模电习题.docx
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模电习题
第一章习题
1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为（）
A、本征半导体
B、P型半导体
C、N型半导体
2、N型半导体中少数载流子为（）
A、自由电子
B、空穴
C、带正电的杂质离子
3、P型半导体是（）
A、带正电
B、带负电
C、中性
4、PN结加正向电压时，其正向电流是（）
A、多数载流子扩散形成的
B、多数载流子漂移形成的
C、少数载流子漂移形成的
5、稳压二极管是利用PN结的（）
A、单向导电性
B、反向击穿特性
C、反向特性
6、PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压）（）
A、其反向电流增大
B、其反向电流减小
C、其反向电流不变
7、三极管工作在放大区的条件是（）
A、e极重掺杂
B、基区极薄
C、C结面积大与e结面积
D、e、c结均正向作用
E、e结正向作用，C结反向作用
8、测得某三极管的三个电极的电位为U1=5V，U2=1.2V,U3=1V,试判定该管为何种类型,是硅管还是锗管,并确定e、b、c极
9、晶体管工作在放大区，测得当IB=10uA时IC=1mA，IB=30uA时IC=2mA，求该管交流放大系数ß和直流放大系数ß，该管的穿透电流ICEO为多大？
第二章 习题
1、放大电路应具备的条件式（）
A、放大器件工作在放大区
B、有信号电压输出
C、放大器件工作在截至区
D、输入信号能送至放大器件的输入端
E、输入信号要足够大
2、三种基本放大电路中电压放大系数近似为1的是（）
A、共e极放大电路
B、共C极放大电路
C、共b极放大电路
D、无法确定
3、共C极放大电路的主要特点是（）
A、电压放大系数最大
B、输入电阻大
C、输出电阻小
D、输出电压与输入电压的相位相同
E、输出电压近似等于输入电压
4、直接耦合放大电路的特点是（）
A、工作点互相独立
B、便于集成
C、存在零点漂移
D、能放大变换缓慢的信号
E、不便调整
5、当输入信号频率为fl和fh时，放大倍数的幅值约下降为中频时的_____,或下降了____dB。
此时与中频时相比，放大倍数的附加相移越为______。
6、如图
（1）所示射极输出器，设ß=100：
求：
（1）静态工作点
（2）画出中频区微变电路
（3）RL→∞时，电压放大倍数Au为？
RL=1.2KΩ时,Au=?
并求出此时的输入电阻ri?
（4）求输出电阻ro?
第二章 习题答案
1、A、B、D
2、B
3、B、C、D、E
4、B、C、D、E
5、
，3dB，45o
6、解：
（1）
（2）它的微变等效电路为：
如图
（1）所示
（3）RL→∞时，
电压放大倍数Au为
RL=1.2KΩ时，
，
因为：
，所以：
（4）输出电阻为：
第三章 部分习题
1.场效应管的主要优点是（）
A.输出电阻小
B.输入电阻大
C.是电流控制器件
D.组成放大电路时电压放大系数大
2.某场效应管输出特性曲线如右图所示,则它是（）
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道增强型MOS管
C.P沟道结型场效应管
D.N沟道耗尽型MOS管
3.下面是场效应管特点的是（）
A.电流是由多数载流子形成
B.输入端的电阻很小
C.是通过输入电压来控制输出电流的
D.抗干扰和辐射能力强
E.组成放大电路时其电压放大系数没有三极管组成的电路大
4.结型场效应特性如右图所示,求出该管的
（1）加断电压UP;
（2）饱和漏极电流;
（3）UDS=10V;ID=4mA时的跨导gm
第五章 习题
1、零点漂移产生的原因是？
2、差动放大电路能有效的克服温漂，这是通过__________
3、共模抑制比CMRR是______之比，CMRR越大表明电路__________
4、关于集成运算放大器，下列说法正确的是（ ）
A、集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B、集成运放只能放大直流信号
C、希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小
D、集成运放的CMRR大
E、集成运放只能用于模拟信号的运算
5、长尾电路如右上图所示，设UBE=0.7V ß=100,试求
（1）三极管的静态工作点ICQ、UCEQ
（2）放大器的差模电压放大倍数Aud，差模输入电阻rid和输出电阻rod
答案
1、零点漂移产生的原因是：
在直接耦合放大电路中，由于前级（第一级）放大器件参数会随温度发生缓慢的变化，使工作点随机漂移，这种漂移被后级逐级放大，从而在输出端产生零点漂移。
2、答：
（1）差动电路射极耦合电阻的共模负反馈作用来抑制温漂；
（2）差动电路的对称性使得输出端之间的温漂抵消。
3、差模电压放大倍数与共模电压的放大倍数的绝对值之比，电路对共模信号的抑制能力越强
4、A、C、D
5、
（1）当U1=U2=0并忽略IBQ时，UE≈-0.7V，所以有
故：
（2）根据计算差模指标的公式有:
第六章 习题
1、集成运放应用于信号运算时工作在什麽区域？
A、非线性区
B、线性区
C、放大区
D、截至区
2、理想集成运放的AOd=_____，rid=_____，rod=_____，CMRR=_____.
3、为什麽用集成运放组成多输入运算电路，一般采用反相输入的形式，而较少采用同相输入形式？
4、反相比例电路如图
（1）所示。
其中R1=10KΩ，Rf=30KΩ，试估算它的电压放大倍数和输入电阻，并估算R'的大小?
5、试用集成运放实现求和运算：
.
要求对应的各输入信号来说，电路的输入电阻不小于5KΩ。
请选择电路的结构形式并确定电路参数。
6、试用集成运放实现以下运算关系
，并要求各路输入电阻至少为100KΩ。
请选择电路结构形式并确定电路参数。
第六章 习题答案
1、B2、
3、答：
由于反相输入时，集成运放的反相端为虚地，可使输入信号源之间无相互影响；为得到规定的输出，电路的参数的选择比较方便
4、解：
；
；
5、解：
采用反相求和电路。
取与Ui2串联的电阻R2=5KΩ，则负反馈电阻Rf=50KΩ。
这时与Ui1串联的电阻R1=50KΩ，与Ui3串联的电阻R3=25KΩ。
6、解：
选择电路形式如图
（1）所示：
取：
R1=300KΩ，R2=100KΩ，Rf=300KΩ
R3=20KΩ，R4=100KΩ，C=10uF
第七章 习题
1、一个实际的正弦波电路的组成为（）
A、放大电路和反馈网络
B、放大电路和选频网络
C、放大电路、反馈网络和稳频网络
D、放大电路、反馈网络和选频网络
2、产生低频正弦波一般可用____振荡电路，产生高频正弦波可用______振荡电路，要求频率稳定性很高，则可用_____振荡电路。
3、电路如图
（1）所示，为组成一个RC文氏振荡电路，其连接方式为（）
A、1--7，2--8，3--5，4--6
B、1--5，2--6，3--7，4--6
C、1--7，2--6，3--8，4--5
D、1--7，2--5，3--6，4--6
4、若要提高振荡频率，应（）
A、增大R
B、减小C
C、增大R1
D、减小R2
5、若振荡器输出的正弦波形失真，应（）
A、增大R
B、增大C
C、增大R1
D、增大R2
第七章 习题答案
1、D2、RC，LC，石英晶体3、D4、B5、D
第八章 习题
1、功率放大电路如图
（1）所示：
该电路工作状态（）
A、工作在甲类状态，存在非线性失真；
B、工作在乙类状态，存在交越失真；
C、工作在甲乙类状态，存在交越失真；
D、工作在乙类状态，不存在交越失真。
2、在OCL功率放大电路中，输入正弦波，输出波形如图
（2）所示，则该电路产生（）
A、饱和失真
B、截至失真
C、频率失真
D、交越失真
3、为了改善题2的输出波形，电路应该（）
A、进行相位补偿；
B、适当减小功放管静态|UBE|值，使之处于微导通状态；
C、适当增大功放管静态|UBE|值，使之处于微导通状态；
D、适当增加负载电阻RL的阻值
4、甲类放大电路，其放大管得导通角为：
_______；乙类放大电路的放大管的导通角为：
_______；甲乙类放大电路的放大管的导通角为：
_________。
第八章 习题答案
1、B
2、D
3、C
4、360度；180度；大与180度小于360度。
第八章 习题
1、功率放大电路如图
（1）所示：
该电路工作状态（）
A、工作在甲类状态，存在非线性失真；
B、工作在乙类状态，存在交越失真；
C、工作在甲乙类状态，存在交越失真；
D、工作在乙类状态，不存在交越失真。
2、在OCL功率放大电路中，输入正弦波，输出波形如图
（2）所示，则该电路产生（）
A、饱和失真
B、截至失真
C、频率失真
D、交越失真
3、为了改善题2的输出波形，电路应该（）
A、进行相位补偿；
B、适当减小功放管静态|UBE|值，使之处于微导通状态；
C、适当增大功放管静态|UBE|值，使之处于微导通状态；
D、适当增加负载电阻RL的阻值
4、甲类放大电路，其放大管得导通角为：
_______；乙类放大电路的放大管的导通角为：
_______；甲乙类放大电路的放大管的导通角为：
_________。
第八章 习题答案
1、B
2、D
3、C
4、360度；180度；大与180度小于360度。
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