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模拟电子技术题库答案

模拟电子技术

试题汇编

成都理工大学工程技术学院

电子技术基础教研室

2010-9

第一章半导体器件

一、填空题

1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。

2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。

3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变宽。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。

5、场效应管分为两大类：

一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。

6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。

7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。

9、PN结中进行着两种载流子的运动：

多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。

10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V，锗二极管的死区电压约为__0.1____V。

11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量___小_______。

12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_______。

13、PN结具有__单向导电_______特性。

14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。

16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。

18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：

（1）发射结外加_正____________向电压；

（2）集电结外加___反________向电压。

22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。

23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。

24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。

25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。

26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。

27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。

28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。

29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。

30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，会增加________，导通电压会变小_________。

31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。

32、N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是___空穴_____。

33、某晶体管的极限参数，，。

若它的工作电压，则工作电流不得超过__15_____；若工作电压，则工作电流不得超过____100___；若工作电流，则工作电压不得超过___30____。

34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为=－9V，=－6.2V，=－6V，则该三极管是______PNP_______型三极管，A为_______集电______极，B为_____基________极，C为______发射_______极。

35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_____。

36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。

37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。

38、场效应管与晶体管比较，场效应管的热稳定好，输入电阻高，晶体管的放大能力强。

39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。

二、选择题

1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（B）时处于正偏导通状态。

A．0B．死区电压C．反向击穿电压D．正向压降

2、杂质半导体中（A）的浓度对温度敏感。

A．少子B．多子C．杂质离子D．空穴

3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（B），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（A），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（C）。

A．截止B．放大C．饱和D．损毁

4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。

A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏

C．前者正偏、后者也正偏D．前者反偏、后者也正偏

5、双极型晶体管工作时有（A）和（B）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（A）的流动。

A．多子B．少子C．自由电子D.空穴

6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为（A　）（A　）。

A．>B．

7、对二极管正向电阻和反向电阻的要求是（C）

A．、都大B．、都小

C．很小，很大D．大，小

8、稳压二极管动态电阻（B），稳压性能愈好。

A．愈大B．愈小C．为任意值

9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（C）状态。

A．放大B．截止C．饱和D．无法确定

10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D）

A．自给偏压电路B．外加偏压电路

C．无须偏置电路D．栅极分压与源极自偏结合

11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A），而少数载流子的浓度与（B）有很大关系。

A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体管缺陷

12、场效应管属于（B）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（C）控制型器件。

A．电荷B．电压C．电流

13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层（D）。

A．大于B．小于C．等于D．变宽E．变窄F．不变

14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（D）。

A．左移，下移B．右移，上移C．左移，上移D．右移，下移

15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（A）。

A．变窄B．基本不变C．变宽D.先变窄，后变宽

16、在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：

（D）。

AUth≈0.575V，Is≈0.05pABUth≈0.575V，Is≈0.2pA

CUth≈0.475V，Is≈0.05pADUth≈0.475V，Is≈0.2pA

17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（B）。

A．测试各极间电阻

B．测试各极间、对地电压

C．测试各极电流

三、判断题

1、三极管在工作频率大于最高工作频率时会损坏。

（╳）

2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。

（╳）

3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。

（√）

4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

（╳）

5、有人测得晶体管在=0.6V时，=5，因此认为在此工作点上的大约为。

（√）

6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。

（√）

7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（╳）

8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。

（√）

9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（╳）

10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（╳）

11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。

（√）

12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。

（╳）

13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。

（╳）

14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（╳）

15、有人测试晶体管的，方法是通过测得晶体管的，，推算出。

（╳）

四、综合题

1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。

（10分）

管脚（各电极）电位

晶体管1

晶体管2

3V

3.7V

6V

-4V

-1.2V

-1.4V

电极（e或b或c）

e

b

c

c

b

e

NPN或PNP

NPN

PNP

材料（Si或Ge）

Si

Ge

2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）

管子类型

NPN

PNP

NPN

PNP

各电极电位（V）

Ue

Ub

Uc

Ue

Ub

Uc

Ue

Ub

Uc

Ue

Ub

Uc

2

1.7

6

-0.1

-0.3

-3

0

4

6

1.3

1.1

1.2

状态

c

b

d

a

3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？

设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分）

（a）（b）

答案：

（a）

D正偏导通

I=

2RI==6.2V

（b）

D仅偏截止

I=0

=0

=10V

4、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V，求Uo为多少？

（共3分）

答：

=9-6=3V

5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

D导通，

6、判断下列电路能否放大电压信号。

（设图中所有电容对交流信号视为短路）

（9分）都不能放大电压信号

（a）（b）（c）

输入交流短路无直流基极偏压输入交流短路

7、如下图，设硅稳压管、的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少？

（共