光刻掩模板.docx

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光刻掩模板

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光刻掩模板

　　篇一：

蚀刻制作掩模板蒸镀罩的工艺

　　昂立信生产的掩膜板，蒸镀罩以不锈钢材质为主，厚度从0.03mm到1.0mm。

是目前高端腐蚀加工的产品之一。

是目前物理试验以及玻璃触摸屏真空镀的主要部件。

也也于蒸镀产品之用。

　　平整均匀无毛剌，平面度保持在0.02以下是掩膜板的特点之一。

针对掩膜板产品，卓力达配备样品制作小组，在2-3个工作日内完，我司以强大的技术力量（高级研发工程师8人，工程师16人，技术员20人）和先进的生产设备（进口蚀刻机）来保证准时的交货期限。

　　安全，美观，环保的捆包方式，24小时不间断发货，如需快递可在48小时内到达，于我司合作的快递公司为国内知名品牌顺丰快递。

　　客户对我司腐蚀产品提出质量异议，公司会在接到客户提出异议后12小时内作出处理意见，若需现场解决，将会派出专业技术人员及品质人员，并做到质量问题不解决服务人员不撤离，对每次客户反馈的掩膜板质量问题及处理结果我司将予以存档。

所有的产品在出货前均会经过生产巡检、品质检测、发货抽检相关人员的三次质检，确保发货到您手里的产品是合格产品

　　掩膜版用来干什么的？

　　Reticle也称为mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。

制造芯片时用

　　掩膜板属于光刻技术的范畴吗，掩膜版（光刻版）应用的是光刻技术。

　　篇二：

光刻实验报告

　　光刻实验

　　一．实验目的

　　了解光刻在样品制备工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。

　　二．实验原理

　　光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的sio2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂（如显影液）溶解。

然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对sio2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在sio2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。

（一）光刻原理图

　　晶片表面必须有如照相底片般的物质存在，属于可感光的胶质化合物（光刻胶），经与光线作用和化学作用方式处理后，即可将掩膜版上的图形一五一十地转移到晶片上。

因此在光刻成像工艺上，掩膜版、光刻胶、光刻胶涂布显影设备及对准曝光光学系统等，皆为必备的条件。

　　三、实验药品及设备

　　化学药品：

光刻胶（正胶）、正胶显影液、丙酮、酒精、去离子水等实验仪器：

匀胶台、烘胶台、光刻机等

　　四．实验步骤

　　1.准备样品，甩胶

　　注意事项：

　　①保证样品表面的干净

　　②在使用之前确保匀胶机正常工作

　　③在事先要把烘胶台的温度设定到实验需要的温度

　　2.光刻

　　注意事项：

　　①首先检查变压器是否工作，指针需要指在110V

　　②曝光结束后要按下“fanas”键，是光刻机自行冷却下来

　　③长时间不用光刻机时不要忘了关干泵防止其过热烧坏

　　3.显影

　　注意事项：

　　①显影过程应在曝光过后立即操作

　　②显影液不宜放置时间过长，以免其变质后影响实验结果

　　4.整理光刻间，保持实验场所的干净整洁

　　五.实验结果

　　工艺参数：

　　样品名称：

5mm×5mmsi片

　　光刻胶：

az1500

　　匀胶台：

600r~10s，3000r~60s

　　烘胶台：

90℃~2min

　　显影液：

正胶显影液

　　在操作之前，首先对硅片进行了洁净处理。

具体步骤如下：

　　1.在丙酮中用超声清洗10分钟

　　2.在酒精中用超声清洗10分钟

　　3.放在去离子水里清洗

　　4.放在酒精中清洗

　　5.用氮气吹干

　　清洗完硅片过后，进行甩胶、前烘、光刻、显影、后烘。

实验的整个流程基本完成。

　　下面是利用实验结果拍成的图片：

　　篇三：

光刻工艺问答

　　photo流程

　　答：

上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→cd量測→overlay量測

　　何为光阻？

其功能为何？

其分为哪两种？

　　答：

photoresist（光阻）.是一种感光的物质，其作用是将pattern从光罩（Reticle）上传递到wafer上的一种介质。

其分为正光阻和负光阻。

何为正光阻答：

正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。

　　何为负光阻答：

负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。

　　什幺是曝光？

什幺是显影？

答：

曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。

　　何谓photo

　　答：

photo=photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。

photo主要流程为何

　　答：

photo的流程分为前处理，上光阻，softbake,曝光，peb，显影，hardbake等。

　　何谓photo区之前处理

　　答：

在wafer上涂布光阻之前，需要先对wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。

前处理主要包括bake，hdms等过程。

其中通过bake将wafer表面吸收的水分去除，然后进行hdms工作，以使wafer表面更容易与光阻结合。

　　何谓上光阻

　　答：

上光阻是为了在wafer表面得　　

到厚度均匀的光阻薄膜。

光阻通过喷嘴（nozzle）被喷涂在高速旋转的wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在wafer的表面。

　　何谓softbake

　　答：

上完光阻之后，要进行softbake，其主要目的是通过softbake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。

　　何谓曝光

　　答：

曝光是将涂布在wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到wafer上的过程。

　　何谓peb（postexposurebake）

　　答：

peb是在曝光结束后对光阻进行控制精密的bake的过程。

其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。

　　何谓显影

　　答：

显影类似于洗照片，是将曝光完成的wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。

　　何谓hardbake

　　答：

hardbake是通过烘烤使显影完成后残留在wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

　　何为baRc何为taRc它们分别的作用是什幺？

　　答：

baRc=bottomantiReflectivecoating,taRc=topantiReflectivecoating.baRc是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，taRc则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。

他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

　　何谓iline？

　　答：

曝光过程中用到的光，由mercurylamp（汞灯）产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。

何谓duV？

　　答：

曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。

　　i-line与duV主要不同处为何

　　答：

光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。

i-line主要用在较落后的

　　制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的non-criticallayer。

duV则用在先进制程的criticallayer上。

　　何为exposureField

　　答：

曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域

　　何谓stepper其功能为何

　　答：

一种曝光机，其曝光动作为stepbystep形式,一次曝整個exposurefield,一個一個曝過去

　　何谓scanner其功能为何

　　答：

一种曝光机，其曝光动作为scanningandstep形式,在一個exposurefield曝光時,先scan完整個field,scan完後再移到下一個field.

　　何为象差？

　　答：

代表透镜成象的能力,越小越好.

　　scanner比stepper优点为何？

　　答：

exposureField大，象差较小

　　曝光最重要的两个参数是什幺？

　　答：

energy（曝光量）,Focus（焦距）。

如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的cd值超出要求的范围。

因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。

　　何为Reticle

　　答：

Reticle也称为mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。

　　何为pellicle

　　答：

pellicle是Reticle上为了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（particle）落在光罩的图形面上的一层保护膜。

　　何为opc光罩？

　　答：

opc（opticalproximitycorrection）为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的poly,metallayer就是opc光罩。

何为psm光罩？

　　答：

psm（phaseshiftmask）不同于crmask,利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contactlayer以及较小cd的criticallayer（如aa，poly，metal1）以增加图形的分辨率。

　　何為cRmask？

　　答：

傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不critical的layer

　　光罩编号各位代码都代表什幺？

　　答：

例如003700-156aa-1da,0037代表产品号，00代表specialcode,156代表layer,a代表客户版本，后一个a代表smic版本，1代表Fab1，d代表duV（如果是j,则代表i-line）,a代表asml机台（如果是c，则代表canon机台）光罩室同时不能超过多少人在其中？

　　答：

2人，为了避免产生更多的particle和静电而损坏光罩。

　　存取光罩的基本原则是什幺？

　　答：

（1）光罩盒打开的情况下，不准进出maskRoom,最多只准保持2个人

（2）戴上手套（3）轻拿轻放

　　如何避免静电破坏mask？

　　答：

光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。

　　光罩pod和Foup能放在一起吗？

它们之间至少应该保持多远距离？

　　答：

不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动Foup时碰撞光罩pod而损坏光罩。

　　何谓track

　　答：

photo制程中一系列步骤的组合，其包括：

wafer的前、后处理，coating（上光阻），和develop（显影）等过程。

　　in-linetrack机台有几个coater槽，几个developer槽？

　　答：

均为4个

　　机台上亮红灯的处理流程？

　　答：

机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能Run货，因此应该及时calle.e进行处理。

若ee现在无法立即解决，则将机台挂down。

何谓wee其功能为何

　　答：

waferedgeexposure。

由于wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将waferedge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。

　　何为peb？

其功能为何？

　　答：

postexposurebake，其功能在于可以得到质量较好的图形。

（消除standingwaves）

　　photopolyimide所用的光阻是正光阻还是负光阻

　　答：

目前正负光阻都有，smicFab内用的为负光阻。

　　Run货结束后如何判断是否有wafer被reject？

　　答：

查看Run之前lot里有多少wafer,再看Run之后lot里的waFeR是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。

　　何谓overlay其功能为何

　　答：

迭对测量仪。

由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。

因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整processcondition.

　　何谓adicd

　　答：

criticaldimension，光罩图案中最小的线宽。

曝光过后，它的图形也被复制在wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。

因此通常测量cd的值来确定process的条件是否合适。

何谓cd-sem其功能为何

　　答：

扫描电子显微镜。

是一种测量用的仪器，通常可以用于测量cd以及观察图案。

　　pRs的制程目的为何？

　　答：

pRs（processReleasestandard）通过选择不同的条件（能量和焦距）对wafer曝光，以选择最佳的processcondition。

　　何为adi？

adi需检查的项目有哪些？