各工序问题汇总.docx

各工序问题汇总.docx

《各工序问题汇总.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《各工序问题汇总.docx（18页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

各工序问题汇总

装片岗位

4.质量控制点

答：

清洗间的质量控制点分为三个方面：

来料检验，减薄量，绒面。

装片人员检查硅片特性（导角、厚度、尺寸）与配料单符合性

减薄量：

单晶125S（0.3g_0.4g）156S（0.4g_0.5g）

特殊情况：

做多晶当清洗机刚换过液时，我们一般把减薄量控制在合格范围的下限并偏小0.02g，即125M（0.16g-0.18g）,156M（0.28g-0.3g）。

减薄量的抽查频次为3片/300片．并将减薄量的数据写在流程卡对应记录格中，便于后道调整工艺要求．我们必须保证片子表面干净，绒面分布均匀，没有色斑，色差

6.单晶制绒的原理

答：

为了提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率,工业生产中通常采用碱与醇的混合溶液对（100）晶面的单晶硅片的各项异性腐蚀在表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。

7.单晶制绒的化学方程式

答：

8.化学品更换周期和浓度配比

答：

理想质量的绒面的形成,受到了诸多因素的影响,例如原材料的特性、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。

为了维持生产良好的可从复性，并获得高的生产效率,要求我们比较透彻的了解绒面的形成机理,控制对制绒过程影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔容面.用氢氧化钠加乙醇,在80-83度之间,时间30-40min左右,根据原材料的特性来配液就可以做出质量较好的容面。

2#槽：

HF176LHNO33L周期为一周

4#槽：

KOH52L周期为24H

6#槽:

HF32LHCL64L周期为24H

11.单晶制绒的作业流程

答：

检验硅片尺寸--装片--测厚度--制绒--观察绒面--称重--清洗--甩干

12.原材料异常缺陷种类的判定、报告及处理

答：

原材料的异常缺陷包括：

称重不准确、拆封后原材料缺角、裂纹较多，合格片中有微晶片、雪花晶、锯痕片、厚度不对、倒角与原材料的信息不一致、混乱，让步片：

原因：

厚薄不均、少子寿命少、电阻率低等。

等外品，硅片厚度、型号、倒角大小、批次号等与信息配料单不一致发生这种异常时第一时间找领班、QC确认，同时通知主管，与仓库联系，质量部开具制程异常单，该退库的退库；继续往下道流的确认后就往下流

13.原始硅片的称重、拆封及数量确认

答：

检验职责

Ⅴ数量的确认，通过前面的称重、拆封就在最后装片完了之后把总数相加，就能得到准确的数量

15.硅片厚度的测量（会千分尺的使用）

答：

厚度的测量是用千分尺测量，当千分尺旋到接近硅片的时候，改旋千分尺后的微调，当听到“两声响后”再读取千分尺上的数据，千分尺的使用一定要注意复零和经常校正

16.对化学品的特性了解及岗位防护知识

答：

氢氧化钠固体溶于水放热；又称烧碱、火碱，，化学式NaOH。

其水溶液呈强碱性，纯的无水氢氧化钠为白色半透明，结晶状固体，溶解时能放大量的热。

盐酸是强酸，健康危害：

接触其蒸气或烟雾，可引起急性中毒，出现眼结膜炎，鼻及口腔粘膜有烧灼感，鼻衄、齿龈出血，气管炎等。

误服可引起消化道灼伤、溃疡形成，有可能引起胃穿孔、腹膜炎等。

眼和皮肤接触可致灼伤。

慢性影响：

长期接触，引起慢性鼻炎、慢性支气管炎、牙齿酸蚀症及皮肤损害。

环境危害：

对环境有危害，对水体和土壤可造成污染。

燃爆危险：

本品不燃，具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。

氢氟酸性质:

氢氟酸是氟化氢气体的水溶液,为无色透明至淡黄色冒烟液体。

有刺激性气味。

分子式HF。

无色溶液，有毒。

具弱酸性，腐蚀性强，对硅的化合物有强腐蚀性。

应在密闭的塑料瓶内保存。

硝酸化学式HNO3。

无水纯硝酸是无色液体，因而呈红棕色。

具有强烈的刺激性气味和腐蚀性。

遇皮肤有灼痛感，呈黄色斑点，硝酸也是一种重要的强酸（三大强酸：

盐酸、硫酸、硝酸），特点是具有强氧化性和腐蚀性。

硝酸；硝镪水。

异丙醇概述：

异丙醇的分子式C3H8O，性质：

1.异丙醇是无色透明可燃性液体，有與乙醇、丙酮混合物相似的气味。

蒸气与空气形成爆炸性混合物。

六氟硅酸；属酸性腐蚀品，分子式H2[SiF6]。

有刺激性气味。

易挥发。

能腐蚀玻璃、陶瓷、铅及其他金属。

对人体皮肤有强烈腐蚀，对人的呼吸器官有毒害。

防护：

1、在整个化学品的运输过程中必须戴好防护眼镜、3M口罩、防酸手套、防护鞋。

2、运输时使用化学品运输专用液压车。

3.集中供液区换液时必须双人监视

4.整个换液过程中必须戴好防护用品：

防护服、防酸手套、防毒面具、防护鞋。

化学品的作用：

NaOH:

去除硅片表面的机械损伤层，并生长出绒面。

Na2SiO3.9H2O硅酸钠：

减缓NaOH与Si的反应速率

C3H8O异丙醇带走反应产生的H2。

单晶制绒岗位

1.工艺卫生知识掌握

答：

不清楚的原材料一律不可接收

定期清理机械臂、槽盖

窗户不操作时一律关上

戴好乳胶手套、每天对槽体进行冲洗

控制制好绒面的硅片在空气停留的时间

2.单晶制绒及返工片配液方法

答：

清洗槽，去除槽内的碎硅片及其它有机物，清洗后加水到指定位置；

制绒配液：

氢氧化钠浓度1.5%—2%异丙醇3%—10%硅酸钠1-3%；现在六-九线的纯水体积在165升左右，也就是氢氧化钠3—4瓶异丙醇5—17瓶硅酸钠2-5瓶。

这只是一个参考浓度，不同厂家的硅片有不同的配方。

3.原材料异常缺陷种类的判定、报告及处理

答：

见装片12条

4.熟悉制绒机的运行流程和机械动作

答：

槽体说明

单晶制绒机使用的是深圳鸿意宝的机器,

1#槽2#槽3#槽为清洗槽,主要清洗硅片表面的油污等其他脏东西.

1#槽超声清洗加部分药品（有盖）2#槽超声清洗不加药品（无盖）

3#槽工艺槽,将来作为特殊清洗.

4#槽5#槽6#槽7#槽为制绒槽,制绒的主要过程在当中反映,4个槽相同.

8#槽9#槽为清洗槽,主要清洗反应过程中产生的附着于硅片表面的物质.

8#槽梯度槽

9#槽溢流槽

5.绒面异常时的反馈、调整及总结处理

故障表现

诊断

措施

绒面稀疏、黑白相间、反射率偏高（所谓不出绒面说法）

1、NaOH与IPA比例失调,IPA抑止反应进行，NaOH含量偏低，不能充分进行反应。

降低IPA浓度，增加NAOH浓度；如果还不行放掉原比例失调的溶液，重新进行配液。

2、表面清洁度不好

进行超声清洗、高浓度NAOH、乙丙醇进行清洗。

晶片承载器形成两条白边

白边部份硅片反应不够充分，这部份对于无白边部分偏厚。

提高NaOH含量浓度比增加0.1%~0.2%，延长制绒时间。

单晶硅片四边都有白边

仍有白边部份硅片反应不够充分，这部份对中间无白边部份偏厚。

换言之，整个硅片化学反应不够均匀，中间部份反应放热不易，导致反应激烈。

控制硅片中心速度，增加缓冲剂。

硅酸钠溶液可视为缓冲剂。

雨点状

有雨点状白色部份，显然该处反应缓慢造成那一部份偏厚，氢气泡粘附或氢气泡移动缓慢形成。

使用IPA，IPA沸点高，易于带走氢气泡。

绒面角锥体过大

反应温度过大在<100>面上反应速率远大于  <111>面上反应速率

降低温度到80~82℃，这里要判断温示温度与实际温度是否一致。

1.绒面太大：

丝网处容易形成铝包；容易造成烧穿；电流降低。

减少制绒时间，降低NAOH的浓度。

2.绒面太小：

电流降低。

增加制绒时间，增加NAOH的浓度。

3.硅片表面不干净：

降低优质品率，效率受到影响。

增加制绒时间和NAOH的浓度。

多晶制绒岗位

1.多晶制绒的岗位原理

答：

多晶制绒原理：

采用酸制绒,腐蚀多晶硅的缺陷,形成一个一个的坑洞.

2.多晶制绒的化学方程式

答：

Si+2HNO3→SiO2+2HNO22HNO2→NO+NO2+H2OSiO2+6HF→H2〔SiF6〕+2H2O

3.多晶制绒配液方法

4.化学品更换周期和浓度配比

5.制绒机各感应点的认识

上料→制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干→下料台

清洗岗位

1.甩干机的原理

答：

基于离心旋转原理并结合喷水、喷氮的清洗烘干设备。

（原理）

低速旋转热水喷淋冲洗（作用）

高速离心甩干同时氮气加热烘干（作用）

2.显微镜绒面的观看及保存

答：

制绒人员需要了解及使用电子显微镜。

随机性抽取一片制绒后的硅片用N2吹干后，放在电子显微镜下通过电脑成像来判断绒面的大小，判断制绒的效果，绒面在3-10um为最佳，并保存在文件夹内以供参考和查询，每张单子保存一片

3.绒面异常的判定及处理

答：

制绒时制绒人员从槽内每框里各个位置抽取硅片对着光线更换角度来检查片子的表面是否干净（白斑与雨点），绒面的效果是否正常，再通过调整溶液的浓度、温度及反应时间来使槽内的浓度发生变化，达到改变制绒效果的目的

4.减薄量的测量

答：

制绒人员抽取一片原始硅片在电子天平上测量重量，做好记录，放入框中，做好记号，待硅片制绒完从下料台出来以后把原先做好记号的那片测量过的硅片拿出来吹干后再从新在电子天平上称重，这就是制绒后的重量，这时制绒前和制绒后的重量差值就是减薄量，以“g”为单位，一张单子应有一次减薄量的记录。

5.清洗机加液的量控制及更换周期

答:

员工换夜时必须做好一人换夜，一人辅助（即1+1流程），按工艺标准的更换周期和量来执行，HF每次32L，每24小时更换一次，HCL每次56L,48小时换一次，员工换夜时要做好护，在往槽内加液时，只要溶液深度略大于硅片深度就可以，要及时关好阀门，以免溶液溢出

6.硅片清洗后的称重

答：

硅片清洗后，硅片上面有溶液，需要把表面的溶液用气枪吹干后再拿到电子天平秤上，先调节电子天平的水平，再称重，数据以显示为准

7.甩干机放片的注意

答：

相同份量的硅片一定要对称放置，并检查装片承载盒有没有放好；

甩干过程中，不可为了赶产量按下急停按钮，产生震动容易导致碎片，致使设备损坏；

运行中电机过载报警，按变频器reset键，消除变频器过载保护，再按触摸屏复位键即可。

不要把水滴在触摸屏等电气元件上，避免短路情况发生；

运行中震动较大，检查传动系统，尤其是传送带，必要时更换；

定期清理腔室碎片，避免出水管堵塞；

定期检查气液缸的液位，正常液位为视镜管的1/2-2/3；

外桶门的密封圈经常检查，如有损坏要及时更换

甩干机的工艺参数是由工艺根据需要调节好的，甩干机的温度是120℃，甩干机四步骤：

低速喷水60s,高速喷N2290s，蜂鸣延时、自动停止各5s.

扩散岗位

1..扩散间的工艺原理和目的

答：

扩散间的目的：

制造PN结

工艺原理：

POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。

但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2），生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。

POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。

POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。

2.扩散间的化学方程式

答：

扩散面挑选择主要视绒面的优劣而定，如两面均不良必须返工

答：

C2H3CL3:

无色液体，有芳香味，不溶于水，可溶于乙醇和乙醚。

灭火方式：

雾状水，泡沫，二氧化碳，沙土

POCL3：

剧毒，无色透明发烟气体，有辛辣味，溶于水和乙醇。

灭火方式：

干粉，干燥沙土

五氧化二磷化学式为P2O5（或者P4O10）分子晶体，有强烈吸水性。

极易溶于水并和水反应。

五氧化二磷还有强烈的吸水性

五氯化磷：

分子式PCl5外观与性状淡黄色结晶，有刺激性气味，易升华

溶于水、二硫化碳、四氯化碳，稳定性稳定，危险标记20（酸性腐蚀品）

7.生产异常的处理：

故障表现

诊断

措施

扩散不到

1、炉门没关紧，有源被抽风抽走。

1、由设备人员将炉门定位，确保石英门和石英管口很好贴合

2、携带气体大氮量太小，不能将源带到管前

2、增大携带气体大N2流量

3、管口抽风太大

3、将石英门旁边管口抽风减小

扩散R□偏高/偏低

偏高：

1、扩散温度偏低

1、升高扩散温度，加大源量。

2、源量不够，不能足够掺杂

2、处长扩散时间

3、源温较低于设置20℃

3、增加淀积温度

4、石英管饱和不够

4、做TCA（4+1）n

扩散R□偏高/偏低

偏高：

1、扩散温度偏低

1、升高扩散温度，加大源量。

2、源量不够，不能足够掺杂

2、处长扩散时间

3、源温较低于设置20℃

3、增加淀积温度

4、石英管饱和不够

5.恒温箱温度偏高

4、做TCA（4+1）n

5.在控制屏上对应调节

偏低：

1、扩散温度偏高

1、减小扩散温度

2、源温较高于20℃

2、减少扩散时间不减少淀积温度

扩散片与片之间

1、扩散温度不均匀

1、重新拉扩散炉管恒温

R□不均匀

扩散后单片上方块电阻不均匀

扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀

1、调整扩散气流量，加匀流板

2、调整扩散片与片之间距离

扩散后硅片有色斑

1、甩干机扩散前硅片未甩干

1、调整甩干机设备及工艺条件

2扩散过程中偏磷酸滴落

2、长时间扩散后对石英管进行HF浸泡清洗

正常运行工艺时，舟不能自动进出，怎么办？

答：

１有可能是面板上的“急停”按纽处按下去了。

２限位开关未复位或损坏。

３保险丝烧段，由设备换保险（１Ａ）。

４操作面板按了“已保持”。

扩散炉清洗好石英管后，温度无法升上来，原因有那些？

答：

１炉下保险丝烧坏，由设备人员更换。

２可控硅烧坏。

３温控坏。

４热电偶短路。

换POCL３或ＴＣＡ时；由于误操作，将软管接反，源倒流，怎么办？

答：

１立即关闭小Ｎ2，把软管卸下，用带有酒精的麻布擦。

２联系工艺更换软管。

３将Ｏ2开至20000,因为Ｏ2是起分解作用的，可将管中残源分解．

４正确装好再做鼓泡实验。

9.方块电阻的控制

答：

M——多晶S——单晶

型号电阻率范围方块电阻控制范围

125S0.5——342——45

125S3——638——42

10.影响扩散效果的因素

答：

管内气体中杂质源的浓度影响扩散方块电阻的因素有：

1.源量。

2.时间。

3.温度

影响扩散后硅片电阻测量精确因素有：

1.光照2.温度3.高频干扰。

11.方块电阻的测试（四探针测试仪）

答：

每张单子平均分5个区段选取5片硅片进行测试，测试前需校正四探针的使用电流到4.530mA,电流每４小时校正一次。

测试中要对位，发现方块电阻异常片，需加测该片旁边硅片的方块电阻。

方块电阻异常的返工，正常片流转。

根据方块电阻的各区情况确定温度的调整。

对于源偏少的需更换源瓶。

四探针法：

直线陈列四根金属探针（一般用钨丝腐蚀而成）排列在彼此相距为S一直线上，并且要求探针同时与样品表面接触良好，外面一对探针用来通电流、当有电流注入时，样品内部各点将产生电位，里面一对探针用来测量2、3点间的电位差

使用环境：

温度23度相对湿度≤65%无高频干扰无强光直射

用途：

测量半导体材料的电阻率，方块电阻，导电膜方块电阻。

原理：

使用四根处在同一水平面上的探针压在所测材料上，1、4探针通电流2、3探针间就会产生一定的电压，由此就可以得出电阻。

刻蚀岗位

1.刻蚀间的工艺原理和目的

答：

原理：

湿法刻蚀采用HF与HNO3的混合溶液与硅片边缘进行反应

目的：

去除边缘PN结

2.刻蚀间的化学方程式

答：

4HNO3+3Si→3SiO2+4NO+2H2O

6HF+SiO2→H2〔SiF6〕+2H2O

2KOH+SiO2→K2SiO3+2H2↑

注：

其中HCL与金属离子可进行反应，去除硅片表面的金属杂质

4.刻蚀的生产流程

答：

刻蚀传递窗取片→抽取5片硅片测试方块电阻及减薄量（每两张流程卡测一次）→刻蚀上料放片→刻蚀下料插片，写流程卡至PECVD

6.下料时承载盒的开口方向

答：

下料时的承载盒的开口方向必须朝下放置

7.承载盒的清洗及清洗液的配比

答：

承载盒由于使用一定时间后，在承载盒上会有杂质，因此一个月清洗一次（一般在月设备维护时），清洗时用小推车推至清洗间用清洗机清洗，先碱洗后酸洗

8.方块电阻的测量及异常的处理

答：

戴上一次性手套，每两张流程单抽取一片硅片，用四探针测试仪测试方块电阻，记录刻蚀前和刻蚀后的方块电阻值刻蚀前后方块电阻会有所提升，一般会提升1-2欧姆，需要与流程卡上方块电阻进行比对，如超出扩散后方块电阻上限5欧姆需通知工艺调查原因。

，

10.方块电阻及减薄量的测试范围

答：

刻蚀减薄量　　156MorS（0.05g-0.09g）　125MorS（0.03g-0.05g）

12.化学品的特性及泄漏应急处理

答：

氢氧化钾分子式：

KOH。

特性：

1．性状：

固体工业氢氧化钾为灰白、蓝绿或淡紫色的片状或块状，液体工业氢氧化钾为淡黄色或蓝紫色液体。

属强碱，有强腐蚀性，溶解时放出大量的热。

２．性质：

（１）跟酸反应　（２）跟非金属单质反应　（３）跟氧化物反应　　2KOH+SIO2=K2SIO3+H2O

化学品泄露：

在集中添加桶处发现管道破裂或添加桶破损要立即停止向设备供液，在确保安全的情况下对泄露化学品进行堵围，防止泄露到地面上的范围扩大，如不能确保安全，应在第一时间内通知设施及相关人员对其处理。

1.PECVD参数的正确调整及原则

答：

1.PECVD生产员工不得私自改动工艺参数

2.PECVD的工艺原理、目的

答：

利用微波等离子在硅片表面形成一层减反射SIN膜，该膜具有卓越的抗氧化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。

SIN膜正常颜色为蓝色。

3.PECVD的化学方程式

答：

5.镀膜质量的辨别及如何更改沉积时间

答：

单晶膜厚为72nm,多晶膜厚为85nm,折射率在2.0—2.1。

外观质量的膜前检测

A.针孔（插片时可挑出）B.边缘刻蚀过大C.外观异常

缺角：

156*156M﹥14*14mm　　125*125M﹥18*18mm

边缘脱晶：

不可脱穿，外型呈三角深度﹥0.5mm

导角异常：

单晶导角混乱

一框膜后偏红则需增加沉积时间减缓传送带的速度，偏白则减少沉积时间

6.返工片的挑选标准

答：

白点﹑白斑﹑黑斑﹑油污﹑滚轮印﹑水纹印、亮点、色斑、绒面色差、发红发黄片等（在线上进行了解，辨别）

7.去除石墨筐上沉积的SiN的方法

答：

1.不定期对石墨框上的SiN进行清理

2.利用钳子等工具进行轻敲，注意石墨框的安全3.四个工艺挂钩点需特别注意

8.PECVD的特气、冷却水的压力范围

答：

1.冷却水压力应在4kg/cm2--6kg/cm2范围内。

2.压缩空气为5kg/cm2--7kg/cm2。

3.氮气压力小于5kg/cm2。

9.更换石英管的流程及方法

答：

流程：

准备管子→退出工艺进行吹扫→关闭特气→充气关泵开盖→拆管→清扫腔体→透孔→开始装管→缩紧管子两头并加固→装好管后再次清扫腔体→擦拭密封圈并关盖→抽真空并加热→打开特气→载入工艺并开始生产

10.换管的注意事项

答：

1.不要用赤手接触石英管，如果手接触了石英管，可用酒精擦洗石英管

2.注意：

穿带防护用品，防止烫伤，划伤，氮化物进入眼睛

3.检查铜天线头是否穿在石英管铜管中间。

注意不能插僻

火灾扑救切断气源灭火，用水雾减少空气中形成的燃烧产物，不要用卤化物类灭火器。

从最远的距离用水冷却暴露在火焰中的钢瓶。

从泄漏区疏散所有人，切断气源，根据燃烧的物质灭火。

由于热量的作用气瓶内压力会升高，如果泄压装置失灵会引起钢瓶爆炸。

泄漏的微波会损伤人体

12.吸笔的定时擦试

答：

吸笔吸片一段时间后就会在吸笔上沾上吸附在片子上的脏污，因此每隔两个小时就要用酒精擦拭保证吸笔的干净

15.PECVD的开关机

答：

开机：

开总电源→启动计算机→检查冷却水→检查气源→启动“system”程序

关机：

停止工艺运行→关墙壁气箱中特气阀,特气管路吹扫→关掉真空泵,向机器腔体冲入净化N2→退出控制程序“system”,关主电源→关上压缩空气、氮气、冷却水

16.工夹具的正确使用

答：

17.设备异常的了解及设备报警的应急处理

答：

丝网印刷

1.丝网印刷的生产流程

答：

一.背电极印刷，在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极，使用浆料是银浆

二.背电场印刷，在太阳电池背面丝网印刷铝浆，通过烧结穿透背面PN结，和P型硅形成良好的接触

三.正电极印刷，在太阳电池正面丝网印刷银浆，形成负电极，正面电极有主栅线和副栅线组成

四.烧结，作用：

使银浆　银铝浆和硅片形成良好的欧姆接触．欧姆接触是半导体与金属接触时没有形成整流接触

2.丝网印刷的工艺原理和目的

答：

丝网印刷是通过刮条挤压丝网弹性形变后将浆料漏印在需要印刷的材料上的一种印刷方式，这也是目前普遍采用的一种电池工艺。

5.印刷参数的正确调整及原则

答：

一.Printing（印刷方式选择）

Alternatesqueegee（不刮浆料交替印刷）,Doublesqueegee（不刮浆料每片印刷两次）Squeegeeandflood（先印刷后刮浆料）Floodandsqueegee（先刮浆料后印刷）

二.Screen（网版）:

Snap-off（网版间距）Park（网版正常停止位置）（-3000）μmSpeedupward（网版向上运动速度）（35）mm/s

网版间距调整原则：

在保证印刷质量的前提下，网版间距越小越好。

参考值为（-900~~-1300）μm，太小易粘版或模糊不清，过大易印刷不良和损坏网版。

印第二道时可适当加大间距。

6.安全的注意事项

答：

丝网印刷中的注意事项:

1保持印刷平台的清洁,随时清除平台上的任何碎片和异物,防止产生碎片或损坏网版。

2及时清理行走臂和烘箱里的碎片,防止堵塞电机或产生新的碎片。

3印刷台上的贴纸要平整、干净，否则易引起碎片或报警。

4根据具体情况,及时调整印刷参数.（参数调整原则另述）。

5出现报警时应首先查看报警信息显示,然后采取相应措施。

7.丝网印刷的常见问题及解决方法

答：

1漏浆:

检查方法:

检查每一个台面同一处有无浆料（适合一、二、三道）

解决方法:

根据在硅片上漏浆的位置，确定网版漏浆的位置，查看网版漏浆处的大小，如果漏洞不大，选择合适的胶带在网版下面将漏浆的位置粘住，试做一片，查看是否仍然漏浆，如果仍然漏浆，重新修补，如果不漏，可以继续使用。

如果漏洞太大，无法用胶带修补的话，更换网版。

第三道网版漏浆解决的方法：

查看漏浆是否在删线上，如果不在可用封网浆修补，如果在删线上，直接把网版更换。

2.虚印原因：

一般为我们的印刷参数不好或者印刷刮条不平。

有时也可能是我们的网版使用的时间太长而造成虚印，台面的不平。

解决方法：

我们此时可以观察印刷后刮条刮拭的网版是否干