第二章+晶体管及放大电路基础自测题教学文稿.docx
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第二章+晶体管及放大电路基础自测题教学文稿
第二章+晶体管及放大电路基础-自测题
第二章晶体管及放大电路基础
1．晶体管能够放大的外部条件是_________。
（a）发射结正偏，集电结正偏（b）发射结反偏，集电结反偏
（c）发射结正偏，集电结反偏
2．当晶体管工作于饱和状态时，其_________。
（a）发射结正偏，集电结正偏（b）发射结反偏，集电结反偏
（c）发射结正偏，集电结反偏
3．对于硅晶体管来说其死区电压约为_________。
（a）0.1V（b）0.5V（c）0.7V
4．锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________。
（a）0.1V（b）0.3V（c）0.5V
5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的
为_________。
（a）40（b）50（c）60
6．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________。
（a）越好（b）越差（c）无变化
7．与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________。
（a）高（b）低（c）一样
8．温度升高，晶体管的电流放大系数b_________。
（a）增大（b）减小（c）不变
9．温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________。
（a）升高（b）降低（c）不变
10．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。
（a）发射极（b）基极（c）集电极
11．温度升高，晶体管输入特性曲线_________。
（a）右移（b）左移（c）不变
12．温度升高，晶体管输出特性曲线_________。
（a）上移（b）下移（c）不变
13．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________。
（a）不变（b）减小（c）增大
14．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC_________。
（a）不变化（b）有一定变化（c）无法判断
15.当晶体管的集电极电流
时，下列说法正确的是_________。
（a）晶体管一定被烧毁（b）晶体管的
（c）晶体管的
一定减小
16．对于电压放大器来说，_________越小，电路的带负载能力越强。
（a）输入电阻（b）输出电阻（c）电压放大倍数
17．测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为_________。
（a）NPN型锗管（b）PNP型锗管（c）PNP型硅管
18．测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管_________。
（a）处于饱和状态（b）放大状态（c）截止状态（d）已损坏
19．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________。
（a）同相（b）反相（c）相差90度
20．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真。
（a）饱和（b）截止（c）饱和和截止
21．引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是_________。
（a）输入电阻太小（b）静态工作点偏低
（c）静态工作点偏高
22．一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压
的幅度时，输出电压
的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应_________。
（a）减小
（b）减小
（c）减小
23．利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_________。
（a）输出功率（b）静态工作点（c）交流参数
24.NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为_________。
（a）
（b）
（c）
25.既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。
（a）共射极（b）共集电极（c）共基极
26．引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
（a）晶体管的电流放大系数太大（b）电源电压太高
（c）晶体管参数随环境温度的变化而变化
27.在放大电路中，直流负反馈可以________。
（a）提高晶体管电流放大倍数的稳定性
（b）提高放大电路的放大倍数
（c）稳定电路的静态工作点
28.可以放大电压，但不能放大电流的是_________放大电路。
（a）共射极（b）共集电极（c）共基极
29.射极输出器无放大_________的能力。
（a）电压（b）电流（c）功率
30.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是________放大电路。
（a）共射极（b）共集电极（c）共基极
31.与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定_________。
（a）不变（b）变大（c）变小
32．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入
的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_________。
（a）0.5kW（b）1kW（c）2kW
33．已知图示放大电路中的
，
，
晶体管的
，
。
则可以判定，该晶体管处于_________。
（a）放大状态（b）饱和状态
（c）截止状态
34．在上题中，若晶体管的
降为50，则可以判定，
（1）该晶体管处于_______。
（a）放大状态（b）饱和状态（c）截止状态
（2）放大电路的动态范围_______。
（a）增大（b）减小（c）不变
（3）当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现_______失真。
（a）饱和（b）截止（c）饱和
35.在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是_______多级放大电路。
（a）阻容耦合（b）变压器耦合（c）直接耦合
36.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应_________
（a）好（b）差（c）相同
37.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的_________多级放大电路。
（a）阻容耦合（b）变压器耦合（c）直接耦合
38.若三级放大电路的
，
，电路将输入信号放大了_________倍。
（a）80（b）800（c）10000
39.有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，
，
。
现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为_________。
（a）40dB（b）32dB（c）16dB
40．由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。
这种失真称为_________失真。
（a）饱和（b）截止（c）频率
41．放大电路的两种失真分别为_________失真。
（a）线性和非线性（b）饱和和截止（c）幅度和相位
42.直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合）多级放大电路相比，低频响应_______。
（a）差（b）好（c）差不多
43.在放大电路幅频响应（波特图）曲线中，在上限截止频率
和下限截止频率
频率点处，电压增益比中频区增益下降了
，亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_______倍。
（a）
（b）
（c）
44.在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号
为正弦波，则输出信号
_________。
（a）会产生线性失真（b）会产生非线性失真（c）为正弦波
45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_________放大电路的高频特性最好。
（a）共射极（b）共集电极（c）共基极
46.对于多级放大电路，其通频带与组成它的任何一级单级放大电路相比_________。
（a）变宽（b）变窄（c）两者一样
47.多级放大电路的级数愈多则上限频率fH_________。
（a）越高（b）越低（c）无变化
48.具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降_______。
（a）3dB（b）6dB（c）20dB
49.多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移_________。
（a）越大（b）越小（c）无变化
50.晶体管的共射截止频率
、共基截止频率
及特征频率
三者之间的大小关系是_________。
（a）
（b）
（c）
51.已知某晶体管的
，
。
当其工作频率为
时，
_________。
（a）
（b）
（c）
52.单级阻容耦合放大电路加入频率为
和
的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_________度的附加值。
（a）180（b）90（c）45
53．在单级阻容耦合放大电路的波特图中
（1）频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_________；
（a）20dB/十倍频，-20dB/十倍频，（b）20dB/十倍频，20dB/十倍频，
（c）-20dB/十倍频，20dB/十倍频，
（2）相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_________。
（a）45°/十倍频，-45°B/十倍频（b）（a）45°/十倍频，45°B/十倍频
（c）-45°/十倍频，-45°B/十倍频
54．两级放大电路中，已知
，
；
，
。
则
（1）总的下限截止频率
_________；
（a）30Hz（b）40Hz（c）55Hz
（2）总的上限截止频率
_________。
（a）18kHz（b）30kHz（c）60kHz
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