。
硅；NPN；
5、三极管各电极电流的分配关系是。
场效应管
1、场效应管是一种元件，而晶体管是元件。
2、场效应管从结构上可分为结型和型两大类。
第二章
技术指标
1、放大电路的_________________是指输出信号与输入信号的变化量之比。
放大倍数
2、放大器的放大倍数有三种，即为、和。
3、对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要________些，以减轻信号源的负担，输出电阻要________些，增大带动负载的能力。
分析方法
1、画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短路。
2、在画直流通路时，电容可以看作路，电感可以看成路。
开（断）；短
3、放大器中电压、电流的瞬时值包括分量和分量两部分。
4、某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位Vc=Ve，则该放大器的三极管处于__________工作状态。
三种组态
1、三极管三种基本联接方式分别是、、。
2、共发射极基本放大电路兼有和的作用。
3、放大电路的三种基本组态中，组态带负载能力强，组态频率响应好，组态有倒相作用，组态向信号源索取的电流小，组态既有电压放大作用，又有电流放大作用。
共集，共基，共射，共集，共射
4、单管放大电路的三种基本组态中，电路具有电压放大倍数永远小于1，输入电阻高，输出电阻低的特点。
共集电极
5、射极输出器的特性归纳为：
电压放大倍数，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。
多级放大电路
1、常用的耦合方式有变压器耦合、耦合和直接耦合。
2、多级放大电路常用的耦合方式有：
________耦合、___________耦合和_________________耦合。
阻容、直接、变压器
3、一个交流放大电路（能、不能）放大直流信号，一个直接耦合放大电路（能、不能）放大交流信号。
4、用于放大____________或____________的放大器,称为直流放大器。
5、直流放大器输入为零时，输出偏离其起始值的现象称为。
6、产出零点漂移的原因很多，其中最主要的原因是的影响。
7、某多级放大器中各级电压增益为：
第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为，总的放大倍数为。
8、某放大器由三级组成，每级的电压增益为15dB，则放大器的总增益是_________。
第三章
1、___________是衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。
频率响应
2、当放大电路的电压放大倍数下降到中频电压放大倍数的0.707倍时，相对应的低频频率称为放大电路的___________，相对应的高频频率称为放大电路的___________，二者之间的频率范围称为___________。
下限频率；上限频率；通频带
3、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数的时，所对应的两个频率分别称为和，它们之间的频率范围，称为放大电路的，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
4、某放大电路的电压增益为120dB，相当于倍。
1000000
5、阻容耦合的多级放大电路，影响低频信号放大的是___________电容，影响高频信号放大的是电容。
耦合电容；结电容
第四章
1、与电压放大电路相比较，对功率放大电路的要求是：
⑴根据负载需要，。
⑵具有。
提供足够的输出功率；较高的效率
2、对功率放大电路进行分析常常采用__________。
图解法
3、功率放大器按静态工作点不同，主要可分为甲类、和甲乙类三类工作方式。
4、乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成失真现象，这种失真称为。
交越失真
5、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有____________类功放、____________类功放和____________类功放电路。
第五章
1、集成运放的内部通常包含四个组成部分，即：
___________、___________、___________和___________。
输入级、中间级、输出级、偏置电路
2、理想运放工作在线性区时的两个重要特点用公式可以表示为：
___________、___________。
、
3、理想运算放大器工作在线性区域时，两输入端的电位，输入电流均为。
相等；零
4、理想集成运放电路中，开环电压放大倍数
，输出阻抗
。
（填
或0）。
5、差模信号的大小，极性。
相等，相反
6、差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为信号。
7、差动放大器的两种输入方式为____________和____________。
8、差动放大器性能的好坏，应同时考虑它的____________和____________。
第六章
0、使放大电路净输入信号减小的反馈称为反馈（填正、负）。
1、串联负反馈使输入电阻。
增大
2、并联负反馈使输入电阻。
减小
3、在放大电路中，如果要实现减小输入电阻的要求，应引入反馈。
并联负反馈
4、在放大电路中，如果要实现增大输入电阻的要求，应引入反馈。
串联负反馈
5、串联负反馈可以使放大器的输入电阻，并联负反馈可以使放大器的输入电阻，电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。
6、在负反馈放大电路的四种基本组态中，能增大输入电阻，减小输出电阻的是
负反馈；能减小输入电阻，增大输出电阻的是负反馈。
电压串联；电流并联
7、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入反馈。
8、负反馈可以提高稳定性；减小和抑制。
放大倍数；非线性失真；干扰
9、放大电路产生正弦波振荡的条件是。
AF=1
10、负反馈放大电路产生自激振荡的幅度条件是________________相位条件是________________。
、
第七章
1、RC微分电路可以将输入矩形波变换成波。
（填“正负尖峰波”或“近似三角波”）。
2、在图示电路中，uO1=ui1，uO2=ui2。
第八章
1、根据工作信号的频率范围，滤波器可以分为__________滤波器、__________滤波器、__________滤波器和__________滤波器。
低通、高通、带通、带阻
2、HPF指的是滤波器；BPF指的是滤波器。
（高通；带通）
3、有源滤波器的功能是，按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。
第九章
1、正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是。
2、正弦波振荡器从结构来看，主要由基本放大电路、、
三部分组成。
3、正弦波振荡电路除了具有放大电路和反馈网络外，为了获得单一的频率还应具有________________，为了达到稳定的幅度还应具有________________。
（选频网络、稳幅环节）
4、正弦波振荡器是由、、三部分电路组成，只有满足和才能产生振荡。
5、常用的RC正弦波振荡电路有、、________三种。
（文氏桥式；移相式；双T选频网络）
6、根据选频网络和反馈电路结构的不同，LC正弦波振荡器的三种基本形式为____________、____________和____________。
（变压器反馈式、电感三点式、电容三点式）
选择题
第一章
半导体
1、在本征半导体中加入C元素可形成N型半导体，加入A元素可形成P型半导体。
A.三价B.四价C.五价 D.六价
2、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[C]
A．温度B．掺杂工艺的类型
C．杂质浓度D．晶体中的缺陷
3、在P型半导体中（A）。
A空穴是多数载流子，电子是少数载流子B电子是多数载流子，空穴是少数载流子
C空穴的数量略多于电子D没有电子
4、下列说法中正确的是（B）。
A、三极管具有三个PN结；B、共基极放大电路电流放大倍数一定小于1；
C、P型半导体中仅有一种载流子；D、理想运算放大器两输入端电位一定相等；
二极管
1、硅二极管的正向导通电压为：
［D］
A0.1VB0.2VC0.3VD0.7V
2、把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（D）。
A．电流为零B．电流基本正常C．击穿D．被烧坏
3、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是（C）
4、二极管两端加上正向电压时（A）。
A、超过门坎电压才能导通B、超过0.7V才导通C、一定导通
5、二极管两端加上正向电压时（B）。
A一定导通B超过死区电压才能导通
C超过0.7伏才导通D超过0.3伏才导通
6、电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（D）。
Ａ．－３伏 Ｂ．５伏 Ｃ．８伏 Ｄ．－８伏
7、电路如图一所示，电路中可以导通的二极管是（B）。
A、D1导通；B、D2导通；
C、D1、D2均导通；D、D1、D2均不导通；
图一
8、电路如图一所示。
二极管正向导通电压为0.7V，此电路输出电压UAB为（A）。
A．－0．7VB．12V；C．－6V；
D．－12V；
9、如图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（B）。
AAODBAOCCBOCDBOD
稳压二极管
1、对于稳压二极管，它正常工作时是处于[B]状态。
A正向导通B反向击穿C截止D随外加电压变化而变化
2、稳压管工作在D。
A、正向导通区B、反向截止区C、死区D、反向击穿区
3、如下图所示，U1稳压值为8V，U2稳压值为6V，则UAB=［B］。
A14VB8.7VC6.7VD2V
4、电路如图二所示。
已知，稳压二极管正向导通电压为0.7V。
则此电路的输出电压UAB为（B）；
A．1.4V；B．6.7V；C．30V；D．12V；
三极管
1、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏
2、在三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC（C）。
Ａ．ICM Ｂ．ICBO Ｃ．ICEO
3、对半导体三极管，测得发射结、集电结均正偏，此时该三极管处于（C）。
A、放大状态；B、截止状态；C、饱和状态；D、无法确定；
4、三极管处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（A）。
Ａ发射结和集电结都处于正偏Ｂ发射结处于正偏，集电结处于反偏
Ｃ发射结处于反偏，集电结处于正偏
5、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是（）
A．NPN管发射极B．PNP管发射极C．PNP管集电极D．NPN管基极
6、NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。
A.UC>UB>UEB.UCUE>UB
7、测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示，其中硅材料的NPN管是（）。
8、3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR（CEO）＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（）
A.被击穿B.工作正常C.功耗太大过热甚至烧坏
9、如果三极管的集电极电流IC大于它的集电极最大允许电流ICM，则该管（）
A.被击穿B.被烧坏C.电流放大能力下降
10、图中各晶体管的三个电极无交流信号时对地电位如图所示。
能起放大作用的是（）
A．a图和b图B．b图和d图C．仅有c图D．仅有d图
第二章
1、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（）
A.三极管可以把小能量放大成大能量B.三极管可以把小电流放大成大电流
C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流
2、NPN型三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ）。
A、发射极为反向偏置 B、集电极为正向偏置 C、始终工作在放大区
3、NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（ ）。
A、基极电流不变 B、集电极对发射极电压VCE下降 C、集电极对发射极电压VCE上升
4、在电子设备的电路中，常把弱信号放大部分屏蔽起来，其目的是（ ）。
A、使放大倍数不受外界影响B、防止能量过多损耗C、防止外来干扰引起自激现象
5、基本放大电路中，若静态工作点选择过低，容易使电路输出信号产［A］失真
A截止B饱和C双向D交越
6、共射极放大电路中信号的输入端是［B］
A发射极B基极C集电极D栅极
7、某单级共e放大器的输出电压波形如图所示，则该放大器产生了（）
A、饱和失真B、截止失真C、频率失真
8、如图三所示电路，如果C7容量减小，对电路性能的影响说法正确的是（B）。
A、电压放大倍数增加；B、电压放大倍数减小；
C、电压放大倍数不变；D、C7容量减小会影响静态工作点；
9、电路如图三所示，要增加三极管集电极电流，可以采用的方法是（D）。
A、增大R11的值；B、增大R8的值；C、减小R8的值；D、增大R10的值；
图三
10、在单级放大电路的三种基本接法中，对它们的特性做一个相互比较，描述正确是[B]。
A共射电路的AU最大、Ri最小、RO最小B共集电路的AU最小、Ri最大、RO最小
C
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