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模电知识总结

第一章

半导体二极管

1.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、

锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导

体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:

在本征半导体中掺入微量的三价元素(多

子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体:

在本征半导体中掺入微量的五价元素

(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与

温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为

另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约

为0.2~0.3V

*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止

8.PN结的伏安特性

2.半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降——硅管0.6~07,锗管0.2~0.3V。

*死区电压——硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法——将二极管断开,分析二极管两端电位的高低若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);

若V阳VV阴(反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高

低:

若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);

若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。

理抱模型

*三种模型

 

微变等效电路法

!

_曲

(Cl)小信号模电

3.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,

所以稳压二极管在电路中要反向连接

稳压咛的伏安待杵

第二章三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触

面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种基本组态

阎共发射极组态⑹共蕖电极组态何次基极组态

2.三极管内各极电流的分配

址=/cBO=/bn+JcN=/b+/C如=/bn-icHO

*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

語Zc=A/br1)/CBO种届

式子n/m,"称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管hie---输出端交流短路时的输入电阻,

*输出特性曲线

(饱和管压降,用UCES表示放大区---发射结正偏,集电结反

偏。

0««/v

输出特性曲线

三.低频小信号等效模型(简

(r)简化的H参数習效电賂

化)

截止区---发射结反偏,集电结反偏

4.温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。

温度升高Go、Ice。

、Ic以及

常用rbe表示;

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,

常用B表示;

 

4.

1.VT、Vcc、Rb、Rc、Ci、作用。

2.组成原则----能放大、不失真、输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

VT+

c2的

—W基本放大电路的划惯画法

能传

基本放大电路组成及其原则

*直流负载线---由Vcc=IcRc+Uce确定的直线

*电路参数对静态工作点的影响

1)改变Rb:

Q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变Rc:

Q点在Ibq所在的那条输出特性曲线上移动。

3)改变Vcc:

直流负载线平移,Q点发生移动。

2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---连接Q点和VCC'点VCC'=Uceq+IcqRL的

直线。

3.静态工作点与非线性失真

(1)截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。

*消除方法---减小Rb,提高Q。

(2)饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。

*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大Vcc。

4.放大器的动态范围

(1)Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

(2)范围

*当(UceQ—UCES)>(VCC—UCEQ)时,受截止失真限制,Uopp=2UOMAX=2IcqRl。

*当(UCEQ—Uces)<

UCEQ)时,受饱和失真

(VCC

限制,Uopp=2Uomax=2(uceq—Uces)。

的不失真输出电压。

六.放大电路的等效电路法

1.

(1)静态工作点的近似估

r_^CC■f7BFQ

瓦—

^CQ対

al

―T―+Ktt

rlcYT

5*

静态分析

(H)甚本共射啟大电路(h)直流通路

(2)Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区,应满足Rb>BRc

2.放大电路的动态分析

仙)交流通跆(b)微变弊效电跨

 

Ri

T

%

0

尽1

BQ

A

A

Hr

7?

A

局圈

览+场rbe

%)

vr

/CQ-—

*放大倍数

*输入电阻

*输出电阻

ta)直流迪路

在Re两端并一电解电容Ce后

微变等效电路

尽+尽凡

七.分压式稳定工

放大电路的

1.静态分析

稳罡工件点故大器

v+Frr

◎u£QaCC-+用亡)

2.动态分析

*电压放大倍数

A耳一—肌

凸仏+(1+0)鸟

作点共射

等效电路法

 

输入电阻

尺=^blZ/7?

b2/Zkbe+(1+Z?

)7?

e]

在Re两端并一电解电容Ce后

场=^bl//7?

b2//rbe

*输出电阻

%亦

八・共集电极基本放大电路

1.静态分析

-_丁ere-Fbkq

*-+(1

(H)共蕖电极菇举放大电路

 

^7ceq

2.动态

*电压

分析

放大倍数

 

%-(1+历凤

硏rbe+(!

+/?

)/?

£

*输入电阻

R\二地〃[»+(1+0)(傀/用』

*输出电阻

3.电路特点

*电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简

称射随器。

*输入电阻高,输出电阻低。

场效应管及其放大电路

一.结型场效应管(JFET)

l\JFET^j构及电路符号〔I"P-JI构恋电蹄符号

1.结构示意图和电路符号

2.输出特性曲线

(可变电阻区、放大区、

区、击穿区)

加/inA

丁iii

;-ivA/

r;

-3VJ>

:

一艸比-

-5VJ>

:

-叫一

0闿止区

USI^t/v

 

nr

VT

F-DMOS

(h)

D-MOS结构及屯路符号

EM西结构及电琳符号

VTDM

:

■.

转移特性曲线

.绝缘栅型场效应管(MOSFET)

分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种

结构示意图和电路符号

2.特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线

fa)増强型输出特性(町増强型转移特性

*N-EMOS的转移特性曲线

式中,Ido是UGs=2Ut时所对应的iD值。

*N-DMOS的输出特性曲线

注意:

uGS可正、可零、可负。

转移特性曲线上iD=0处的值

是夹断电压Up,此曲线表示式与结型场效应管一致。

三.场效应管的主要参数

1.漏极饱和电流IDSS

2.夹断电压Up

3.开启电压Ut

4.

直流输入电阻Rgs

5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件)

E-MOS的跨导gm---號汀汽注寻厂川

GSQ

L'T

 

五.共源极基本放大电路

 

1.自偏压式偏置放大电路*静态分析

2.

f/GSQ=^DQ%

fDSQ=,DD_/DQ(^d+见)

忑i--->庇Q旳

fDSQ=?

DD_^DQ+)

Ca)期理电時

3.分压式偏置放大电路

*静态分析

%典=刃厂1W'】DQ比

咆+啥

』DQ"D貂(1•学F或A>q"DO{譬

 

*动态分析

i二-~gm^L

U_百-1+入尽

若源极带有Cs,贝U

/?

i=Rg+R畀]"R似RgRd

六.共漏极基本放大电路

*静态分析

_堆2

碍Q=阳+悩5—dq鸟

』DQ二氐沁•严¥

£p

%二砧{严川

(a)电路纽成

{DSQ=1DDJDQ&

*动态分析

\—匚o—

飞飞_1+%碍

R\=Ag+flg|///?

g2R$-=RJ

\g^I

ARy训血

Cb)微变等效电路

lVih

 

题目:

69页1.3、1.4、1.5、、1.6、、191.10、1.11

93页例2.3.1、、、141页2.2、、2.6、2.7、2.9、、2.10、、

2.11、、2.13、1.14、2.15、1.16、2.17、、2.18第三章

3.1了解什么是直接耦合,阻容耦合,变压器耦合,光电耦

3.2掌握

习题3.23.33.43.53.63.73.83.11

第四章

4.2掌握各种电流源电路

4.3了解什么是双极型,单极型集成运放

习题4.34.44.54.74.114.12

第五章

没有复杂的计算题重点是基础概念把自测题和作业题的前

七题看看,还有十,十二题

高通电路:

因为有旁路和耦合电容有下限截止频率相位大

于零P222

低通电路:

极间电容有上限截止频率相位小于零P223

读波特图:

上下限截止频率拐点个数斜率中品放大倍数

级数(貌似不考多级的)

级数越多下限截止频率越高上限截止频率越低带宽越窄

益越大带宽越窄

第六章

1.反馈的概念,使净输入量增大的为正反馈,减小的为负

反馈,对于分立元件则是看电压差是增大还是减小

直流交流反馈的作用(主要研究交流反馈)习题6.1(5)

P292

2.判断有无反馈何种反馈(瞬时极性法)

反馈量仅取决于输出量与输入量无关要能找出反馈网络

3.四种反馈:

负反馈只有电压串和电流并

稳定电压是电压反馈稳定电流是电流反馈反馈与输入在

同一段是并联反之串联

串联反馈增大输入电阻并联减小输入电阻

电压反馈减小输出电阻电流增大输出电阻

将输出电压接地如果反馈还在是电流反馈不在是电压反馈

反馈量以电压的方式叠加是串联反馈以电流的方式叠加是

并联反馈

负反馈使得频带变宽放大倍数减小放大倍数稳定

4.基本概念:

放大倍数反馈系数闭环放大倍数等概念P271

闭环放大倍数的一般表达式P273

自激振荡的条件(绝大多数尤其是集成运放都满足1+AF〉1

此时闭环放大倍数等于反馈系数的倒数)判断电路能否产

生自激振荡

1+AF〉1是深度负反馈的条件深度负反馈的四种电路放大倍数(感觉出的可能性应该不大)

5.虚短虚断的概念

虚短只在线性区存在,虚断在任何时刻都存在

有可能会出闭环放大倍数和开环放大倍数的题,有可能就

是老师说的实验的那道题(猜的)

这章概念性的东西比较多应该多看看自测题和习题的前十

道,P296的判断方法P292的例题P278279283的几道例题

第七章

1.比例运算电路,加减运算电路,积分微分运算电路,对数指数运算电路,这些都是要掌握的,不用死记,最好理解。

模拟乘法器重点是懂得怎样应用P353到P356

2•低通滤波器是重点,要理解推导过程,结论尽量记住。

了解其他滤波器,最好记住电路图,了解高通,带通,带阻老师画的作业题都尽量再做一遍吧

第八章

1.正弦波震荡电路:

判断是否能产生自激振荡,不对的怎样改正

电感,电容反馈式震荡电路

2.电压比较器:

3种类型识别,判断传输特性,电压比较器的设计

3矩形波,三角波发生电路

4.电压,频率转换电路

习题4,,9,10,14,17,18,23

.第九章

•知道概念:

晶体管的甲类,乙类和甲乙类工作状态,最大输出功率,转换效率

•9,2要掌握,会算效率,最大管压降,最大输出功率。

把这节看明白就行了。

自测题一,习题2,3,4

第十章

直流电源基本知识,包括整流滤波,稳压电路的作用

•整流电路要弄懂,会算电流电压平均值

•滤波电路知道当RIC=(3〜5)T/2时,Uo(AV)=1.2U,例题

10.3.1

•知道电感滤波的输出电压平均值

•10.4是重点,要会,例题会做

-会算串联型稳压电路输出电压的调节范围

开关型稳压电路的组成及特点

习题3,6,8,11,12,17

D3亶g

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