欢迎学习初级电工电子基础知识部分.docx
《欢迎学习初级电工电子基础知识部分.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《欢迎学习初级电工电子基础知识部分.docx（42页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
欢迎学习初级电工电子基础知识部分
欢迎学习初级电工电子基础知识部分
半导体的导电性能是介于导体和绝缘体之间的一类物质，常见的半导体有锗（Ge）、硅（Si）等，它们既不像导体那样容易导电，又不像绝缘体那样难于导电。
由于半导体对温度和光照反应灵敏以及掺入杂质会大大增强导电能力等独特的性质，用半导体制作的元器件用途及其广泛。
电工作为一类电气技术人员，必须掌握电子技术的基本知识以增强对各类电路的理解。
本章简要介绍晶体二极管及其整流电流，三极管及电力半导体等基本常识。
内容并不多，希望大家可以仔细深入的理解。
P型半导体和N型半导体的形成
文章目录
∙半导体的导电原理
∙P型半导体和N型半导体的形成
半导体是由硅、锗等物质组成的导电性介于导体和绝缘体之间的一类物质，向半导体中掺入杂质或改变光照、温度等可改变其导电能力。
半导体的导电原理
不含杂质的半导体称为本征半导体。
半导体硅和锗的最外层电子有四个，故而称它为四价元素，每一个外层电子称为价电子。
为了处于稳定状态，单晶硅和单晶锗中的每个原子的四个价电子都要和相邻原子的价电子配对，形成所谓的共价键，如右图所示。
但是共价键中的电子并不像绝缘体中的电子结合的那样紧，由于能量激发（如光照、温度变化），一些电子就能挣脱原有的束缚而成为自由电子。
与此同时，某处共价键中失去一个电子，相应地就留下一个空位，称为空穴。
自由电子和空穴总是成对出现的。
如果在本征半导体两端加以电压，则会有两种数量相等的运载电荷的粒子（称作载流子）产生电流。
一种是由自由电子向正极移动，形成的电子电流；另一种是空穴向负极移动形成的空穴电流，
如右图所示。
空穴电流的形成好像电影场中，前排座位空着，由后排人逐个往前填补人，人向前运动，空位向后运动一样。
因此，在半导体中同时存在着电子导电和空穴导电，但由于这两种载流子数量很少，所以本征半导体导电能力远不如金属中的自由电子。
P型半导体和N型半导体的形成
如果在本征半导体中掺入少量的杂质，半导体的导电性能将会大大的改善。
在纯净的半导体硅（Si）中掺入少量的五价磷（P）或三价硼（B）元素，就构成了电子型半导体（简称N型半导体）和空穴型半导体（简称P型半导体）。
在纯净半导体中掺入原子外层有三个电子的硼元素。
硼原子与相邻硅原子形成共价键时，因缺少一个电子耳多一个空穴。
如右图所示每掺入一个硼原子就有一个空穴，这种半导体称为P型半导体。
在P型半导体中，空穴占多数，自由电子占少数，空穴是多数载流子。
同理在纯净的半导体硅中掺入原子外层有五个电子的磷元素，就形成了N型半导体。
PN结的形成及PN结工作原理（单向导电）讲解
文章目录
∙PN结的形成
∙PN结的工作原理
学习本文前您可能需要阅读上一节课《P型半导体和N型半导体的形成》的部分内容，这将有助于您对本文的理解。
PN结的形成
如果把一块本征半导体的两边掺入不同的元素，使一边为P型，另一边为N型，则在两部分的接触面就会形成一个特殊的薄层，称为PN结。
PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。
如右图所示是一块两边掺入不同元素的半导体。
由于P型区和N型区两边的载流子性质及浓度均不相同，P型区的空穴浓度大，而N型区的电子浓度大，于是在交界面处产生了扩散运动。
P型区的空穴向N型区扩散，因失去空穴而带负电；而N型区的电子向P型区扩散，因失去电子而带正电，这样在P区和N区的交界处形成了一个电场（称为内电场）。
PN结内电场的方向由N区指向P区，如右图所示。
在内电场的作用下，电子将从P区向N区作漂移运动，空穴则从N区向P区作漂移运动。
经过一段时间后，扩散运动与漂移运动达到一种相对平衡状态，在交界处形成了一定厚度的空间电荷区叫做PN结，也叫阻挡层，势垒。
PN结的工作原理
如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。
由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。
在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。
这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。
由此可见PN结正向导电时，其电阻是很小的。
如果PN结加反向电压，如右图所示，此时，由于外加电场的方向与内电场一致，增强了内电场，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。
由于少数载流子为数很少，故反向电流是很微弱的。
因此，PN结在反向电压下，其电阻是很大的。
由以上分析可以得知：
PN结通过正向电压时可以导电，常称为导通；而加反向电压时不导电，常称为截止。
这说明：
PN结具有单向导电性。
晶体二极管符号、结构与类型（点接触/面接触/平面型）、正负极划分
晶体二极管常被人们简称为二极管，它由一个PN结、两条电极引线和管壳构成。
由P区引出的电极为正极，N区引出的电极为负极（如果在二极管实物外壳的两端中的一端看见有一条横条，则这一端为负极）。
如下图所示为二极管的电路图形符号，其文字符号为“V”，箭头所指方向为正电流通过的方向。
二极管按内部结构的不同，可分为点接触（b）和面接触型以及平面型三种类型。
点接触型二极管的特点是PN结面积小，不能通过大电流。
但由于其接触面积小，结电容小，高频性能好，故而常用在检波或脉冲电路中；而面接触型二极管的特点是PN结面积达，可以通过较大的电流，适合用于大功率的整流电路中。
平面型二极管如果结面积较大，则结电容也会大点，会应用在大功率整流中，如果面积较小则适合脉冲数字电路等应用。
实验图解二极管伏安特性曲线和主要参数
文章目录
∙二极管伏安特性曲线
∙二极管主要参数
晶体二极管主要是由一个PN结构成，因此它应该与PN结具有相同的特性，即具有单向导电性。
下面介绍加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系。
即二极管的伏安特性及二极管主要参数。
二极管伏安特性曲线
如下图所示为测试二极管伏安特性的原理电路，改变可变电阻的大小，就可以测出不同数值的端电压下流过二极管的电流，从而得到下右图所示的二极管伏安特性曲线。
其中曲线右上方是正向特性，是由下图a所示电路测得，左下方是方向特性，是由下图b所示电路测得。
如下图所示的两条曲线，是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线，曲线可分三部分来说明。
正向特性：
当外加正向电压较小时，正向电流很小，二极管呈现出较大的电阻（图中OA段和OA’段）；正向电压超过某一数值（UD称为其实电压或死区电压，硅管为0.6到0.8伏，锗管委0.2伏），电流随着电压增加得很快（图中的AB段和A’B'段）。
但增加的电流不能超过二极管允许电流，否则二极管会被烧坏。
反向特性：
加上方向电压时，只有很小的反向电流，并且它基本上不随电压变化，如曲线上Cd段和C’d'段，这种电流称为反向饱和电流。
反向饱和电流随着温度升高而增长很快。
反向击穿电压：
当反向电压超过某一数值的时候，反向电流突然猛增，这种现象称为反向击穿，如曲线e和e’以下的部分。
对应于e点的电压称为击穿电压。
二极管主要参数
最大整流电路IM：
它是二极管长期使用时允许通过二极管的最大正向平均电流值。
最高反向工作电压：
最高反向工作电压为反向击穿电压的1/2倍（二分之一），而有些小容量二极管，其最高反向工作电压为击穿电压的2/3（二分之三）左右。
反向电流：
在给定的反向电压下，通过二极管的反向电流值。
它是表征二极管单向导电性能的一个重要指标。
反向电流小，单向导电性能越好。
二极管正负极及好坏判断（通过外观及万用表测量）
文章目录
∙测量正负极
∙好坏判断
借助万用表测量电阻的办法或通断测试档位，可以很方便的找出二极管正负极的极性以及粗略的测量出二极管的好坏。
二极管正负极
大家都知道，一般二极管上都是有直接表示正负极的，当看到管壳上有白色线圈的那一段，便是负极。
或者线脚较短的一边为负极。
但如果没有这些特征怎么办？
万用表是电工手上都有的工具，使用万用表的欧姆档（测电阻）去测二极管的正负极电阻时，由于万用表内接有电池，要注意到万用表壳上标有“-”的接线端的黑表笔相连；表壳上标有“+”的接线端的红表笔相接。
电流是由红表笔流出，而从黑表笔流回。
另外应选用Rx1000的欧姆档来测量，因为Rx1档电流太大，Rx10K档电压太高，都容易损坏二极管，所以不宜选用。
具体测试方法如右图所示，将万用表的两个表笔分别接在二极管的两个管脚。
二极管的正向电阻很小，一般为几十欧到几百欧，而反向电阻很大，一般为几十千欧到几百千欧之间。
如果在图中的两次测试，右侧测试显示电阻较小，左侧测试显示较大电阻，即可断定右侧红表笔所接的管脚为二极管的正极，另一个管脚即为负极。
有些现代数字万用表上面可能有二极管好坏判断的档位（通断档），将万用表定在这个档位进行测量若有读数，则红表笔一段为正极，若没有读数或显示“1”，则黑表笔为正极。
二极管好坏判断
依然是上面的使用万用表电阻档的测量方法来判断。
如果测出的正、反向电阻相差很大，测说明二极管的单向导电性能良好；如果测量的两次电阻值都很小或者都很大，则说明二极管已经失去了单向导电性，及时存在质量问题的坏二极管。
晶体三极管型号及结构
晶体三极管常简称为三极管或晶体管。
三极管是由两个PN结（PN结的形成及PN结工作原理（单向导电）讲解）构成的一种半导体器件。
其构成有两种型号：
一种是PNP型三极管，如下图（a）是PNP型三极管的结构图，（b）是它的图形符号，另一种是NPN型三极管，图（c）是它的结构图，（d）是它的图形符号。
三极管b、c、e三个电极中：
b极成为基极，c极称为集电极，e极成为发射极。
为了使三极管具有放大作用，在制造时，常使基区厚度极薄，（几微米到十几微米）发射区较小，而且其掺入杂质的浓度比基区和集电区的杂质浓度大很多，便于电子扩散出来。
另外，当三极管介入电路中时，一般将“c-b”结（发射结）结成正向工作状态（又称“正向偏置”或简称“正偏”）；而将“c-b”结（集电结）结成反向工作状态（又称“反向偏置”或“反偏”）。
三极管工作原理及作用：
电流放大与分配关系讲解
在上节课中我们了解了三极管的结构是由两个PN结构呈的半导体器件。
本节就带大家了解三极管的电流分配关系原理和电流放大作用。
将PNP型晶体三极管接成如下图所示的电路。
此电路有两个回路：
途中回路1为基极回路；图中回路2为集电极回路。
因为两个回路中都含有发射极，故称此电路为共发射极接法的电路。
改变电路中集电极Rb的数值而使基极电流Ib发生变化，便可相应的测出集电极电流Ic及发射极电流Ie的大小。
下表为从三个电流表中读出的8组Ib、Ic、Ie的数值。
从表中八组数值中，我们发现：
Ie=Ic+Ib。
即发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。
从表中还可以看到，当基极电流Ib从0.02mA变化到0.04mA时（变化量△Ib=0.04-0.02=0.02mA）,集电极电流也相应的从0.98mA变化到1.96mA，（变化量△Ic=1.96-0.98=0.98mA），这说明基极电流Ib的微小变化，能引起集电极电流Ic的较大变化，即三极管基极电流对集电极电流有放大作用。
通常将集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比，称为共射极电流放大系数，或称为电流放大倍数，用符号β或hFE表示。
（hFE称为共发射极静态电流放大倍数，不同型号的三极管hFE可从手册中查出。
）
从上表中可算出该三极管的电流放大倍数β为：
β=△Ic/△Ib=0.98/0.02=49
电流放大倍数是晶体三极管的主要参数，三极管的β值一般在10～200之间，有些三极管用顶部颜色点来表示β的分档值：
黄色：
电流放大倍数为25～50；绿色：
50～65，紫色：
65～85；白色：
85～110；棕色：
110～140；黑色：
140～180
三极管输入输出特性曲线讲解
文章目录
∙输入特性曲线
∙输出特性曲线
三极管特性曲线是反映三极管各电极电压和电流之间相互关系的曲线，是用来描述晶体三极管工作特性曲线，常用的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线。
这里以下图所示的共发射极电路来分析三极管的特性曲线。
输入特性曲线
该曲线表示当e极与c极之间的电压Uec保持不变时，输入电流（即基极电流Ib）和输入电压（即基极与发射极间电压Ueb）之间的关系曲线，如右图所示：
从曲线中可看到，当Uec=0时，晶体三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相同，这是因为此时发射结和极电结都正向偏置，三极管相当于两个PN结的同向并列。
当Uec不等于0时，在同一Ueb下，Ib随Uec值增加而减小，这是因为有了Uec作用之后，原来的发射极流入基极的电流有一部分留到集电极去了。
当Uec增加到1伏以后再继续增加，因发射极电流绝大部分已经流进集电极，Ib就不再减小了，所以图中的②和③曲线基本上重合，通常Uec〉1伏时只用一根线来表示。
从图中可以看出，三极管在正常工作时，Ueb是很小的，仅有零点几伏。
如果Ueb太大了会使Ib剧烈增加而损坏三极管，一般情况下，硅管发射结电压Ube在0.7伏左右，锗管发射结电压Ueb在0.3伏左右。
输出特性曲线
该曲线表示基极电流Ib一定时，三极管输出电压Uec与输出电流Ic之间的关系曲线，如下右图所示。
图中的每条曲线表示，当固定一个Ib值时，调节Rc所测得的不同Uec下的Ic值。
根据输出特性曲线，三极管的工作状态分为三个区域。
截止区：
它包括Ib=0及Ib〈0（即Ib与原方向相反）的一组工作曲线。
当Ib=0，Ic=Iceo（称为穿透电流），在常温下此值很小。
在此区域中，三极管的两个PN结均为反向偏置，即使Uec电压较高，管子中的电流Ic却很小，此时的管子相当于一个开关的开路状态。
饱和区：
该区域中的电压Uec的数值很小，Ube〉Uec集电极电流Ic随Uec的增加而很快的增大。
此时三极管的两个PN结均处于正向偏置，集电结失去了收集某区电子的能力，Ic不再受Ib控制。
Uec对Ic控制作用很大，管子相当于一个开关的接通状态。
放大区：
此区域中三极管的发射结正向偏置，而集电极反向偏置。
当Uec超过某一电压后曲线基本上是平直的，这是因为当集电结电压增大后，原来流入基极的电流绝大部分被集电极拉走，所以Uec再继续增大时，电流Ic变化很小，另外，当Ib变化时，Ic即按比例的变化，也就是说，Ic受Ib的控制，并且Ic变化比Ib的变化大很多，△Ic和△Ib成正比，两者之间具有线性关系，因此此区域又称为线性区。
在放大电路中，必须使用三极管工作在放大区。
由三极管的三种状态产生了三极管的两个应用场合：
放大电路和开关电路。
三极管主要参数（直流、交流、极限）
文章目录
∙直流参数
∙交流参数
∙极限参数
三极管的主要参数分为三种，即直流参数、交流参数和极限参数，下面分别介绍：
直流参数
∙共发射极直流放大倍数β=Ic/Ib
∙集电极—基极反向截止电流Icbo，Ic=0时，基极和集电极间加规定反向电压时的集电极电流。
Icb越小，说明三极管的集电结质量越好。
∙集电极—发射极反向截止电流Iceo（穿透电流），Ib=0时，集电极—发射极之间在规定反向电压时的集电极电流。
要求Iceo越小越好。
交流参数
∙共发射极交流放大倍数β=△Ic/△Ib，其中△Ib是Ib的变化量，△Ic时Ic对应的变化量，三极管β值一般以20～100之间为好。
∙共基极交流放大倍数α=△Ic/△Ie约等于≈1。
极限参数
∙集电极最大允许电流Icm，集电极Ic值超过一定限额β值会下降，当β下降到额定值的1/2～2/3时的Ic值称Icm，正常工作时不允许超过Icm。
∙集电极—发射极之间击穿电压BUceo：
指基极开路时，集电极和发射极之间的击穿电压。
∙集电极最大允许耗散功率Pcm：
由于集电结处于反向连接，所以，电阻很大。
当电流流过集电结时，集电结就会产生热量，为了使集电结的温度不超过规定值，集电极耗散功率将受到限制，一般应使Pcm≤IcUce。
三极管测试方法：
基极b和类型与集电极c和发射极e的判断
文章目录
∙基极b和类型的判断
∙集电极c和发射极e的判断
用万用表识别三极管的三个管脚及其类型的方法较为简单。
测试时通常用Rx100或Rx1000档，对于大功率三极管使用Rx10或Rx100档。
因为Rx10K档电压较高，Rx1档电流较大，所以不宜使用。
三极管基极b和类型的判断
由于b、c之间和b、e之间各是一个PN结，它们的反向电阻都很大，正向电阻都很小，因此用万用表的欧姆档测试时，可任意假设一个极是基极，然后用黑表笔接触它，而用红表笔分别接另外两个极，如果两次测得的阻值均很大，则黑表笔所接的就是基极，而且三极管是PNP型的；如果两次测得阻值均很小，则三极管是NPN型的，黑表笔所接的也是基极。
但如果测得的两个阻值一个大一个小，则原来假设的基极就不对，要另换一个极作为基极在测试，直到符合上面所说的结果为止。
三极管集电极c和发射极e的判断
利用三极管正向电流放大倍数比反向电流放大倍数大的原理来确定集电极。
将万用表两个表笔接到三极管的另外两脚，用嘴含住三极管（利用人体电阻实现偏置），看万用表中指针读数，然后将两只表笔对调测试，在读出读数，然后比较两次读数。
对于PNP型三极管来说，阻值小的一次侧脸中，红表笔所接的为集电极；对于NPN型三极管来说，阻值小的一次测量中，黑表笔所接的一段即为集电极。
如果两次中测得的组织均很小或极大，则说明三极管一杯击穿或好坏。
国产二极管型号、三极管型号的命名方式
根据半导体器件型号命名方法（GB249-74）规定，国产半导体由5共部分组成，二极管、三极管的型号命名方式也有5个部分，第一部分是标明晶体管数目（二极管或是三极管）。
第二部分是三极管的材质标识，第三部分是三极管的功能标识，第四部分表示序号，第五部分为规格号。
第一部分：
用数字表示晶体管的电极数目
∙2：
二极管
∙3：
三极管
第二部分：
用字母表示三极管的材料和极性
第一部分表明是二极管的，第二部分字母含义如下：
∙A：
N型锗材料
∙B：
P型锗材料
∙C：
N型硅材料
∙D：
P型贵材料
第一部分表明是三极管的，第二部分字母含义如下：
∙A：
PNP型锗材料
∙B：
NPN型锗材料
∙C：
PNP型硅材料
∙D：
NPN型硅材料
∙E：
化合物材料
第三部分：
用汉语拼音字母表示三极管的类别
∙P：
普通管
∙V：
微波音
∙W：
稳压管
∙C：
参量管
∙Z：
整流管
∙L：
整流堆
∙S：
隧道管
∙U：
光电器件
∙K：
开关管
∙X：
低频小功率管
∙G：
高频小功率管
∙D：
低频大功率管
∙A：
高频大功率管
∙T：
可控整流器
第四部分和第五部分：
表示某些性能与参数上的差别，因不具备统一性，这里就不多说明了。
二极管单相半波整流电路讲解
虽然交流电源有许多优点，但是在某些场合下必须使用直流电源，甚至稳定的直流电源。
本节这节课将开始介绍常见的二极管整流电路。
二极管整流电路是利用二极管的单向导电性将交流电变成直流电的电路。
整流电路常由四部分组成：
交流电源、整流变压器、整流管和负载。
下面以电阻负载为对象来介绍二极管单向半波整流电路。
二极管单向半波整流电路如右图所示，图中B是整流变压器，它将电网交流电压u1变换为符合整流电路所需的电压u2。
变压器次级电压u2的波形图如下所示。
在u2正半周（0～t1时间）内，变压器B的a端电位为正，b端电位为负，使二极管V承受正向电压而导通，此时负载上有电流通过。
如果忽略二极管V很小的正向降压（硅管约为0.6～0.8伏、锗管约0.2～0.3伏），则负载Rz上得到的电压uz就等于u2（uz=u2）。
在u2负半周（t1～t2时间）内，变压器B的a端电位为负，b端电位为正，二极管V承受反向电压而截止（忽略极微小的反向漏电流），变压器次级回路中电流为零。
由于二极管的单向导电性，在一个周期中，仅在半个周期内有电压加在负载上，有电流通过负载，而下半周期中，负载上无电压又无电流，因此称这种电路为半波整流电路。
根据理论分析：
负载电压Uz的平均值为：
Uz=0.45U2
半波整流电路是最简单的二极管整流电路，由于整流效率低，电流波动大，可用于要求不高的场所。
二极管单相全波整流电路讲解
如上图所示为单相全波整流电路，电源变压器具有中心抽头，采用两个整流管二极管V1、V2。
整流变压器将电源电压u1变为次级电压U2a和U2b的两组电压，他们的有效值相等，相位相反。
全波整流电压电流波形图如下右图所示。
在0～t1的时间内，V1导通而V2截止，流过负载的电流为Iv1。
此电流由U2a产生，由a点经V1、Rz回到中心抽头而完成回路，相当于一组半波整流。
在t1～t2的时间内，V2导通V1截止，流过负载的电流为Iv2，此电流由U2b产生，由b点经V2、Rz回到中兴抽头而完成回路，也相当于一组半波整流。
因此在一个周期内，负载Rz上流过相同方向的电路。
理论分析：
负载电压Uz=0.9U2，在全波整流电路中，由于两个整流管V1、V2交替导通，使得输出电压波形较为平稳，但是每个整流管承受的反向电压却比半波整流二极管高一倍，并且变压器还需要有中心抽头。
二极管单相桥式整流电路讲解
文章目录
∙桥式整流电路原理
∙桥式整流与全波整流的区别
在前面的两节课程中我们学习了二极管单相半波整流电路和单相全波整流电路，而本节所学习的二极管单相桥式整流电路，是较为常见的一种全波整流电路，它由四个二极管结成电桥的形式，所以称为桥式整流电路。
如下图所示，给出了单相桥式整流电路的三种画法。
桥式整流电路原理
上图（a）所示，当变压器B次级电压u2为正半周时，即a端电压为正，b端电压为负，二极管V1、V3承受正向电压而导通，二极管V2、V4承受反向电压截止，电流通道为：
a→V1→R2→V3→b完成回路，于是负载Rz上得到一组半波电压。
当U2电压为负半周时，变压器次级的a端电位为负，b端电位为正，二极管V2、V4承受正向电压而导通，而V1、V3承受反向电压截止，电流通道为b→V2→Rz→V4→a完成回路，负载上又得到一个与上半周相同方向的半波电压。
这样，在一个周期内，负载Rz上得到了两个半波。
如下右图所示为单相桥式整流的电压电流波形图。
负载电压Uz的平均值为：
Uz=0.9U2
桥式整流与全波整流的区别
桥式整流电路与前面的全波整流电路比较，在同样负载或同样输出电压、电流时，桥式电路的变压器不用中心抽头，利用率高，且副边电压可低一半；整流管中流过的电流相同，但每只二极管所承受的反向电压却低了一倍。
只是桥式整流电路中要相对多使用两只二极管。
二极管三相桥式整流电路讲解
在前面我们学习的三节课的整流电路都是单相电源的，而单相整流电路只适用于负载功率为几W到几KW的小功率场合。
当需要更大功率时，应采用三相整流电路（三相桥式或三相半波整流），这样既可保证三相供电系统的对称平衡，又有获得脉动较小的直流输出。
三相桥式整流电路由六个整流二极管和一个三相整流变压器组成，如下右图所示。
三相变压器原边常接成三角形，副边接成星型。
变压器副边三相电压UA、UB、UC按正弦规律变化，相位互差120度（三相桥式整流电阻负载时UL波形如下右图所示）。
这一整流电路的特点是在任何时刻都只有一组两只二极管导通，使电流由电位最高的相出发，经V1、V3、V5的某一个，流经负载。
再由V2、V4、V6中的某一个流回电位最低的相，而其它二极管此时都截止。
例如，在0～t时间段，uC最高，uB最低，则由C→V5→Rfz→V4→b；而t1～t2期间
升级会员 