TR518系列教育训练V01.docx

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TR518系列教育训练V01

一．ICT概况

1.何谓ICT？

ICT即是InCircuitTester的简称，主要用于组装电路板的测试。

ICT可以视为一部自动化的高级电表，并且因它具有隔离组件的功能，能准确测量每一组件在电路内的实际值。

2.ICT与电表功能的差异

电表是用以量测单一零件，而ICT除了可量单一零件外，更可经由针床来量测实板上的零件。

只是实板上有许多回路，易将信号源与以分流、分压，故往往需加”Guarding”功能，才可使量测准确。

3.ICT能测些什么？

开、短路，电阻，电容，电感，IC保护二极管测试（含二极管，三极管，Zener，IC）等。

4.ICT与ATE有何差异？

5.

ICT只做静态测试，即无电源测试，实板不需加电源；而ATE可做动态测试。

即ATE之目的为测试实板及板上零件之功能是否正常，故实板必须加电源才可使板上的零件工作。

尤其ATE在送信号时，特别要考虑零件的特性、规格，否则易损坏零件。

二.ICT量测原理

1.电阻量测

（1）单个R（Mode0,1）

利用Vx=IsRx（欧姆定律），则Rx=Vx/Is.

信号源Is取恒流（0.1uA—5mA）,量回Vx.即可算出Rx值.

Ra=R1+R2

Rb=R3+R4

Rc=R1+Rx+R4

Rd=R2+Rx+R3

Rx=（Rc+Rd-Ra-Rb）/2

（2）小电阻（50欧姆以内）四线量测：

小电阻两端各下两支探针，1-4号探针的接触阻抗分别R1-R4,Ra,Rb,Rc,Rd分别为四次测试之量测值.

（3）R//C（mode2）信号源Vs取恒压（0.2V），量回Ix，Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix，算出Rx值.

（4）R//L（mode3,4,5）:

信号源取交流电压源Vs，用相位法辅助.

|Y’|Cosθ=YRx=1/Rx,

并|Y’|=I’x/Vs,故：

Rx=1/|Y’|Cosθ

2.电容及电感量测

（1）

单个C,L（Mode0,1,2,3）：

信号源

取恒定交流压源Vs,Vs/Ix=Zc=1/2лfCx

求得：

Cx=Ix/2лfVs

Vs/Ix=Zl=2лfLx,求得：

Lx=Vs/2лfIx

（2）C//R或L//R（Mode5,6,7）：

用相位法辅助，|Y’|Sinθ=|Ycx|,

即ωCx’Sinθ=ωCx

求得：

Cx=Cx’Sinθ，（Cx’=Ix’/2лfVs）

|Y’|Sinθ=|Ycx|,

即Sinθ/ωCx’=1/ωCx

求得：

Lx=Lx’/Sinθ，（Lx’=Vs/2лfIx’）

電容極性測試的另一方法是三端測試,須在上方加一探針觸及殼體.在電容的正負極加載直流電壓,至充飽后測量殼體電壓.由于正負極與殼體間的阻抗差異,故對于插反的電容所測量到的殼體電壓會與正確時不同.據此可判別電容的極性.（详见附页一）

3.跳线测试：

（UMPER,FUSE,WIRE,CONNECTOR,SWITCH,etc）

4.量测PN结：

（D,Q,IC,FET）

（1）信号源0-10V/3mAor30mA可程式电压源,量PN结导通电压;

（2）ZenerD的测试原理是量测其崩溃电压，与二极体的差异是在测试电压源不同,其电压源为0V-10V及0V-48V可程式电压源.

（3）电晶体测试需要三步骤测试，其中

（1）B-E和

（2）B-C脚是使用二极体的测试方法,（3）E-C使用Vcc的饱和电压值及截止值的不同，来测试电晶体是否插反.电晶体反插测试方法：

在B-E及E-C

脚两端各提供一个可程式电压源，量测出电晶体E-C正向的饱和电压为Vce=0.2V左右，若该电晶体反插时，则Vce电压将会变成截止电压，并大于0.2V，即可测出电晶体反插的错误.

5.量测Open/Short：

即以阻抗判定,先对待测板上所有Pin点进行学习,R<25Ω即归为ShortGroup，然后Test时进行比较，R<5Ω判定为Short，R>55Ω判为Open.

6.Guarding（隔离）的实现：

以电流源当信号源输入时，則在相接元件一的另一腳加上一等高電位能（GuardingPoint），以防止電流流入與被測元件相接的旁路元件，確保量測的精準性。

此時隔離點的選擇必須以和被測元件高電位能腳（Hi-Pin）相接之旁路元件為參考範圍.

以电压源当信号源输入时，則在相接元件二的另一腳加上一等底電位能（GuardingPoint），以防止與被測元件相接之元件所產生的電流流入，而增加量測的電流，影響量測的精準性。

此時隔離點的選擇必須以和被測元件低電位能腳（Low-Pin）相接之旁路元件為參考範圍.

三.程式的Debug

编写好的程式在实测时，因测试信号的选择，或被测元件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出±%限），必须经过Debug.

1.电阻

在E[编辑]下，ALT-X查串联元件，ALT-P查并联元件。

据此选好“信号”（Mode）和串联最少元件的Hi-P/Lo-P，并ALT-F7选择GuardingPin。

R//C：

Mode2及Dly加大.

R//D（orIC、Q）：

Mode1.

R//R：

Std-V取并联阻值.

R//L：

Mode3、4、5，根据Zl=2πfL，故L一定时，若f越高，则Zl越大，则对R影响越小.

2.电容

在[编缉]下一般根据电容值大小，选择相应的Mode。

如小电容（pF级），可选高频信号（Mode2、3），大电容（nF级）可选低频信号（Mode0、1），然后ALT-F7选择隔离。

3uF以上大电容，可以Mode4、8直流测试。

C//C：

Std-V取并联容值

C//R：

Mode5、6、7，由Zc=1/2лfC,故C一定时，f越高，Zc越小，则R的影响越小。

C//L：

Mode5、6、7，并且f越高效果越好。

3.电感

F8测试，选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V.

L//R：

Mode5、6、7。

4.PN结

F7自动调整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上）。

D//C：

Mode1及加Delay。

D//D（正向）：

除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以

免D反插时误判。

Zener：

Nat-V选不低于Zener崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选Mode1（30mA），另外10-48Vzener管，可以HV模式测试。

5.电晶体

be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNPorNPN），Hi-P一样（NPN），Lo-P一样（PNP），并可Debugce饱和电压（0.2V以下），注意Nat-V为be偏置电压,越大Q越易进入饱和，但须做ce反向判断（须为截止0.2V以上），否则应调小Nat-V。

四.不良报表

1.不良报表的阅读

以H0代有上限值（标准值，L0代表下限值）：

L1表示：

量测值介于L0与L0-（H0-L0）10%之间

L2表示：

量测值介于L1与L0-（H0-L0）20%之间

VL表示：

量测值低于L2

H1表示：

量测值介于H0与H0+（H0-L0）10%之间

H2表示：

量测值介于H1与H0+（H0-L0）20%之间

VH表示：

量测值高于H2.

2.不良记录

******OpenFail******

（48）（4548）表示48点与短路组（4548）断开，可能是

探针未接触到PCB焊盘，或板上有断路。

********ShortFail*********

（20）（23）表示20点与23点短路（R<5Ω），可能是板上有锡渣造成Short，装错零件造成Short，零件脚过长造成Short等。

******ComponentFail******

1      R3M-V：

52.06K，Dev：

+10.7%，Act-V=47K，Std-V=47K，

Loc:

A1，Hi-P=21，L0-P=101，+LM：

+10%，-LM：

-10%.

表示：

R3偏差+10.7%，可能为零件变值，或接触不良。

若偏差+999.9%或很大，可能为缺件、错件超出标准值所在量程上限，（47K在30K—300K量程内）；若偏差0.00%或很小，可能为短路，错件超出其标准值所在量程下限。

五.ICT误判分析

1.ICT无法测试部分：

1）并联大10倍以上大电容的小电容.

2）并联小20倍以上小电阻的大电阻

3）单端点之线路断线

4）D//L，D无法量测

5）IC之功能测试.

2.PCB之测点或过孔绿油未打开，或PCB吃锡不好.

3.压床压入量不足。

探针压入量应以1/2-2/3为佳.

4.经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良.

5.PCB板定位柱松动，造成探针触位偏离焊盘.

6.治具探针不良损坏.

7.零件厂牌变化（可放宽+-%，IC可重新Learning）.

8.治具未Debug好（再进行Debug）.

9.ICT本身故障.

六.硬体检测

1.开关板：

诊断（D）----切换电路板（B）----系统自我诊断（S）----切换电路板诊断（S）

若有B*C*表示SWB有Fail，请记录并通知TRI。

C*有可能为治具针点有Short造成。

2.系统自我检测：

诊断（D）----硬体诊断（S）---系统自我检测（S）

有R、D项Fail可能为DC板故障.

有C、L项Fail可能AC板Fail.

有Power项Fail可能PowerFail，也请记录并通知TRI.

附页一：

三端電容極性測試程式說明

1.测试点

2.测试程式

測試原理為從HiP送sourcevoltage，然後從G-P1讀回量測值，由於缺件或反插，其量測值很低（接近0），所以只比較下限，上限Don’tcare。

✧Act_V：

Sourcevoltage，建議值為0.2V

✧Std_V：

SenseVoltage（Threshold），依實際Debug後決定

✧Hlim：

固定為–1（Don,tcare）

✧Llim：

建議值為20，可依實際Debug後決定

✧Mode:

固定為8或18（適用於防爆電容）

✧Type：

固定為PX

✧Hip：

電容負端（sourcepin）

✧Lop：

電容正端

✧Dly：

依實際Debug後決定

✧G-P1：

SensePin

3.除错规则

將Hip/Lop相同的電容放在一起，例如CE1,CE2,CE3的HiP及LoP都是1及3，所以測試程式如下：

✧Debug時可交換HiP及Lop比較量測值，以決定較佳之Threshold（Std_V）

✧若交換HiP及Lop量測值差異不大可調整Delaytime或Sourcevoltage（Act_v）

✧若交換HiP及Lop量測值皆很低，可能是第三端接觸問題，可先檢查第三端是否接觸正常或待測電容有歪斜，可用換針或扶正待測電容方式解決

✧治具製作時第三端選用測試針，需考慮相同位置待用料的高度差異，以免造成接觸不良或刺穿待測物的問題

✧三端電容量測是用來檢測缺件及反向，無法檢測錯件

✧可利用量測分析工具（HotKeyF12）決定較佳标准值,Delaytime.

附页二：

IC空焊测试