MOSFET功放电路.docx

MOSFET功放电路.docx

《MOSFET功放电路.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《MOSFET功放电路.docx（13页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

MOSFET功放电路

场效应管功率放大电路1

场效应管80W音频功率放大电路1

一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图2

100W的MOSFET功率放大器2

场效应管（MOSFET）组成的25W音频功率放大器电路图4

一种单电源供电的MOSFET功放电路6

100W的V-MOSFET功率放大器电路6

100W场效应管功率放大电路8

全对称MOSFETOCL功率放大器电路图9

场效应管功率放大电路

如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。

电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。

其工作电流为6mA，但电源电压较高（为±50V），晶体管会发热，因此要接人小型散热器。

场效应管80W音频功率放大电路

一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图

100W的MOSFET功率放大器

电路图

关于电路

电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。

如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。

电阻R20限制输入电流到Q1C7-绕过任何输入的高频噪声。

晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。

预设R1用于调整放大器的输出电压。

电阻R3和R2设置放大器的增益。

第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。

这样做是为了提高线性度和增益。

Q7和Q8在AB类模式运行的功率放大级的基础上。

预设R8可用于调整放大器的静态电流。

电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。

F1和F2是安全的保险丝。

电路设置

设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。

下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。

注意事项

质量好的印刷电路板组装的电路。

使用一个45/-45V直流，3A的双电源供电电路。

电源电压不得超过55/-55V直流。

连接扬声器前，检查零信号放大器的输出电压，在任何情况下不应该大于50mV。

如果是大于50mV，检查电路中的任何错误。

另一套更换Q1，Q2，也可以解决问题。

Q7和Q8适合2°C/W的散热片。

Q7和Q8都必须被隔离，使用云母片。

很容易在市场上几乎所有的功率晶体管/几乎所有封装形式的MOSFET散热器安装包。

所有电阻R10，R11和R19的其他1/4瓦的金属膜电阻。

R10和R11是5W线绕型，而R19是一个3W线绕类型。

场效应管（MOSFET）组成的25W音频功率放大器电路图

功放电路技术参数:

输出功率:

25V,8ohm负载.

灵敏度:

200mV输入25W输出

频率响应:

30Hzto20KHz-1dB

THD@1KHz:

0.1W0.014%1W0.006%10W0.006%20W0.007%25W0.01%

THD:

0.1W0.024%1W0.016%10W0.02%20W0.045%25W0.07%

音频功放电路:

R1,R4=47K1/4W电阻

R2=4K71/4W电阻

R3=1K51/4W电阻

R5=390R1/4W电阻

R6=470R1/4W电阻

R7=33K1/4W电阻

R8=150K1/4W电阻

R9=15K1/4W电阻

R10=27R1/4W电阻

R11=500R1/2W

R12,R13,R16=10R1/4W电阻

R14,R15=220R1/4W电阻

R17=8R22W电阻

R18=R224W电阻（wirewound）

C1=470nF63V薄膜电容器

C2=330pF63V薄膜电容器

C3,C5=470uF63V电解电容器

C4,C6,C8,C11=100nF63V薄膜电容器s

C7=100uF25V电解电容器

C9=10pF63V薄膜电容器

C10=1uF63V薄膜电容器

Q1-Q5=BC560C45V100mA低噪声高增益PNP三极管

Q6=BD14080V1.5APNP三极管

Q7=BD13980V1.5ANPN三极管

Q8=IRF532100V12AN沟道场效应管

Q9=IRF9532100V10AP沟道场效应管

电源电路

Parts:

R1=3K31/2W电阻

C1=10nF1000V薄膜电容器

C2,C3=4700΅F50V电解电容器

C4,C5=100nF63V薄膜电容器

D1200V8A整流桥,读都也可以用四个整流二极管

D2绿色发光二极管（电源指示灯）

F1,F23.15A保险丝

电源变压器次级输出双25V（中间抽头）.

PL1插座

SW1开关

注意事项

CanbedirectlyconnectedtoCDplayers,tunersandtaperecorders.Simplyadda10KLogpotentiometer（dualgangforstereo）andaswitchtocopewiththevarioussourcesyouneed.

Q6&Q7musthaveasmallU-shapedheatsink.

Q8&Q9mustbemountedonheatsink.

AdjustR11tosetquiescentcurrentat100mA（bestmeasuredwithanAvo-meterinserieswithQ8Drain）withnoinputsignal.

Acorrectgroundingisveryimportanttoeliminatehumandgroundloops.ConnectinthesamepointthegroundsidesofR1,R4,R9,C3toC8.ConnectC11atoutputground.Thenconnectseparatelytheinputandoutputgroundsatpowersupplyground.

一种单电源供电的MOSFET功放电路

Q2作为恒流源，Q1作为甲类功放管。

100W的V-MOSFET功率放大器电路

下面是[100W的V-MOSFET功率放大器电路]的电路图

材料清单：

∙R1=27Kohm

∙R2-11=4.7Kohm

∙R3-4=5.6Kohm

∙R5=47Kohm

∙R6=1Kohm

∙R7-10-21=22Kohm

∙R8=12ohm

∙R9=1Mohm

∙R12=33ohm

∙R13-20=82ohm

∙R14=33ohm

∙R15=2.7Kohm

∙R16=270ohm

∙R17-19=680ohm

∙R18=33Kohm

∙R22-23=0.33ohm5W

∙R24=8.2ohm

∙R25=10ohm1W

∙TR1=470ohmtrimmer

∙TR2=4.7Kohmtrimmer

∙C1=1uF63Vmkt

∙C2=1nF100V*

∙C3=100uF16V

∙C4=100nF100V*

∙C5-7=22uF16V

∙C6=4.7pFceramic

∙C8=47uF16V

∙C9=1nF100V*

∙C10-11=100uF100V

∙C12-14=100nF250Vmkt

∙C13=150nF100Vmkt

∙C15=100uF35V

∙D1=12V0.5WZener

∙D2.....5=8.2V1WZener

∙L1=20turns0.6mmonR25

∙Q1-2=BC547

∙Q3=2N5460fet

∙Q4-5=MPSA93

∙Q6-8-11=BC182

∙Q7-10=MPSA43

∙Q9=BC212

∙Q12=2SK134or2SK135

∙Q13=2SJ49or2SJ50

（责任编辑：

电路图）

100W场效应管功率放大电路

上传者：

dolphin 

MOSFET功放电路主要应用于大功率AV电路中。

如图所示为100W的MOSFET功放电路。

该电路的输入级采用JEFT输入型运放TL071，其输入阻抗大、转换速率高。

VTl和VT3为运放TL071的互补恒流源负载。

VT4和VT5组成典型的推动级，其线性好、响应快。

输出级VT6和VT7采用MOSFET管，其音色优美，放大倍数约为5。

C1选用金属化聚丙烯电容，以避免产生失真。

该放大器的技术指标为；全功率时的频响为15Hz～125kHz，转换速率为25V/μs，输出噪声-95dB，阻尼系数大于400（8Ω负载）。

全对称MOSFETOCL功率放大器电路图

全对称OCL电路是目前比较完善的功率放大器。

它把差动输入放大、激励、功率输出等各部分电路都接成互补对称形式，充分发挥了PNP型和NPN型晶体管能互补工作的优点。

因而全称OCL电路比普通OCL电路稳定性更好。

保真度更佳。

现介绍一种采用具有“胆”机音色的对称互补MOSFET管2SK405和2SJ115担任输出功放电路。

（注：

文档可能无法思考全面，请浏览后下载，供参考。

可复制、编制，期待你的好评与关注）