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WER系列继保测试说明书资料

WER系列继保测试说明书

文档编号XB/GEN0001-2013

单元名称:

测试说明书

项目名称:

WER继保

¹2014年10月15日

担当

調查

承認

修改记录登记表

版本号

修改日期

修改说明

修改人

1.0

2014-10-15

初始创建

张马龙

 

目录

1.准备工作6

1.1测试基本思想6

1.2测试环境6

1.3系统内存组织结构6

1.3.1各类型内存特性6

1.3.2整体地址分配7

1.3.3EEPROM分配7

1.3.4NVRAM组织结构8

1.3.5异常信息组织结构9

1.4内存交叉索引文件9

2.基础平台功能测试9

2.1时钟模块10

2.2遥测10

2.3保护测量值11

2.4电度信息11

2.5开入和SOE12

2.6遥信13

2.7开出13

2.8遥控14

2.9LED状态14

2.10信号复归功能测试15

2.11动作报告16

2.12操作事项16

2.13扰动数据模块17

2.14逻辑方程和继电器字模块18

2.15系数19

2.16软压板功能19

2.17定值模块20

2.18mmi参数和主接线图21

2.19装置参数测试21

2.20维护参数22

2.21CAN分布式网络22

2.22液晶界面22

2.23文件系统及BOOT模块测试22

2.24其他23

3.测量功能23

3.1基本精度测量24

3.2电度24

3.3变压器档位24

3.4最值25

3.5需量25

3.6谐波25

3.7趋势数据25

4.WER350保护功能测试25

4.1启动判据26

4.2PT断线26

4.3CT断线27

4.4方向元件27

4.5基本过流保护28

4.6反时限29

4.7电压元件30

4.8低周减载30

4.9低压减载32

4.10接地选线32

4.11准同期33

4.12重合闸33

4.13过负荷保护34

4.14电动机保护34

5.WER387保护功能测试34

5.1基本精度测试35

5.2差流测试35

5.3三次谐波闭锁测试35

5.4五次谐波闭锁测试35

6.MODBUS规约35

6.1基础测试35

6.201功能码,ReadCoils36

6.302功能码,ReadDiscreteInputs36

6.403功能码,ReadHoldRegisters36

6.504功能码,ReadInputRegisters37

6.605功能码,WriteSingleCoil37

6.706功能码,WriteSingleRegister37

6.815功能码,WriteMultipleCoils38

6.916功能码,WriteMultipleRegisters38

6.1043功能码,ReadDeviceIdentification39

7.103规约39

7.1基础测试40

7.2基本命令40

7.3主动上传相关功能41

7.4软压板相关功能41

7.5定值区号41

7.6定值相关功能41

7.7其他42

8.其他42

8.1程序执行时间43

8.2程序执行空间43

8.3异常信息记录43

1.

准备工作

1.1测试基本思想

1.本文档用于指导WER系列继保整机功能验证测试,在此之前,应该已完成了各模块的测试和系统集成。

2.该文档侧重于软件功能的测试,白盒测试不属于该范畴(位于模块测试范围内)。

3.测试基于真实的装置,除非一些测试条件无法满足的情况下,可借鉴仿真平台。

4.该文档word版本侧重于描述测试用例,在具体测试时,需要打印出来,手写测试结论凭扫描归档。

5.测试用例不仅限于该文档中描述的测试用例,测试人员可扩展。

6.测试结论至少需要记录测试时间,测试人员,测试成功与否,如果失败,需要进一步描述异常情况。

1.2测试环境

需要的物料包括:

待测试继保装置、继保测试仪、PC、RS232维护线、RS485维护线、以太网线等。

测试版本记录:

No

内容

版本号

1.

boot程序版本,时间,crc

2.

MMI程序版本,时间,crc

3.

开入程序版本,时间,crc

4.

保护程序版本,时间,crc

5.

维护软件版本,时间,crc

6.

逻辑方程软件版本,时间,crc

7.

扰动数据软件版本,时间,crc

8.

主接线图软件版本,时间,crc

9.

硬件版本

1.3系统内存组织结构

1.3.1各类型内存特性

1.片内ram,速度最快,主要用于存放各种变量等,读写次数不受限制,掉电后内容不保持,默认状态随机。

2.片内NVRAM,通过电池供电,以保持数据不丢失,主要用于各种临时缓冲区。

3.片内flash,主要用于存储程序和比较大的参数文件,写操作麻烦,运行过程中一般不允许写flash操作。

4.EEPROM,读写较慢,容量小,掉电后内容不丢失,数据安全性高于nvram。

主要用于存储定值,系统参数,系数等较小的参数内容。

5.各种硬件都有其特点,而具体使用时经常组合多种硬件构成多级缓存机制以满足需求。

上述所有的硬件都可以通过维护软件“读写内存”功能读取,注意轻易不要直接写flash,以防异常。

1.3.2整体地址分配

1.片内FLASH,起始地址0x08000000,长度512K;

2.片内ram,程序编译分配区,起始地址0x20000000,长度64K;

3.片内ram,malloc分配区,起始地址0x20000000+64k,长度64K;

4.堆栈空间,CSTACK$$Base---CSTACK$$Limit,长度为2k;

5.EEPROM地址,起始地址0x30000000,长度64K;

6.片内外设寄存器区域,0x40000000,长度0x10060C00。

7.片内NVRAM,起始地址0x40024000,长度4k。

1.3.3EEPROM分配

注1:

下述包含的地址为偏移地址,通过维护软件访问的时候,需要增加EEPROM起始地址;

注2:

下述描述的个数为缓冲区大小,实际有效内容为缓冲区个数-1。

/*电度信息位置*/

#defineCI_SAVE_POSITION_ADDRESS0x00001C00

/*led状态位置*/

#defineLED_STATE_POSITION_ADDRESS0x00001C80

/*报告指针位置*/

#defineREPORT_POSITION_ADDRESS0x00001D00

/*扰动数据指针位置*/

#defineDISTURB_POSITION_ADDRESS0x00001D80

/*装置参数位置,512BYTE,最大128个参数*/

#defineEQUIP_PAR_POSITION_ADDRESS0x00001E00

/*动作报告,100*48<5k*/

#defineTRIP_REPORT_NUMBER100/*个数*/

#defineTRIP_REPORT_START_ADDRESS0x00002000/*存储起始地址*/

/*事件报告,128*8=1k*/

#defineEVENT_REPORT_NUMBER128/*个数*/

#defineEVENT_REPORT_START_ADDRESS0x00003400/*存储起始地址*/

/*soe,256*8=2k*/

#defineSOE_NUMBER256/*SOE个数*/

#defineSOE_START_ADDRESS0x00003800/*存储起始地址*/

/*扰动数据存储地址,在第一片eeprom中存储一块扰动数据*/

#defineDISTURB_SIZE

((SYSCFG_PREV_POINT_NUMBER+SYSCFG_AFTER_POINT_NUMBER)*ALL_CHANNEL_NUMBER*sizeof(WORD))

#defineEEPROM_DISTURB_SIZE

(sizeof(TAPIDisturbInf)+API_RUN_SETTING_BUF_SIZE+DISTURB_SIZE)

#defineDISTURB_START_ADDRESS(0x00008000-EEPROM_DISTURB_SIZE)

1.3.4NVRAM组织结构

/*NVRAM中数据有效标志*/

#defineNVRAM_VALID_FLAG0x55aa44bb

/*有效标志,头尾各16byte*/

#defineNVRAM_CHECK_FLAG1NVRAM_ADDR

#defineNVRAM_CHECK_FLAG2(NVRAM_ADDR+NVRAM_LEN-16)

/*进入BOOT标志,DWORD*/

#defineNVRAM_BOOT_FLAG(NVRAM_ADDR+16)

/*预留1,DWORD*/

#defineNVRAM_REV1(NVRAM_ADDR+20)

/*预留2,DWORD*/

#defineNVRAM_REV2(NVRAM_ADDR+24)

/*系统异常信息个数,DWORD*/

#defineNVRAM_EXCEPTION_COUNT(NVRAM_ADDR+28)

/*系统异常区域,每条记录64byte,最大4条,共计256byte*/

#defineNVRAM_EXCEPTION_ADDR(NVRAM_ADDR+32)

#defineNVRAM_EXCEPTION_LEN256

/*NVRAM可分配区域*/

#defineNVRAM_MALLOC_ADDR(NVRAM_EXCEPTION_ADDR+NVRAM_EXCEPTION_LEN)

#defineNVRAM_MALLOC_LEN(NVRAM_LEN-16-16-16-256)

1.3.5异常信息组织结构

异常类型:

0:

hardfault:

程序执行异常,此时会记录程序异常时的上下文信息。

1:

系统严重异常:

参数不合法或自检到难以通过复位恢复的异常时记录,寄存器中存储字符串信息。

2:

系统复位异常:

自检到可通过复位恢复的异常,寄存器内容为空。

/*异常信息结构,共16*sizeof(DWORD)=64BYTE*/

typedefstructTExceptionInf

{

DWORDdwTimeL;/*时间L*/

WORDwTimeH;/*时间H*/

WORDwType;/*类型,0:

hardfault,1:

系统严重异常,2:

系统复位*/

DWORDdwCurTask;/*备份*/

DWORDdwR0;/*R0*/

DWORDdwR1;/*R1*/

DWORDdwR2;/*R2*/

DWORDdwR3;/*R3*/

DWORDdwR12;/*R12*/

DWORDdwLR;/*LR*/

DWORDdwPC;/*PC*/

DWORDdwPSR;/*PSR*/

DWORDdwCFSR;/*mem,总线,用法fault状态寄存器*/

DWORDdwHFSR;/*hardfault状态寄存器*/

DWORDdwDFSR;/*debugfault状态寄存器*/

DWORDdwMMAR;/*memfault地址寄存器*/

DWORDdwBFAR;/*总线fault地址寄存器*/

}TExceptionInf;

1.4内存交叉索引文件

该文件中定义了所有变量的具体地址,首先通过parInf.c文件查找变量的名称,然后通过交叉索引文件查找地址,最后通过维护软件“读写内存”功能读取具体值。

该技巧在测试阶段中经常使用,后续不在赘述。

2.

基础平台功能测试

该部分主要测试基础平台的功能,这些测试对任何继保装置都是通用的。

不关注精度,可靠性等的测试内容,因这些测试内容针对不同装置存在差异。

2.1时钟模块

系统时钟的精度为1ms,输入源包括网络对钟、IRIG-B对钟、时钟芯片、装置晶振自保持四种方式。

No.

内容

测试结论

1.

通过液晶设置时间

Ø时间边界为2000年-2050年。

Ø大小月日期边界测试。

Ø闰年2月边界测试。

Ø非闰年2月边界测试。

Ø通过液晶界面读取时间,包括主接线图界面和时间设置界面。

2.

通过维护软件读写时间。

3.

验证时钟芯片(前提为电池有电)。

Ø改写不同的时间值,装置复位,重新上电后检测时间是否正确,验证5次。

Ø长期运行精度测试,一周时间(掉电带电情况随机)误差小于10s。

Ø装置多次复位,时间不会丢失,验证5次。

Ø时钟芯片异常时,继电器字“实时时钟异常”和“装置自检异常”值1。

4.

IRIG-B

Ø验证两种时钟同步方式设置:

B格式、通信对钟。

Ø同B格式输入信号同步,误差1ms。

ØB格式有效的时,不允许其他方式修改时间,包括液晶,通信等。

ØB格式输入无效后,自动切换到通信对钟方式。

ØB格式输入从异常恢复后,可自动恢复IRIG-B时钟同步。

Ø接多台继保装置,测试驱动能力,驱动能力不小于8台。

2.2遥测

精度测试部分详见相关章节。

No.

内容

测试结论

1.

通过维护软件读取遥测值。

2.

默认主接线图读取遥测值,验证名称,小数点,符号等信息。

3.

通过二次侧测量值读取遥测,验证名称,小数点,符号等信息。

4.

通过一次侧测量值读取遥测,验证名称,小数点,符号等信息。

5.

虚拟遥测。

6.

虚拟遥测超时返回(最大15分钟返回,或液晶熄屏时返回)。

7.

一次侧值正确性检测。

8.

一次侧电流电压值溢出检测,要求二次值在额定值的情况下,且PT和CT变比在范围内不溢出。

Ø100*120

Ø1000*1200

Ø10000*120

Ø100*2500

Ø10000*2500

9.

一次侧功率溢出考察

Øpt*ct>=100000

Øpt*ct<100000

2.3保护测量值

精度测试部分详见相关章节。

No.

内容

测试结论

1.

通过维护软件读取保护测量值。

2.

通过液晶界面读取保护测量值,验证名称,小数点,符号等信息。

2.4电度信息

准备知识。

1.电度共有三个存储位置,实时变量,nvram缓冲区,eeprom缓冲区。

实时变量为当前计算值,然后会立即(10ms延时)存入nvram中,达到阙值后存入eeprom。

2.电度NVRAM地址为s_pCIBuf指向内容。

(s_pCIBuf属于指针,需利用这个地址再次在交叉文件中寻找相应地址)

3.变化阙值为小于零或大于5度,如为一次侧电度,乘PT和CT变比。

4.电度范围为(0-999999999,二次侧电度小数点为3位,一次侧小数点为1位)。

5.Nvram缓冲区和eeprom缓冲区尾部增加了crc校验码。

6.电度精度测试详见相关章节。

No.

内容

测试结论

1.

通过维护软件读写二次侧电度值,此时电度值为小数点后3位。

2.

通过液晶读写二次侧电度值,此时电度值为小数点后3位。

3.

二次电度回卷,最大值为999999.999,四象限全部测试。

4.

通过维护软件读写一次侧电度值,此时电度值为小数点后1位。

5.

通过液晶读写一次侧电度值,此时电度值为小数点后1位。

6.

一次电度回卷,最大值为99999999.9,四象限全部测试。

7.

默认主接线图电度显示,依据电度类型自动适应。

8.

绝对值和总电度测试。

Ø正向有功>反向有功

Ø正向有功<反向有功

Ø正向无功>反向无功

Ø正向无功<反向无功

9.

一次侧电度溢出检测,在pt和ct变比范围内,不会发生溢出情况。

Øpt*ct>=100000

Øpt*ct<100000

10.

电度三级缓存机制验证:

Ø实时将电度值保持到NVRAM。

Ø二次侧电度达到阙值(5度)后,保存到eeprom。

Ø一次侧电度达到阙值(5*ct*pt)后,保存到eeprom中。

Ø电度底数设置值小于当前值,保存到eeprom。

Ø初始化上电时,从nvram中读取电度值。

Ø初始化上电时,nvram保存数据无效,从eeprom中读取。

Ø初始化上电时,nvram和eeprom中都无效,复位为0。

11.

电度类型切换时,电度值清零

Ø一次电度切换到二次电度

Ø二次电度切换到一次电度

2.5

开入和SOE

No.

内容

测试结论

1.

通过维护软件读取开入状态

2.

通过液晶读取开入状态

3.

维护软件读取,清除SOE。

4.

液晶读取SOE。

5.

液晶读取SOE过程中,产生新的SOE。

6.

SOE满时回卷。

7.

维护软件模拟SOE。

8.

SOE记录时刻测量,精度为1ms。

(可以通过将开入和开出串联,通过调节开出的时间并结合录波模块进行测试)。

9.

开入状态机测试

10.

虚拟开入

11.

虚拟开入超时返回时间(最大15分钟返回,或液晶熄屏时返回)。

2.6遥信

遥信包括了开入、虚拟遥信、动作报告状态,主要用于装置对外通信。

No.

内容

测试结论

1.

虚拟遥信继电器字变位时产生相应的soe。

2.

切换动作报告状态遥信状态,通过维护软件读取。

3.

切换开入遥信状态,通过维护软件读取。

4.

检修压板测试,检修压板状态对应继电器字JXYB状态,通过逻辑方程设置。

检修压板状态为TRUE时,表明设备正处在检修状态,为了不影响远方调度,不上传各种信息,包括:

Ø遥信状态保持为检修压板设置为TRUE那一刻的状态。

Ø动作报告,soe,告警报告都不上传,检修压板恢复为FALSE状态后,从最新的一条报告开始上传。

Ø不允许遥控操作。

Ø做“检修压板soe”。

2.7开出

No.

内容

测试结论

1.

通过液晶开出传动。

2.

通过维护软件开出传动。

3.

开出传动互斥:

Ø一次命令还没有返回时,不允许新的开出命令。

Ø一路开出已出口,不允许执行开出命令,防止意外收回。

4.

开出时间精度测试。

5.

开出继电器字传动。

6.

开出时间测量,从保护启动到继电器字出口时间。

7.

装置故障(OUT8,常闭节点)

Ø装置故障为常闭节点,用于表明装置故障,在逻辑方程中编写OUT8=1。

Ø装置在掉电或复位时,报装置故障。

2.8遥控

No.

内容

测试结论

1.

维护软件直接遥控命令。

2.

维护软件预置遥控命令。

3.

液晶遥控命令。

4.

遥控时间精度测量。

5.

通过液晶设置遥控时间。

6.

就地状态下不允许遥控操作。

7.

遥控状态机:

Ø一个遥控命令未返回时,不允许新的遥控命令。

Ø遥控预置->遥控执行。

Ø遥控预置->遥控撤销。

Ø遥控直接执行。

Ø遥控预置->超时,超时时间为30秒。

遥控预置之后,不执行任操作,包括遥控执行和遥控撤消。

2.9LED状态

准备知识:

Ø每个led都有一个继电器字对应,并真实反映该继电器字的状态。

Ø继电器字分为自保持和常规两种,常规led同继电器字保持一致,自保持led在继电器字为1时点亮,装置复位状态保持,通过信号复归熄灭。

No.

内容

测试结论

1.

led同继电器字对应关系。

设置常规led,编写逻辑方程,检测led同继电器字对应关系。

2.

自保持led行为测试。

Ø继电器字为1时点亮,为0时不熄灭。

Ø装置复位后自保持led状态保持。

Ø通过信号复归熄灭。

3.

led测试

Ø通过液晶执行,检测执行结.

ØLED测试结束后恢复原先led的状态.

2.10信号复归功能测试

信号复归的触发方式包括三种:

1.通信方式信号复归。

2.面板按键信号复归。

3.RW_FGIN继电器字为TRUE,用于强电开入信号复归。

设置信号复归后,完成的工作包括:

1.关闭所有自保持led。

2.如果液晶熄屏,打开,如果为报告弹屏界面,关闭。

4.设置复归继电器字RW_FGIN为1状态,保持1s后返回。

5.103规约发送动作报告返回信息。

6.遥信中动作报告状态返回。

No.

内容

测试结论

1.

检测信号复归的各种触发方式。

Ø面板按键触发,按下时间保证100ms。

Ø维护口信号复归.

ØRW_FGIN继电器字触发,检测到RW_FGIN为1时触发。

该项功能用于实现强电信号复归,需要逻辑方程配合。

Ø103规约信号复归

Ømodbus规约信号复归

2.

检测信号复归后完成的工作。

Ø自保持led恢复。

Ø发送动作报告返回信息,该项功能在103规约中测试。

Ø关闭报告弹屏界面。

ØRW_FGIN状态保持至少约1s时间。

3.

如果按键不放,RW_FGIN继电器字时间延长不返回,

按键时间短,则至少保持约1s时间。

2.11动作报告

准备知识:

动作报告包括常规动作报告和继电器字动作报告,继电器字动作报告在前,常规动作报告在后。

No.

内容

测试结论

1.

做动作报告。

Ø通过继电器字做动作报告,需要编写逻辑方程。

Ø通过特定的保护功能做常规动作报告。

Ø模拟动作报告。

2.

动作报告读取

Ø通过维护软件读取,复位,清除。

维护软件从最旧报告读取。

Ø通过液晶读取报告,液晶界面从最新报告读取。

Ø验证故障电量。

Ø验证保护启动时的开

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