微星880G主板BIOS设置详细解析下.docx

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微星880G主板BIOS设置详细解析下

第1页：

微星880G主板BIOS设置详解（下）[1]

   八、CellMenu  核心菜单

    核心菜单是BIOS设置最重要的菜单，内容繁多。

分成5个部分介绍。

（一）、CPU相关部分

   1、当前CPU、DRAM、CPU-NB频率信息

    这里显示的是当前CPU、内存、CPU-NB的频率。

如果重新设置了这些频率，保存设置重新启动，这里显示的是新设置的频率。

   2、CPUSpecifications CPU规格

   这是主板安装的CPU规格信息，以便于客户了解CPU。

下面还有：

   CPUTechnologySupport  CPU技术支持

   这里显示的CPU所支持的技术信息。

   3、CPUFeature CPU特征

    这里列出的是可以供用户设置的几项CPU技术。

   3-1、AMDCool‘n’Quiet AMD的凉又静技术

    AMDCPU的节能技术，也叫“凉又静”。

依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。

当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低。

如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。

该选项的设置是Enabled和Disabled。

CNQ需要操作系统电源选项设置为“最少电源管理”（XP），或“节能”（WIN7）。

   3-2、C1ESupport C1E支持

   C1E的全称是EnhancedHaltstate，增强Halt状态。

C1E就是增强的C1状态。

设置项有Disabled（关闭）、Enabled（开启），默认是Enabled。

C1是ACPI规定的所有CPU必须支持的一种节电状态，由操作系统发出HLT指令，让CPU即不取指令也不读写数据，处于空闲状态。

所以AMD的CPU尽管有CNQ节能，还必须支持C1。

   3-3、SVMSupport SVM支持

   这是AMDCPU的虚拟机属性。

要安装虚拟机（特别是安装WIN7）请开启这项设置。

设置项是Enabled（默认）和Disabled。

   4、AMDCool‘n’Quiet AMD的凉又静技术

   AMDCPU的节能技术，也叫“凉又静”。

依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。

当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低。

如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。

该选项的设置是Enabled和Disabled。

CNQ需要操作系统电源选项设置为“最少电源管理”（XP），或“节能”（WIN7）。

    5、C1ESupport C1E支持

   C1E的全称是EnhancedHaltstate，增强Halt状态。

C1E就是增强的C1状态。

设置项有Disabled（关闭）、Enabled（开启），默认是Enabled。

C1是ACPI规定的所有CPU必须支持的一种节电状态，由操作系统发出HLT指令，让CPU即不取指令也不读写数据，处于空闲状态。

所以AMD的CPU尽管有CNQ节能，还必须支持C1。

   6、AdjustCPUFSBFrequency 调整CPU前端总线频率

   这是手动设置超频用的，就是客户自己设置CPU前端总线的频率，也叫做外频。

可以直接键入想要设置的频率，频率范围是190-690MHz。

   7、OCStepping 分步超频

   这是因为有时超频太高，不能进入系统，这项设置就是可以设置开机时频率较低，进入系统后再恢复设定的超频频率。

当你设置FSB超频后，这项就可以设置了。

   8、AdjustCPURatio 调整CPU倍频

   这是调整CPU的倍频。

对于锁定倍频的CPU来说，可以向下调整倍频。

AMD有不锁倍频的CPU，可以超倍频。

   9、AdjustCPU-NBRatio 调整CPU内的北桥倍频

   这是调整CPU-北桥的倍频。

设置项有Auto、X7-X10。

默认是Auto。

这项设置必须大于或等于HTLink速度。

   10、Unlock CPUCore CPU内核解锁

   就是CPU开核，AMD有些2核/3核/4核CPU是更多核心CPU屏蔽了若干内核的产品。

被屏蔽的内核，有的是完好的，有的是有BUG的。

这项设置就是打开这些被屏蔽的内核。

设置项有Enabled（开启）、Disabled（关闭），默认是Disabled（关闭）。

AMD850芯片组已经关闭了这种功能（ACC），微星通过BIOS设置支持开核。

如果设置开核后，不能正常开机，请把下面的HTLinkSpeed设置为X8。

第2页：

微星880G主板BIOS设置详解（下）[2]

   11、CPUCore Control CPU核心管理

   这是管理CPU核心，设置项有AUTO（自动）、Manual（手动），默认是Auto。

设置为Manual后，列出所有的核心，出了第一个核心外，其余的都可以设置开启或关闭。

如果开核后，有严重BUG的核心不能正常工作，可以在这里关闭这个核心。

   12、OCGenieLite 超频精灵Lite版

   这是微星为方便菜鸟级的玩家超频而设计的自动超频技术。

这项设置有Disabled（关闭）、Enabled（开启）、withiGPU，默认是Disabled。

   Enabled就是开启自动超频，用户不必手动设置，系统自动侦测CPU和内存，自动选择适当的超频频率完成超频。

withiGPU就是连同整合显卡一起超频。

（二）、内存相关部分

   1、MEMORY-Z 内存条SPD信息

   这是查看内存条SPD信息的，有助于了解内存条SPD参数。

这个选项是二级菜单，回车进入：

   插了2条内存，显示出了DIMM1和DIMM3，如果插4条内存，就会显示出4条内存。

这也是二级菜单，敲回车进入SPD信息列表：

   由于安装的内存是芝奇F3-12800CL7D-4GBRM（2GBx2），支持XMP，SPD里面有XMP，所以还有XMP信息，敲回车查看XMP信息：

   2、AdvanceDRAMConfiguration 高级DRAM配置

   这是二级菜单，回车进入：

   2-1、DRAMTimingMode DRAM时序模式

   这一项是设置内存时序，设置项有Auto、DCT0、DCT1、Both，默认是Auto。

Auto就是按内存条的SPD设置时序。

DCT0/DCT1/Both是用户自己设置时序置。

DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。

   这是DCT0的时序参数设置：

   CASLatency（CL）：

列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。

CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。

因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

   内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。

当内存读写请求触发后，最初是tRP（ActivetoPrechargeDelay：

预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。

一旦tRAS激活后，RAS（RowAddressStrobe行地址选通）开始对需要的数据进行寻址。

首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAStoCASDelay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。

期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。

所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

   这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。

同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。

这个参数越小，则内存的速度越快。

必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。

而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

   该参数对内存性能的影响最大，是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。

参数范围3-11。

   tRCD（RAStoCASDelay）：

行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。

JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。

参数范围3-10。

   tRP（RowprechargeDelay）：

行地址选通预充电时间。

这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。

预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。

   但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。

参数值大将提高系统的稳定。

参数范围3-10。

JEDEC规范中，它是排在第三的参数。

   tRAS（RowactiveStrobe）：

行地址选通。

这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。

也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。

降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。

如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。

该值一般设定为CASlatency+tRCD+2个时钟周期。

为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

参数范围5-20。

JEDEC规范中，它是排在第四的参数。

   tRTP（READtoPrechargeCommandDelay）：

读取到预充电命令延迟，这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间延迟。

如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。

参数范围3-15。

   tRC（TimingofRowCycle）：

行周期时间。

这是从一个有效命令到下一个有效命令（或自动刷新命令）的总的周期时间。

一般情况下tRC=tRAS+tRP。

参数值小，系统运行很快，但不稳定。

   tWR（TimingofWriteRecovery）：

写恢复时间。

这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。

就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。

这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。

同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

参数范围1-15。

   tRRD（RAStoRASDelay）：

行选通到行选通延迟，也称为RowtoRowdelay。

这是表示“行单元到行单元的延时”。

该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。

tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。

然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。

如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。

参数范围1-7。

   tWTR（WritetoReadDelay）：

写到读延时。

这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。

也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。

偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。

参数范围1-15。

   tRFC（RefreshCycleTime）：

刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。

该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令（即：

REF指令）之间的时间间隔。

tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

参数范围30-110。

   行刷新是按内存插槽进行的。

所以tRFC参数有时又内存的DIMM槽细分为tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。

   tRWTTO（TimingofReadtoWrite）：

数据从读到写转变时间。

这是CAS读操作命令最后周期到下一个写操作命令之间的最小周期时间。

这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

   tWRRD（TimingofWritetoRead）：

写到读时间。

这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS写突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。

这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

   tWRWR（TimingofWritetowrite）：

写到写时间。

这是从第一个虚拟CAS写突发操作的最后一个周期到跟着的一个写突发操作（这个改变是终端器允许的）的最小周期时间。

这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

   tRDRD（TimingofReadtoRead）：

读到读时间。

这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。

这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

   以上介绍的17个参数值在DCT1和Both的参数设置中也是相同的。

第3页：

微星880G主板BIOS设置详解（下）[3]

   2-2、DRAMDriveStrength DRAM驱动强度

   这里是设置内存驱动强度，有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存SPD设置。

其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。

下面以DCT0为例，看看驱动强度各项目的设置。

   每个通道的信号驱动强度有7项：

   CKEDriveStrength：

时钟允许（Clockenable）信号驱动强度

   设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x

   CS/ODTDriveStrength：

片选/内建终端电阻驱动强度

   设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x

   Addr/CmdDriveStrength：

地址/命令驱动强度

   设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x

   ClockDriveStrength：

时钟信号驱动强度

   设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x

   DataDriveStrength：

数据信号驱动强度

   设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x

   DQSDriveStrebgth：

数据请求信号驱动强度

   设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x

   ProcOdt：

CPU内建终端电阻

   设置值有Auto、240ohms/120ohms/60ohms

   2-3、DRAMAdvanceControl DRAM高级管理

   DRAM高级管理有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存SPD设置。

其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。

下面以DCT0为例，看看高级管理各项目的设置。

   每个通道的高级管理有6项。

   DRAMTermination：

内存芯片的片内终端电阻。

从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。

DDR3也是这样。

这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75ohms、150ohms、50ohms。

默认是Auto。

DRAMDriveWeak：

减弱DRAM驱动强度。

设置参数有Auto、Normal、Reduced。

Auto是让BIOS依据内存条自动设置。

Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。

   DRAMParityEnable：

允许DRAM奇偶校验。

奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。

但允许奇偶校验会影响内存读写速度。

设置参数有Auto、Enabled、Disabled。

默认设置是Auto。

   DRAMSelfRefreshRateEnable：

允许DRAM自刷新速率。

DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。

自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。

设置参数有Auto、Enabled、Disabled。

默认设置是Auto。

   DRAMBurstLength32：

DRAM突发模式的长度32。

突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。

连续读写的长度有32字节和64字节。

这项设置就是选择32字节，还是64字节。

设置参数有Auto、64字节、32字节。

默认是Auto。

Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。

   BankSwizzleMode：

Bank搅和模式。

内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4Bank、8Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。

   内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。

通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。

双面就是2个Bank。

CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。

这种Bank称之为物理Bank。

CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。

   插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个片选Bank，都是覆盖2个。

BankSwizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。

设置参数有Auto、Disabled、Enabled。

Auto就是交给BIOS和系统处理。

Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。

Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡性能。

一般还是设置Auto为好。

   2-4、1T/2TMemoryTiming 命令周期1T/2T

   这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。

1T当然比2T快。

但是要依据内存条的性能。

性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。

一般保持Auto就是依据SPD设置。

   2-5、DCTUngangedMode

   内存通道控制模式。

选择内存通道的控制模式，Ganged是一个双通道，128位带宽。

Unganged是2个单通道，64位x2带宽。

设置选项是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。

默认是Enabled。

Unganged模式和Ganged模式比较，Unganged模式比较好。

   2-6、BankInterleaving

    Bank交错存取。

内存bank交错存取可以让系统对内存的不同bank同时存取，可以提升内存速度及稳定性。

设置值有Auto和Disabled，默认值是Auto（开启交错存取）。

   2-7、PowerDownEnable

    开启或关闭DRAMPowerDown。

内存掉电设置，选项有Disabled和Enabled。

默认是Disabled。

   设置为Enabled后，增加PowerDownMode选项，选择Channel模式和ChipSelect模式。

   2-8、MemClkTristateC3/ATLVID

    开启或关闭内存时钟在C3/ATLVID下的3态。

默认是关闭的（Disabled）。

第4页：

微星880G主板BIOS设置详解（下）[4]

   3、FSB/DRAMRatio 前端总线和内存倍率

    默认设置是Auto，自动识别内存条的SPD，设置内存频率。

回车可以手动设置。

倍率设置有Auto（默认）、1:

2/1:

2.66/1:

3.33/1:

4。

AMD的FSB=200，1:

2=DDR3800，1:

2.66=DDR31066，1:

3.33=DDR31333，1:

4=DDR31600。

   如果FSB超频，就要按FSBx4计算。

这里说的DDR3频率是数据传输频率，不是内存时钟频率，如果按时钟频率，应该除2。

比如DDR31600的时钟频率是800MHz。

   AMD不支持XMP技术，因为XMP的版权是Intel的。

XMP1600的内存用在8系列AMD主板上，只能通过设置FSB/DRAM倍率设置到1600，或者FSB超频。

   小知识：

内存时序参数知识

   1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。

   2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。

系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。

   3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。

读写前要先对选定的存储单元预充电（Precharge）。

   4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。

   5、CL-tRCD-tRP-tRAS这4个参数是最重要的。

内存标注的也往往是这4个参数。

   下表是JEDEC的内存时序参数标准值。

从表中可以看到DDR3-800/1066/1333/1600内存规格中，每种规格又按时序参数分为若干种。

比如1333的有7-7-7/8-8-8/9-9-9/10-10-10，1600的有8-8-8/9-9-9/10-10-10/11-11-11。

因此购买内存时请注意，不要只看DDR31333，或者1600这种速度指标。

还要看参数指标。

比如有些DDR31600的内存条，其实就是DDR31333的，因为DDR313338-8-8的内存条，时序改为9-9-9，就可以超频到1600。

同样DDR31333的7-7-7，如果参数设置为8-8-8速度就可以超频到1600。

所以DDR31333和1600没有明显的界限。

购买1600内存，最好看看时序参数。

   （三）、总线频率相关部分

   1、OnboardVGACoreOverclock 整合显卡超频

   设置项有Disabled（默认）和Enabled。

   开启显卡超频，增加一项调整显卡频率值的选项：

AdjustOnboardVGAFrequency。

默认值是500MHz。

超频时直接键入频率值，比如550MHz。

   2、HTLinkControl HT链接管理

   这是二级菜单，回车进入：

   这里是设置HT链接宽度。

HT总线是单向传输，所以会有Incoming（上行）和Outgoing（下行）。

设置项有Au