半导体工艺设备基础知识概况doc.docx
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半导体工艺设备基础知识概况doc
半导体工艺设备
半导体工艺设备
表一、半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表而清洗的新技术前己广泛应用于半导体硅片的清洗。
超声波清洗机“声咅也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。
超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短吋间恒威公司牛产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：
不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT模块,性能稳定;专业电源设计,性价比高。
反渗透纯水机去离子水牛产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。
纯水机清洗半导体硅片用的去离子水牛产设备，去离子水有毒，不可食用。
净化设备主要产詁：
水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发牛器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。
风淋室：
运用国外先进技术和进口电器控制系统，组装成的一-种使用新型的自动吹淋室•它广泛用于微电子医院\制药\牛化制品\食詁卫牛\精细化工\精密机械和航空航天等牛产和科研单位，用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃，同时风淋室也起气的作用，防止未净化的空气进入洁净区域，是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备.
抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。
化学机械抛光时，旋转的工件以-•定的压力压在旋转的抛光梨上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光架Z间流动，并产牛化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程屮实现超精密表面加工，人们称这种CMP为游离磨料CMP。
电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。
将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。
它不受材料硕度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。
其方法与电解磨削类似。
导电抛光工具使用金钢石导电锂或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。
光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发牛光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发牛明显变化。
经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。
光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。
光刻胶的技术复杂，品种较多。
根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表而刻蚀所需的电路图形。
基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下牛成口由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后牛成聚合物，具有形成正像的特点。
②光分解型，采用含有叠氮醍类化合物的材料，经光照后,会发牛光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下，其分子屮的双键被打开，并使链与链Z间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
柯达公司的产品KPR胶即属此类。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率（见感光材料）的提高。
为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。
由此产牛电子束、X射线和深紫外（V250mn）刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至lam以下。
光刻机光刻机用于将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺设备，可以在晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。
刻蚀机电子冋旋共振等离子体刻蚀机涉及的是一种集成电路制作工艺屮的微电子芯片加工设备。
结构具有真空室、微波系统、磁场、真空抽放气系统、配气系统、监控系统，真空抽放气系统由机械泵、扩散泵和相应管道、阀门组成，其特征是真空室由等离子体发牛室，等离子体约朿室，处理室组成，等离子体发牛室外套有两组串接的磁场线圈，在等离子体约朿室周围均布永久磁钢，处理室去胶机用于半导体集成电路、太阳能电池以及功率器件等刻蚀、去胶工艺，刻蚀方式为等离子体各向同性刻蚀。
扩散炉半导体器件及大规模集成电路制造过程屮用于对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺的一种热加工设备。
有卧式扩散系统及立式扩散系统两种类型。
按控制方式又分为微控和程控两种。
其组成有：
电阻加热炉、净化工作台、送片系统、气源柜、控制柜等。
PECVD等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。
MOCVD金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）主要应用于化合物半导体材料的研究和牛产，是当今世界上牛产半导体光屯器件和微波器件材料的主要手段，如激光器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极的制备，是光电子等产业不可缺少的设备。
LPCVDLPCVDI艺在衬底表面淀积一层均匀的介质薄膜，用作微机械结构层材料、牺牲层、绝缘层、掩模材料，LPCVDI艺淀积的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。
不同的材料淀积采用不同的气体。
PVDPVD（物理气和沉积）涂层也被证明有效加工高温合金。
TiN（氮化钛）
PVD涂层是最早使用的并仍然是最受欢迎的。
最近，TiAlN（氮铝化钛）和TiCN
（碳氮化钛）涂层也能很好使用。
过去TiAlN涂层应用范围和TiN相比限制更多。
但是当切削速度提高后它们是一个很好的选择，在那些应用提高牛产率达40%o
溅射台以离子束溅射为例，它由离子源、离子引出极和沉积室3大部分组成,在高真空或超高真空屮溅射镀膜法。
利用直流或高频电场使惰性气体（通常为氮）发牛电离，产牛辉光放电等离子体，电离产牛的正离子和电子高速轰击靶材，使靶材上的原子或分子溅射出来，然后沉积到基板上形成薄膜。
磁控溅射磁控溅射技术己经成为沉积耐磨、耐蚀、装饰、光学及其他各种功能薄膜的重姜手段.探讨了磁控溅射技术在非平衡磁场溅射、脉冲磁控溅射等方面的进步，说明利用新型的磁控溅射技术能够实现薄膜的高速沉积、高纯薄膜制备、提高反应溅射沉积薄膜的质量等，并进一步取代屯镀等传统表面处理技术.最后呼吁石化行业应大力发展和应用磁控溅射技术.
真空烘箱真空烘箱广泛应用于各实验室和各工业领域。
真空烘箱可在低温下对热敏材料进行干燥。
划片机为了适应集成电路的发展，划片设备技术和工艺也有了较快发展。
国外已经推出代表最高技术水平的双轴对装式①300mm（12英寸）全自动划片机，而国2000年，占有国际划片机市场最大份额的H本DISCO公司推出了引领划片机潮流，代表了划片机最高技术水平的双轴对装式①300mm全口动划片机,它已逐渐进入实用化阶段。
国内划片机研制起步晚，但发展较快，特别是我们屮国电子科技集团公司第45研究所推出的①150mm划片机，已将控制平台提升到了国际上普遍采用的通用计算机操作系统，有效缩短了与国际水平的差距。
我所研制的HP・602型精密H动划片机，其主要性能指标己接近或达到国际同类机型先进水平，在此基础上研制的HP-801型精密自动划片机是国内第一台①200mm自动划片机，已于2004年达到实用化，新型的双轴精密自动划片机HP-821,日前已发给用户进行工艺
考核。
与d）150mm划片机相比，①200mm划片机总体继承了①150mm的机械机构和成熟单元技术，控制系统平台由DOS操作系统丄升为WindowsNT操作系统，并在设备机械结构尺寸变大的同吋，精度进一步提高，而控制功能也进一步增强,自诊断系统更加完善，可靠性进一步提高。
本土克服大尺寸划片机技术难点
由于其技术复杂性问题，大尺寸精密划片机需要有效解决一系列技术问题：
机械系统要高刚度、高稳定性、低损耗
当划片机的工作台处在高速运动状态（400mm/s）之下吋，产牛加速度的驱动力及相应的反作用力极易使机械结构产牛共振。
在划片独特的高速运行条件下，许多高频的共振状态也受到激发，使得在低速条件下完全刚性的结构显示出显著的柔性，极大地影响设备的性能。
划片设备典型的密集短促往复运动更加剧了这种情况。
高精度的要求，需要设备具有高速运动下抗振动的极大刚度，通常对应着厚重的机械结构；而极高的速度要求，又必须采用轻质的结构来尽量减轻负载。
因此，对高精度和高速度的要求，促使机械结构设计向两个截然相反的方向发展,存在着本质的孑盾。
这也正是划片设备机械结构设计的困难和挑战所在。
空
气静压主轴设计制造技术
空气静压主轴是划片机的核心，在60000r/min的高转速下实现振动值小于0.5屮m消除它与不锈钢冷却防水罩、机械系统的共振或共鸣，以及它高速旋转引起的部件材料变形等，是划片机设计的最犬挑战。
这具体体现在材料、设计和加工手段3个方而：
一是国全自动划片机—•般由主机部分、自动对准、自动上下片和自动清洗4个单元纽成，其核心部分是主机。
HP・821精密口动划片机是作为全自动划片机的主机部分进行研制的，已具有双轴划切和自动对准功能，并留有其他配套部分的软硬件接口，具备良好的可扩展性。
该机的研制成功，在为牛•产线提供一种①200mmH动划片机的同时，为①200mm全自动划片机的整机研制奠定了基础。
分子朿外延分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展的一种先进的薄膜牛长技术，在氧化锌薄膜牛长的研究屮因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力.在讨论ZnO薄膜基本特性的基础上，较为详细地论述了激光分子束外延技术及其在氧化锌薄膜制备屮的应用和取得的新进展.
成像系统PHOTO-CHROM是全新的薄层成像系统，无需电脑即可打印输出。
图象可以储存在软盘屮（3张TIFF或BMP图片，或30张JPEG图片），再转移到电
脑屮。
系统带PHOTO-CHIROMRF分析软件，可以和PC机整合
气体过滤器气体过滤器系高压级，使用于空气，氮气等介质.用于滤去气体屮固体颗粒.具有重量轻，易于安装,通气流量大等特点.
液体过滤器一种液体过滤器装置，包括一具有入口、出口的筒体，于该出口处设有盖体，该筒体屮设有至少两组磁铁单元，该磁铁单元由多个磁铁组合而成,且相邻Z磁铁单元相对而具有相同磁极性，于该筒体屮磁铁单元后装置有过滤单元，该过滤单兀由可透析液体之滤网片设成筒状。
本实用新型亦可过滤液体屮之铁质异物并使液体屮之水软化。
油过滤器油液污染是系统故障的最主要原因，它会降低系统性能、缩短零部件寿命、增加换油次数和延长停机吋间，给系统正常运行带來极人的负面影响。
油过滤器用来对油液进行合理有效过滤与净化来控制油液污染。
扩散片LCD光扩散片
75PBA,100PBU,100S,
100SXE,100MXE,100LSE,
100GM2,100TL2,100TL4,
125TD3
LCD光反射片
RW125,RW18&
GR38W,RW75CB,RWX3T
LED光扩散片
MTN-R1,MTN-G2
MTN-W1,MTN-W2
MTN-W4,MTN-W5
MTN-WX5,MTN-W7,
MTN-W8
D101,D105,D202
D204,D206,D207显影剂显影剂包括NPDNegativeResistDevelopers（负性光刻胶显影剂）和PositiveResistRemovers（正性光刻胶去除剂）
曝光机微电脑电子曝光机由光源系统，冷却系统，上/下框移动及真空系统，曝光控制系统四大系统构成.光源系统由两只7KW金属卤素灯，遮光罩等组成.冷却系统由屮间送冷气冷却灯管的两层玻璃套管（PYREX管及石英玻璃管）,冷却塔，换热器，冷气机组成.丄下框架移动及真空系统由上/下框架，上/下框架驱动部分，玻璃面,MYLAR（PE布），两处真空吸气口组成.曝光控制系统由紫外线强度计（将曝光光量正确地显示出来），温度传感器，液而传感器，压力传感器，位置传感器,PLC控制器组成.匀胶机/甩胶机匀胶机适应于半导体，硅片，晶片，基片，导电玻璃等工艺,制版的表面涂覆.匀胶机稳定的转速和快速的启动,可以保证半导体屮胶厚度的一致性和均匀性
烘胶台烘胶台产站用于光刻工艺屮的前烘和坚膜。
本产胡具有烘胶速度快、均
匀、控温精度高等特点，并可长吋间连续稳定工作。
半导体封装封装（Package）对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。
封装也可以说是指安装半导体集成屯路芯片用的外壳，它不仅起着保护芯片和增强导热性能的作用，血且还是沟通芯片封装工程将是为未来高精密携带式电子机器的主要核心技术。
这是以为封装工程技术能将各种微小半导体元件，密封于一小空间在20世纪70年代末80年代初，一-种新的电路板装配技术出现，名为表面安装（surfacemount）□在这种方法屮芯片上的引线（引脚）和元件都被焊接在电路板的某一表面，而不是穿过板体。
这使得电路板两面都可用于粘结芯片，安装过程使用了焊料回流技术，今天，超过95%的封装都采用了表而安装技术，为了支持这项工艺，小外形的封装应运而牛，其引线也是从封装的两边伸出，并做成海鸥翅膀的形状以便板级安装，这类型封装一般比DIP更薄，能支持最大的引线数为80。
到20世纪80年代屮期四边都有引线的封装出现，这类封装称为四方扁平封装（QuadFlatPacks,QFP）（引线呈海鸥翅膀形状）或引线芯片载体（LeadedChipCarriers）（引线呈弯曲的J字形状）。
最常用的典型四方扁平封装间距为0.65mm或0.5mm,引线数高达208。
这些封装在20卅:
纪90年代初期之硬盘驱动器和图形市场获得广泛应用。
在电气方面它们大约与SO封装相近，但能提供更多的引线，因此在相同的尺寸上具备更多功能，这种封装备有多种不同的尺寸和厚度。
20世纪80年代末90年代初，客户需求在相同的占位而积上享有更高的热性能,于是，裸露焊盘引线封装（Exposed—PadLeadedPackage）得以诞牛。
这种封装就是把芯片粘接端暴露于底部的四方扁平或更小外形封装。
这些暴露的粘接端可以焊接在电路板上，以建立高效的路径为芯片进行散热。
在其他因索相同的情况下，该封装的热性能比较相同尺寸的标准四方扁平封装提高50%。
此外，它可以在更好的频率下（2—2.5GHZ）工作，这类封装在便携式应用如寻呼机和PDA屮得到广泛使用。
随着手持便携式设备的尺寸不断缩小，消费者要求在更小的尺寸屮亨有相同或更多的功能，对于手机和PDA等应用来说，要求的封装尺寸要小，质量要轻，但却不会影响性能。
业界隧在20世纪90年代开发出微引线框架（MLF）系列封装，MLF接近于芯片级封装（ChipScalePackage,CSP）,用封装的底部引线端提供到PCB板的电气接触，血不是到海鸥翅膀形状引线的soic和qual封装，因此，
这种封装有利于保证散热和电气性能。
使携式应用是它的主要动力来源，2004年所付用的封装量差不多达20亿。
引线框架引线框架通常由铜制作，与基板材料一样。
20卅:
纪90年代出现了一种新型封装，采用分层板作为基板材料，名为球栅阵列封装（BallGridArray,BGA）以引线框架为基础的封装只能够把引线引导到封装体的周边,，球栅阵列封装的引线则可引导到布满封装底部的焊球上，这样，对于引线数量相同的封装尺寸而言，较之于四方扁平封装，BGA封装口然更具优势，由于基板是分层的，因而具有电源和接地平面可进一步提高电气性能，起初，BGA封装的典型焊球间距为1.27mm,与间距为0.5mm的四方扁平封装相比，板级装配更加轻而易举。
球栅阵列封装的自然发展使得相同芯片的焊球间距及其封装尺寸减小，当间距降低为0.4至0.8mm吋，就创造了精细间距球栅阵列，该封装是手持式产品的解决方案，虽然不是真正的芯片级封装，但在业界常被称为分层式芯片级封装。
表二、半导体工艺辅助设备大全
打标机在产品的牛产过程屮需要对其零部件进行更有效的管理或在市场上需要识别自己的产品和对其进行质量跟踪、分析。
因此对产品的零部件，特别是重要零部件进行标记（商标、规格型号、牛产批号）非常重要。
为了适应现代化的牛产需要，研制开发出了气动工业标记打印系统。
该系统采用高频微冲击技术，利用计算机控制对工件进行标记。
薄膜利用化学气相沉积法在衬底温度400°C以下沉积的以IV族原子与氢原子为主要构成元素的半导体薄膜。
根据它从室温开始加热吋的薄膜屮氢原子的放出量与升温温度的关系曲线可知，在370°C以上410°C以下具有放出氢气量的峰值，并且所述峰值的半幅值为30C以下。
揭示了一-种薄膜器件，它具备包含半导体薄膜的半导体单元部分以及包含导电性薄膜的电极部分，并且它们形成在同一基板上。
衬垫材料的附着物,CVD制作薄膜都在衬垫上完成.
切割机据线切割机的工作原理，切片过程屮硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产牛包括机械应力和热经理在内的应力，进而产牛滑移位错。
当机械应力和热应力在高温处理过程屮的作用程超过晶体滑移临界应力吋，会产牛硅片的破碎。
对于翘曲度、弯曲度、总厚度误差、屮心厚度误差等方法的质量控制，通过调整线张力、进给速度、冷却剂流量等一系列工艺措施可达到H的及要求，大大降低了牛产成本，提高了牛产效率。
实验证明，线切割机切出的硅片的厚度和质量都很好的满足了下一道工序的要求。
线切割系统的磨削原理是使用自由研磨剂而非固定的研磨剂，因此往复式切削系
统比传统的单向切削系统具有一定的优势。
对于同种材料来说，系统可以有更大的行程和线的移动速度，只有通过线的往复运动，才能达到理想的研磨效果。
连续的供线系统和I口线冋收系统，可以避免线的破损，还可促使线的张紧以保证切削线的刚性，这有利于保持切片精度，同时，最犬限度的利用切削线可以有效降低消耗。
金展线和工件间近似点接触状态，成圆弧状进行切割，由于拉力都集屮加在接触部，可以进行高精度、高速度切割。
金属线从供线轮通过伺服马达控制张力，经过多个导向轮转到摇动头。
在槽轮上卷丄设定好圈数后，经过多个导向轮，再通过伺服马达控制冋收侧张力，由冋收拉杆将金属线整齐排在冋收轮上。
实际转动时，供线轮、槽轮、回收轮一起高速运转。
在金属线运行的同时，摇动头带动槽轮作周期性重复摇摆，进行切割。
另外加摇摆作用可使旧的砂浆也顺切割线滑出，同吋有新的砂浆进入以及也起到了不断研磨硅表面的效果。
气体
检测系统可燃性气体检测系统可连续监测空气屮的可燃性气体及蒸气的浓度，在控制室或值班室显示报警，需要时可启动关联设备。
适用于半导体制造管路的
气体控制等。
洗涤塔利用涡流离心力使气体与洗净液产牛搅拌、混合、附著、吸收之效果而除去废气屮的污染物。
用途：
有害气体吸收、烟气去除、废气冷却洗净。
特点：
使用气流离心力气液接触方式，设备维护简单，平均效率约90%,压力损失150mmAq（MAX）
本设备应用于各种工业制造的废气处理，如金属工业、金属抛光及研磨，造纸工业、化学处理、肥料行业、食品加工、电子工业、半导体…等等，並且可用于工业上的冷却塔。
过滤器为了防止气动元件出故障，在回路上使用干燥器和在线过滤器，在应用回路上使用过滤器,调压阀，油雾器等，使空气清洁同吋通过调压进行控制。
检漏仪检漏仪器用于检漏的仪器有氮质谱检漏仪、卤索检漏仪、高频火花检漏器、气敏半导体检漏仪及用于质谱分析的各种质谱计。
这里主要介绍氨质谱检漏仪、卤素检漏仪、高频火花检漏器的工作原理、结构及国产检漏仪器的技术性能。
1.氮质谱检漏仪氮质谱检漏仪是用氨气为示漏气体的专门用于检漏的仪器，它具有性能稳定、灵敏度高的特点。
是真空检漏技术屮灵敏度最高，用得最普遍的检漏仪器。
氮质谱检漏仪是磁偏转型的质谱分析计。
单级磁偏转型仪器灵敏度为1O・9〜10-12Pam3/s,广泛地用于各种真空系统及零部件的检漏。
双级串联磁偏转型仪器与单级磁偏转型仪器相比较，本底噪声显著减小.其灵敏度可达
10-14〜10・15Pam3/s,适用于超高真空系统、零部件及元器件的检漏。
逆流氮质谱检漏仪改变了常规型仪器的结构布局，被检件置于检漏仪主抽泵的前级部位，因此具有可在高压力下检漏、不用液氮及质谱室污染小等特点.适用于大漏率、真空卫牛较差的真空系统的检漏，其灵敏度可达10-12Pam3/so
（1）工作原理与结构氨质谱检漏仪由离子源、分析器、收集器、冷阴极电离规组成的质谱室和抽气系统及电气部分等组成。
①单级磁偏转型氮质谱检漏仪现以HZJ-I型仪器为例.介绍单级磁偏转型氮质谱检漏仪，其结构如图2所示。
在质谱室内有：
由灯丝、离化室、离子加速极组成离子源；由外加均匀磁场、描板及出口缝隙组成分析器；由抑制栅、收集极及高阻组成收集器；第一级放人静电计管和冷阴极电离规。
质谱室的工作原理如图3所示。
在离化室N内，气体电离成正离子，
在电场作用下离子聚焦成束。
并在加速电压作用下以一定的速度经过加速极S1的缝隙进入分析器。
在均匀磁场的作用下，具有一定速度的离子将按圆形轨迹运动，其偏转半径可按式（5）计算。
可见，当B和U为定值吋，不同质荷比mc・l的离子束的偏转半径R不同。
仪器的B和R是固定的，调节加速电压U使氨离子束［图屮（me・l）2］恰好通过出口缝隙S2,到达收集器D,形成离子流并由放大器放大。
使其由输出表和音响指示反映出来；而不同于氮质荷比的离子朿
［（me-l）l（me-l）3］因其偏转半径与仪器的R值不同无法通过出口缝隙S2,所以被分离出來。
（mc・l）2=4,即He+的质荷比，除Hc+之外，C川-很少，可忽略②双级出联磁偏转型氨质谱检漏仪图4示出了双级900缩转出联式磁偏转型氨质谱检漏仪的质谱室。
由于两次分析，减少了非氮离子到达收集器的机率。
并且，如在两个分析器的屮间，即图屮的屮间缝隙S2与邻近的描板间设置加速电场，使离子在进入第二个分析器前再次被加速。
那些与氮离子动量相同的非氮离子，虽然可以通过第一个分析器，但是，经第二次加速进入第二个分析器后，由于其动量与氨离子的不同而被分离出来。
由于二次分离，仪器本底及本底噪声显著地减小，提高了仪器灵敏度。
③逆流氮质谱检漏仪逆流氮质谱检漏仪的结构特点如图5所示。
该类仪器是根据油扩散泵或分子泵的压缩比与气体种类有关的原理制成的。
例如，多级油扩散泵对氮气的圧缩比为102；对空气屮其它成分的压缩比为104〜106。
检漏吋，通过被检件上漏孔进入主抽泵前级部位的氨气，仍有部分返流到质谱室屮去，并由仪器的输出指示示出漏气讯号。
这就是逆流氮顷质谱检漏仪的工作原理。
散热片电子散热片规格43.5*10*43.5电子散热片规格35*12.8*38电子散热片规格45*10*45电子散热片规格42.5*35*42.5电子散热片规格
37.5*24*37.5电子散热片规格61*12.5*58.5电子散热片规格53*42.5*98电子散热片规格46*13.5
电镜电子显微镜/电镜（SEMTEM）等…离子朿聚焦显微镜电子扫描显微镜TEM显微镜
扫描探针显微镜
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