半导体器件参数精.docx

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半导体器件参数精

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题

（二）

姓名：

 单位：

职务：

得分：

一、填空题（每题1分，共20分）：

1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。

2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。

3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。

4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。

5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。

6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。

7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻

RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。

Rs（rs----串联电阻Rth----热阻结到环境的热阻动态电阻本机关单位或本系统r

 δ---衰减电阻

r（th---

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人tg---电路换向关断时间

12

Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉

toff---。

tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间

ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度

p---发光峰值波长

△λ

η---

15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

、正向压降（正向直流电压）

△政府、断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见

VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV

履行职责交流输入电压

最大输出平均电压

C和国家有关法律、法规制定的。

中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

反向峰值电压（最高测试电压）

V

2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CDVth---阀电压（门限电压）

反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压社团组织Vv---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

3、在年度考核、干部考察中，民主测评不称职票超过（A）

二、双极型晶体管参数符号及其意义

Cc---集电极电容

Ccb---集电极与基极间电容

发射极接地输出电容

Ci---输入电容

共基极输入电容

Cie---B考察材料C证明材料共发射极开路输入电容

Cn---中和电容（外电路参数）

输出电容

Cob---共基极输出电容。

在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coe---共发射极输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Cre---共发射极反馈电容

Cic---集电结势垒电容

CL---负载电容（外电路参数）

Cp---并联电容（外电路参数）

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVcer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

D---占空比

fT---特征频率

fmax---最高振荡频率。

当三极管功率增益等于1时的工作频率

hFE---多于

hIE---共发射极静态输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hRE---

7、党政领导干部交流的重点是AB的领导成员，hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

A地方党委共发射极小信号开路输出导纳

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---

基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

A一年以上B

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM---

ICMP---ISB---

IAGC---正向自动控制电流

Pc---集电极耗散功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pi---输入功率

Po---输出功率

Posc---振荡功率

Pn---噪声功率

Ptot---

ESB---二次击穿能量

rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）

rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

RE---外接发射极电阻（外电路参数）

RB---外接基极电阻（外电路参数）

12、因工作能力较弱或者其他原因不适宜担任现职的，应当Rc---外接集电极电阻（外电路参数）

RBE---外接基极-

A同级交流B降职使用C责令辞职热阻

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Ts---结温

Tjm---最大允许结温

Tstg---贮存温度

td----延迟时间

tr---上升时间

ts---存贮时间

tf---。

toff---A党管干部的原则B公开选拔的原则C民主集中制的原则D发射极（直流）电压

VBE---基极发射极（直流）电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

党政主要领导的意见BVCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压D

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

16、党政领导干部任职回避的亲属关系为ABCD

。

A夫妻关系近姻亲关系

VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE（sat---发射极接地，规定17、辞职包括-发射极间饱和压降

VBE（sat---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

VAGC---正向自动增益控制电压

Vn（p-p---

18、提拔担任县（处）级以上党政领导职务的，应当具备的资格其中有Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

C大学专科以上文化程度Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

A不准泄露酝酿、讨论干部任免的情况CTC---电容温度系数

C标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压

21、选拔任用党政领导干部，必须坚持的六条原则中，除了任人唯贤、德才兼备原则；群众公认、注重实绩原则；公开、平等、竞争、择优原则；民主集中制原则；依法办事原则等以外，还有一条是（B。

A、效率优先原则B、党管干部原则IM）

22、考察党政领导职务拟任人选，必须依据干部选拔任用条件和不同领导职务的职责要求，全面考察其（C。

A、政治立场和工作表现 C、德、能、勤、绩、廉，注重考察工作实绩

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF（ov---

IL---

B、地方党委、政府工作部门的领导成员或者其人选，党政机关内设机构的领导成员或者其人选，以及其他适于公开选拔、竞争上岗的领导职务暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

A、大学专科

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---

1、提任县（处）级以上领导职务的，由下级正职提任上级副职，一般要在下级正职岗位上工作两年以上。

（×）IRR---

2、考察组由三名以上成员组成，考察组成员对考察材料负责。

（×）

3、同一地方（部门）的党政正职一般可以同时易地交流。

（

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。

测试反向电参数时，给定的反向电流）

4、责令辞职，是指党委（党组）及组织（人事）部门，根据党政领导干部在任职期间的表现，认定其已不再适合担任现职的，通过一定程序责令其辞去现任领导职务，拒不辞职的，应免去现职。

（IOM---最大正向（整流）电流。

在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 

IZSM---5

IZM---iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---√

7、选拔任用党政领导干部，必须坚持六条原则；党政领导干部应当具备六项基本条件；提拔担任党政领导职务的应当具备七项任职资格。

（√f---频率

8、由党委推荐、人民代表大会选举的领导干部人选落选后，根据工作需要和本人条件，可以推荐为其他职务人选，但不能再次推荐为同一职务人选。

（×）δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

10PB---承受脉冲烧毁功率

PFT（AV四、简答题（每题分，共20分）：

正向峰值耗散功率

、公开选拔、竞争上岗应当经过的程序有哪些？

正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。

硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。

在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）---正向微分电阻。

在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。

在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs（rs----串联电阻

Rth----热阻

R（thja----结到环境的热阻

Rz（ru---动态电阻

R（thjc---结到壳的热阻

r δ---衰减电阻

r（th---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

△VF---正向压降差 

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF（AV）---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）---击穿电压

Vth---阀电压（门限电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

Vv---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL---极限电压

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL---极限电压

三、场效应管参数符号意义

Cds---漏-源电容

Cdu---漏-衬底电容

Cgd---栅-源电容

Cgs---漏-源电容

Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短路共源反向传输电容

D---占空比（占空系数，外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参数）

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

ID---漏极电流（直流）

IDM---漏极脉冲电流

ID（on---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS（sat---沟道饱和电流（漏源饱和电流）

IG---栅极电流（直流）

IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流

IF---二极管正向电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IDSS1---对管第一管漏源饱和电流

IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

gfs---正向跨导

Gp---功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

GPD---共漏极中和高频功率增益

ggd---栅漏电导

gds---漏源电导

K---失调电压温度系数

Ku---传输系数

L---负载电感（外电路参数） 

LD---漏极电感

Ls---源极电感

rDS---漏源电阻

rDS（on---漏源通态电阻

rDS（of---漏源断态电阻

rGD---栅漏电阻

rGS---栅源电阻

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

RL---负载电阻（外电路参数）

R（thjc---结壳热阻

R（thja---结环热阻

PD---漏极耗散功率

PDM---漏极最大允许耗散功率

PIN--输入功率

POUT---输出功率

PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

to（on---开通延迟时间

td（off---关断延迟时间

ti---上升时间

ton---开通时间

toff---关断时间

tf---下降时间

trr---反向恢复时间

Tj---结温

Tjm---最大允许结温

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tstg---贮成温度

VDS---漏源电压（直流）

VGS---栅源电压（直流）

VGSF--正向栅源电压（直流）

VGSR---反向栅源电压（直流）

VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）

VGS（th---开启电压或阀电压

V（BR）DSS---漏源击穿电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

VDS（on---漏源通态电压

VDS（sat---漏源饱和电压

VGD---栅漏电压（直流）

Vsu---源衬底电压（直流）

VDu---漏衬底电压（直流）

VGu---栅衬底电压（直流）

Zo---驱动源内阻

η---漏极效率（射频功率管）

Vn---噪声电压

aID---漏极电流温度系数

ards---漏源电阻温度系数