高电压技术复习总结.docx

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高电压技术复习总结

第2章气体放点的基本物理过程（这章比较重要，要记得知识点很多，要认真看）

在第二章标题下面有一句话“与固体和液体相比·········”（

1.电离是指电子脱离原子的束缚而形成自由电子、正离子的过程．电离是需要能量的，所需能量称为电离能Wi（用电子伏eV表示，也可用电离电位Ui=Wi/e表示）

2.根据外界给予原子或分子的能量形式的不同，电离方式可分为热电离、光电离、碰撞电离（最重要）和分级电离。

3.阴极表面的电子溢出：

（1）正离子撞击阴极：

正离子位能大于2倍金属表面逸出功。

（2）光电子发射：

用能量大于金属逸出功的光照射阴极板。

光子的能量大于金属逸出功。

（3）强场发射：

阴极表面场强达到106V/cm（高真空中决定性）

（4）热电子发射：

阴极高温

4.气体中负离子的形成：

电子与气体分子或原子碰撞时，也有可能发生电子附着过程而形成负离子，并释放出能量（电子亲合能）。

电子亲合能的大小可用来衡量原子捕获一个电子的难易，越大则越易形成负离子。

负离子的形成使自由电子数减少，因而对放电发展起抑制作用。

SF6气体含F，其分子俘获电子的能力很强，属强电负性气体，因而具有很高的电气强度。

5.带点质点的消失：

（1）带电质点的扩散：

带电质点从浓度较大的区域向浓度较小的区域的移动，使带电质点浓度变得均匀。

电子的热运动速度高、自由行程大，所以其扩散比离子的扩散快得多。

（2）带电质点的复合：

带异号电荷的质点相遇，发生电荷的传递和中和而还原为中性质点的过程，称为复合。

带电质点复合时会以光辐射的形式将电离时获得的能量释放出来，这种光辐射在一定条件下能导致间隙中其他中性原子或分子的电离。

6.气体间隙中电流与外施电压的关系：

第一阶段：

电流随外施电压的提高而增大，因为带电质点向电极运动的速度加快复合率减小

第二阶段：

电流饱和，带电质点全部进入电极，电流仅取决于外电离因素的强弱（良好的绝缘状态）

第三阶段：

电流开始增大，由于电子碰撞电离引起的电子崩

第四阶段自持放电：

电流急剧上升放电过程进入了一个新的阶段（击穿）

外施电压小于U0时的放电是非自持放电。

电压到达U0后，电流剧增，间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素。

自持放电

7.电子碰撞电离系数α：

代表一个电子沿电力线方向行经1cm时平均发生的碰撞电离次数。

8.自持放电的条件：

必须在气隙内初始电子崩消失之前产生新的电子（二次电子）来取代外电离因素产生的初始电子；实验表明：

二次电子的产生与气压气隙长度的乘积（pd）有关:

Pd较小，自持放电可由汤逊理论（和巴申定律）解释;Pd较大，自持放电可由流注理论解释。

汤逊理论认为二次电子的来源是正离子碰撞阴极表面发生的电子逸出。

ad≈ln

pd值较大时，放电也是从电子崩开始的，但当电子崩发展到一定阶段后，会产生电离特强、发展速度更快的空间的光电离，形成流注（等离子体）。

流注的发展速度比电子崩的快一个数量级，且出现曲折分支。

流注理论认为，二次电子的主要来源是空间的光电离。

一旦出现流注，放电就可以由空间光电离自持维持；若电场均匀，间隙将被击穿。

ad=ln

流注理论可以解释汤逊理论无法说明的pd值大时的放电现象。

两种理论各适用于一定条件的放电过程，不能用一种理论取代另一种理论。

两种理论的自持放电条件具有完全相同的形式，但两者维持放电的过程不同。

（书上的这一段话要好好看，三种现象以后好像考研面试有用）

9.稍不均匀电场中放电的特点与均匀电场中相似，在间隙击穿千看不到有什么放电的迹象，极不均匀电场中放电则不同，当所加电压达到某一临界值时，曲率半径较小的电极附近空间的电场强度首先达到了起始场强E0，在这个局部区域出现蓝紫色的晕光，并伴随有“滋滋”声、电磁辐射和能量损耗。

这种仅仅发生在强场区的电晕放电是一种自持放电。

10.电场不均匀系数：

f=/，即间隙中最大场强与平均场强的比值。

通常f<2时为稍不均匀电场，f>4时为极不均匀电场。

补充：

电晕放电的危害与对策（四班老师复习强调）p22

11.在极不均匀电场间隙中自持放电条件即是电晕起始的条件。

12.在极不均匀电场中，放电一定从曲率半径较小的那个电极表面开始，与该电极极性无关。

但后来的发展过程、气隙的电气强度、击穿电压等都与该电极的极性有密切的关系。

极不均匀电场中的放电存在着明显的极性效应。

同一间隙在不同电压极性下的电晕起始电压不同，击穿电压也不同，这就是放电的极性效应。

13.正极性（棒）电晕放电

棒极带正电位时，电子崩头部的电子到达棒极后即被中和，棒极附近空间留下许多正离子。

这些正离子虽朝板极移动，但速度很慢而暂留在棒极附近。

这些正空间电荷削弱了棒极附近的电场强度，而加强了正离子群外部空间的电场。

正空间电荷阻止了正棒极附近流注的形成，使电晕起始电压有所提高。

14.负极性棒－板间隙击穿电压比正极性棒－板电极高

正极性棒－板电极容易被击穿。

补充：

12——14点很重要，会画图，描述，记住结论。

P25第三段有知识点，大家看一下。

第3章气体间隙的击穿场强

1.均匀电场中的击穿：

（特点）

1）均匀电场中电极布置对称，击穿无极性效应；

2）均匀场间隙中各处电场强度U相等，击穿所需时间极短，直流击穿电压、工频击穿电压峰值、50%冲击击穿电压相同；

3）击穿电压的分散性很小。

（书旁边的图看一下）

间距1－10cm均匀电场击穿场强为30kV/cm。

（3·1·2这一节只要记住P25页的结论（上边补充的）就可以了，其他不作要求，四班的老师如是说）

3·2这一节很重要，知识较多，大家好好看

2.冲击电压的标准波形：

（这个图很重要，各点的意义要知道）

雷电冲击电压与系统电压无关。

避雷器动作后，作用在系统上的为避雷器的残压。

标准雷电波的波形：

=μs±30％，=50μs±20％

对于不同极性:

+50μs或50μs

操作冲击波的波形：

/=250（±20％）/2500（±60％）μs

3.放电时延（要理解）：

要使气体间隙击穿，除了足够场强、引起电子崩并导致流注的有效电子外，气隙击穿还需要一定的时间，让放电得以逐步发展并完成击穿。

4.50％击穿电压：

多次施加电压时有半数会导致击穿的电压值

低概率击穿电压：

=-3σ

5.冲击系数：

同一间隙50％冲击击穿电压与稳态击穿电压之比，称为击穿系数β。

均匀和稍不均匀电场：

β≈1放电时延短，分散性小；极不均匀电场：

β>1放电时延长，击穿常一般发生在波尾。

6.伏－秒特性：

在同一冲击电压波形下，击穿电压值与放电时延（或电压作用时间）有关的特性。

50%击穿电压只是50%伏-秒特性曲线上的一个点，即在冲击全波作用下的50%击穿电压。

（重要，还有书上的相关图形）

7.大气密度和湿度对击穿的影响：

在极不均匀电场中，空气中的水分（湿度增大）能使间隙的击穿电压有所提高。

随着海拔高度增加，外绝缘的放电电压将下降。

补充：

这一节四班老师提到几个知识点，其中操作冲击电压的击穿对象，有“U形曲线”，

3.3.3这一小节中”由图可见…..这一句老师有提到。

不要求，海拔的影响要求。

8.是理想的气体绝缘介质和灭弧介质，在均匀电场中气体的绝缘强度约为空气的倍，其灭弧能力是空气的100以上。

（设备的几种要记住）

气体的液化温度较低，一般可满足工程实际的应用，如（7个大气压，作为断路器的绝缘）的液化温度是－25℃，（4个大气压，作为GIS绝缘）的液化温度不高于－40℃。

气体的应用可大大降低设备尺寸，与空气介质相比，500kV的GIS是敞开式的1/50。

气体广泛应用于高压断路器、GIS、充气管道电缆，充气体的变压器和开关柜也在发展中。

只有在均匀电场和稍不均匀电场，气体才能发挥其优异的绝缘性能，因而一般应用气体做绝缘时，应尽量保证其电场的均匀性。

此外，气体中水含量的增加，将会大大降低其绝缘性能，因而使用中应定期检测其微水含量。

气体价格高，温室效应相当于的23900倍，且气体不会自然分解，在大气中寿命长达3200年。

一般工程中多采用混合气体。

气体在极不均匀电场中击穿的异常现象：

一是击穿电压随气压的变化出现驼峰现象；二是在驼峰气压范围内，雷击冲击击穿电压明显低于稳态击穿电压。

补充：

P38第一句，p39页倒数第二段第一句，老师有提到，其他的没有怎么说。

3.5.3以后的章节四班老师没有要求，大家参考一下

9.提高气隙击穿电压的措施：

改善电场分布的措施：

改善电极形状；利用空间电荷对原电场的畸变作用；极不均匀电场中屏蔽的采用。

削弱电离过程的措施：

高气压的采用；强电负性气体的应用；高真空的采用。

第4章气体中沿固体绝缘表面的放电

章节标题下的那一段要了解

1.沿面闪络：

指沿气体介质与固体介质交界面上发展的放电现象。

补充：

这一节的第一句，有提到。

后面的消除气隙放电的措施p47.

2.沿面放电：

均匀电场中固体介质的引入并不影响电极间的电场分布，但放电总是发生在界面，且闪络电压比空气间隙的击穿电压要低得多。

说明电场畸变严重。

（特点）

1）沿面闪络电压与固体绝缘材料特性有关

2）固体介质与电极接触紧密程度对闪络电压有影响

3）介质表面粗糙，也会使电场分布畸变，从而使闪络电压降低

4）上述影响因素在高气压时表现得更为明显

3.具有强垂直分量时的沿面放电：

（电晕放电—细线状辉光放电—滑闪放电—闪络）（重要）

随着外施电压升高，首先在接地法兰处出现电晕放电形成的光环，这是因为该处的电场强度最高。

随着电压的升高，放电区逐渐形成由许多平行的火花细长线组成的光带。

当外施电压超过某一临界值后，放电性质发生变化，个别细线开始迅速增长，转变为树枝状有分叉的明亮的火花通道，称为滑闪放电。

滑闪放电通道中电流密度较大，压降较小，其伏—秒特性具有下降特性，故滑闪放电是以介质表面放电通道中发生了热电离为特征的。

4.要提高套管的电晕起始电压和滑闪放电电压可以采取：

一减小比电容：

增大固体介质厚度，加大法兰处外套管的外径，采用瓷-油绝缘代替纯瓷介质；二减小绝缘表面电阻：

套管附近靠近法兰处涂半导体釉。

补充：

P50图4—9,及旁边的文字说明，p51页第一段第一句，有提到。

4.4.1前两段老师有提到。

5.湿闪络路径：

1）沿湿表面AB和干表面BCA’发展,绝缘子湿闪电压为干闪时的40～50％。

2）沿湿表面AB和空气间隙BA’发展，绝缘子湿闪电压不会下降很多。

3）沿湿表面AB和水流BB’发展，湿闪电压降低到很低的数值。

6.污闪：

户外绝缘子常会受到工业污秽或自然界盐碱、飞尘等污染。

干燥情况下，对闪络电压没多大影响。

但当绝缘子表面污层被湿润，其表面电导剧增使绝缘子泄漏电流急剧增加。

绝缘子的闪络电压（污闪电压）大大降低，甚至有可能在工作电压下发生闪络。

7.污闪的发展过程（施加恒定的工频电压，使污层受潮）：

老师强调

（a）污层刚受潮时，介质表面有明显的泄漏电流流过，电压分布是较均匀；

（b）出现高电阻的“干燥带”，使污层的泄漏电流减小，并在干燥带形成很大的电压降；

（c）当干燥带的电位梯度超过沿面闪络场强时，干燥带发生放电，放电具有电弧特性，这就是出现局部电弧的阶段；

（d）局部电弧发展成为闪络。

（爬电）

8.影响污闪电压的因素：

污秽的性质和污染程度；湿润的方式；泄露距离；外施电压的形式。

9.污秽等值附盐密度（mg/）：

与绝缘子表面单位面积上污秽物导电性相当的等值盐（NaCl）量。

同时表征污秽性质及污秽量，以描述的污秽严重程度。

10.等值附灰密度（mg/）:

与绝缘子表面单位面积上污秽物中不容于水的惰性物质的含量。

11.单位泄漏距离（泄漏比距或爬电比距）：

绝缘子每千伏额定线电压的平均泄漏距离，cm/kV。

（表4-1要认真看一下）

12.防止污闪的措施：

1）定期或不定期的清扫；

2）防污闪涂料进行表面处理；

3）加强绝缘和采用耐污绝缘子；

4）使用其他材质的绝缘子。

第5章液体和固体介质的电气特性

电气特性的四个参数，P58页最后一段和59页的比较重要。

老师有提到

1.电介质极化的形式：

电子式、离子式、偶极式、夹层极化。

2.电介质的能量损耗简称介质损耗（P=Qtanδ=），包括由电导引起的损耗和由极化引起的损耗。

（直流电压作用下无极化损耗，电阻率（或电导率）即可反映其损耗的大小）。

3.纯净的液体介质的电击穿理论：

击穿过程与气体击穿的过程很相似：

碰撞电离、电子崩，导致液体介质击穿。

由于液体密度比气体密度大得多，电子的平均自由行程很小，其击穿场强高（很小的均匀场间隙中可达到1MV/cm）。

4.含气纯净液体介质的气泡击穿理论。

气泡与液体介质串连，在交流电压下，其电场强度的分布与介质的εr成反比。

气泡εr最小，且其电气强度又比液体介质低很多，气泡先发生电离。

气泡电离后温度上升、体积膨胀、密度减小，电离发展。

电离使油分解出气体，气体通道扩大。

气泡在电场中排列成气体小桥，击穿。

5.工程用的液体介质的小桥击穿理论：

工程液体介质的击穿是由液体中的气泡或杂质等引起的，水和纤维的εr很大，易沿电场方向极化定向，并排列成杂质小桥。

即气泡或杂质在电场作用下在电极间排成“小桥”，引起击穿，即“小桥理论”。

6.影响液体介质击穿的因素：

杂质、温度、油体积、电压形式。

油的击穿场强随间隙中油体积的增加而明显下降，这是因为间隙中缺陷（即杂质）出现的概率随油体积的增加而增大的缘故。

7.减小杂质影响的措施：

过滤、防潮、祛气、用固体介质减小油中杂质的影响。

补充：

有几个知识点，大家好好看一下，热击穿第一段的第二句，电化学击穿第一段老师有提到。

8.固体介质击穿的形式：

电击穿、热击穿、电化学击穿。

电击穿：

固体介质电击穿与气体相似，碰撞电离形成电子崩，当电子崩足够强时破坏介质晶格结构导致击穿。

击穿场强高达105～106kV/m。

体积效应：

加大式样的面积或体积，使材料弱点出现的概率增大，会使击穿场强降低。

累积效应：

不均匀电场中，在幅值不很高的过电压、特别是雷电冲击电压作用下，固体介质内部可能出现局部损伤，留下局部碳化、烧焦或裂缝等痕迹。

固体介质为非自恢复绝缘。

则多次作用下部分损伤会扩大而导致击穿。

热击穿：

绝缘介质在电场作用下，电导电流和介质极化引起介质损耗，使介质发热。

如果介质中产生的热量总是大于散热，则温度不断上升，造成材料的热破坏而导致击穿。

特点：

1）击穿所需时间较长，常常需要几个小时，即使在提高试验电压时也常需要好几分钟。

2）直流电压作用下，正常未受潮绝缘很少发生热击穿。

电化学击穿：

对绝缘施加电压几个月甚至几年后，击穿场强仍在下降，这是由于介质长期加电压引起介质劣化。

绝缘劣化的主要原因往往是介质内气隙的局部放电造成的。

介质中可长期存在局部放电而并不击穿。

局部放电产生的活性气体如O3，NO，NO2等对介质将产生氧化和腐蚀作用，此外由于带电粒子对介质表面的撞击，也会使介质受到机械的损伤和局部的过热，导致介质的劣化。

理解局部放电的过程及其等效电路和发生局部放电时气隙上的电压变化图。

这两个图比较重要，要会画。

后面大概的要会画。

不要求

9.介质中气隙两端的电压变化与气隙电容的乘积为气隙局部放电的真实放电量；气隙放电时试品上的电压变化与试品电容的乘积为局部放电的视在放电量。

进行局部放电测量的是视在放电量。

绝缘老化这一节要看一下

10.电气设备的绝缘在运行中，受到各种因素的长期作用，会发生一系列不可逆的变化，导致其物理、化学、电和机械等性能的劣化，如机械强度降低，介质损耗及电导增大。

将这种现象称为绝缘老化。

11.绝缘老化的原因很多，主要有热的作用、电的作用、机械的作用以及水分、氧化、射线及微生物的作用。

第6章电气设备绝缘的预防性试验

1.电气设备绝缘缺陷的分类：

a.集中性缺陷（例如悬式绝缘子的瓷质开裂；发电机绝缘局部磨损、挤压破裂；电缆绝缘逐渐损坏等）

b.分布式缺陷（电气设备整体绝缘性能下降，如电机、变压器、套管中有机绝缘材料的受潮、老化、变质）

2.预防性试验方法的分类：

a.破坏性试验（耐压试验）。

能揭露危险性大的集中性缺陷

b.非破坏性试验（在较低的电压下或用其它不会损伤绝缘的办法来测量绝缘的各种特性，从而判断绝缘的内部缺陷）

3.吸收现象：

阴影部分面积为绝缘在充电过程中逐渐“吸收”的电荷。

“吸收现象”对应的电流称为吸收电流Ia。

由介质中偶极子逐渐转向，并沿电场方向排列而产生的。

当绝缘受潮或有缺陷时，电流的吸收现象不明显，总电流随时间下降较缓慢。

根据其变化，可初步判断绝缘的状况。

4.吸收比：

=/=/

其中，，为加压15s时的电流和对应的绝缘电阻；……

如果绝缘状况良好，则吸收现象明显，吸收比值远大于1（一般取，如果受潮严重，由于大增，迅速衰减，值接近于1。

5.测量绝缘电阻时，其值是不断变化的；稳态时，等于两层介质绝缘电阻的串联值。

规定所加电压60s（稳态）后测得的数值为绝缘电阻值。

6.绝缘电阻和吸收比是反映绝缘性能的最基本的指标之一，通常用兆欧表（俗称摇表）进行。

规定所加电压60s后测得的数值为试品的绝缘电阻

补充：

泄漏电流的测量这一节第一段。

极化指数和泄露指数，怎样判断好坏，

7.泄漏电流指外加直流电压时绝缘上流过的电流

泄漏电流的测量不仅可反映绝缘电阻大小，还可反映兆欧表所不能反映的绝缘损坏或弱点。

泄漏电流的测量除关注电流值之外，还特别关注电流随外加电压变化的曲线。

8.测量泄漏电流应注意的事项：

电压的稳定性；测量仪表的保护；杂散电流造成的误差；被试品的接地。

9.介质损失角正切tg（重要）：

交流电压作用下电介质中电流的有功分量和无功分量的比值，是一个无量纲的数。

介质的功率损耗P与介质损耗角正切值成正比，反映的是电介质内单位体积中能量损耗的大小。

10.测量tg值，最常用的方法是采用西林电桥：

（原理，画出西林电桥原理接线图）（原理接线图要会画，以及反接法和旁边的文字说明）

正接法：

试品高、低压端对地绝缘（被试品的一端C接地，D点和屏蔽网接高压，调节臂、检流计和屏蔽网处于高电位，注意测试人员的安全）。

但设备一般都是外壳接地的，也就是试品往往一端固定接地，无法实现正接法，应采用反接法。

11.局部放电：

这一节要好好看，

危害：

局部放电将加速绝缘物的老化和破坏，发展到一定程度时，可能导致整个绝缘的击穿。

所以，测定电气设备在不同电压下局部放电强度与变化规律，能预示设备的绝缘状态，也是估计绝缘电老化速度的重要依据。

局部放电的检测量：

视在放电量q、放电能量W。

衡量局部放电强度的参量：

放电的重复率（放电频率），平均放电电流、平均放电功率、局部放电的起始电压与熄灭电压等。

检测方法有：

脉冲电流法、超声检测法、光测法、化学检测方法、红外热像法、超高频法、射频检测法以及数字化局放的检测。

也将油的气相色普分析归为局部放电检测的方法。

目前采用电脉冲法测量局部放电。

脉冲电流法测量局部放电的检测回路：

（这三个图形要会画）

检测原理：

耦合电容器为被试品和测量阻抗之间提供一个低阻抗的通道。

被试品一发生局部放电，因被试品Cx、耦合电容Ck和检测阻抗Zm构成的回路内有电流流过，就可由检出阻抗把与脉冲电流成比例的脉冲电压检测出来，检测到的信号通过放大器送到测量仪器上。

12.绝缘油的气相色谱分析：

p87倒数第三段，认真看

绝缘油在不同性质的故障下受热分解，产生不同成分、不同含量的烃类气体。

通过气相色普分析可以发现充油设备中某些用tg等方法所不能发现的局部性缺陷（如局部过热、局部放电），迅速简便，不需要设备停电。

取出运行中电气设备的油样，将油样经喷嘴喷入真空罐内，使油中溶解的气体迅速释放出来。

然后将脱出的气体压缩至常压，用注射器抽取试样后送入气相色普仪，对不同气体进行分离和定量。

变压器内部存在裸金属部分局部过热，变压器油色谱分析的主要特征是总烃含量较高，甲烷、乙烯较多；如果固体绝缘过热，气体中CO和CO2含量加大；存在局部放电时，乙炔和H2含量较大。

节不要求，

第7章电气设备绝缘的高电压试验

总结：

三大电压的产生原理及原理接线图要求。

1.工频电压的产生（这个图很重要及傍边的文字说明，各元件的作用）

工频试验变压器的特点：

1）电压高工频高压试验以短时（1min）工频试验考核设备在长期工作电压、雷电过电压或者内部过电压作用下的绝缘性能。

试验电压很高。

2）调压与波形正负半波对称的正弦波形，频率范围45~55Hz。

可速度连续、平稳地调节电压。

3）容量不大试验变压器的容量由试品电容决定，大多试品电容不超过5000pF。

对于250kV以上的试验变压器通常采用1A就能满足要求。

P=CU2×10-9kVA

调压装置：

对调压装置的要求：

输出电压质量好；调压特性好。

常用的调压装置：

a）自耦式调压装置；b）移圈式调压器；c）感应调压器。

按现行国家标准和IEC规定，工频电压的测量无论是有效值或峰值，都要求误差不超过3％。

高压实验室中常用的测量工频高电压的方法有：

用测量球隙或峰值电压表测量峰值；用静电电压表测量有效值；也可用电容分压器+示波器测量。

通常测量工频电压采用的分压器是电容分压器。

用电阻分压器只适用于被测电压低于100kV的情况。

串级实验变压器不要求

2.串联谐振交流高压的产生：

（四班老师没有要求）

串联谐振方法的优点：

1）试验回路对基波频率产生谐振，因而波形的畸变小；

2）被试品发生击穿时谐振条件被破坏，串联电抗器限制短路电流，故绝缘击穿处的电弧不会将故障点扩大。

3.交流高压试验：

1）防止工频高压试验中可能出现的过电压

2）试验电压的波形畸变

3）外施高压试验和感应高压试验

4.应用最广泛的产生直流高压的方法是将交流电压通过整流原件整流获得的。

5.半波整流回路：

6.直流高压试验设备的基本技术参数：

在测量直流电压的算术平均值，有效值和最大值时，其测量误差不大于3％，测量脉动幅值时不大于10％。

7.倍压整流回路：

（原理）

1）当T的高压绕组的端点3相对于0点电压为负时，D1正向导通，使电容C1充电，充电稳定后点3点位-UM，1点电位接近0。

2）电源电压升高（3点电位保持），1点电位被抬高，当点1相对于0为正时，D1截止；

3）在点1电位高于点2为时，D2导通。

电源通过C1、D2向C2充电。

充电稳定时，由于点3相对于0的最高电压可达＋UM，而点1相对于3点已有＋UM电压，所以点1的对地电压最高可达＋2UM，最终可使C2充上2UM的电压。

补充：

图7-9重要，理解原理，要会画。

8.测量直流电压的常用方法：

用球隙测量最大值；用静电电压表测有效值（平均值）；用电阻分压器或电阻串微安表测平均值。

9.直流高电压试验的特点：

1）试验设备的容量较小；

2）在试验时可以同时测量泄漏电流，能有效地显示绝缘内部的集中性缺陷或受潮，提供有关绝缘状态的补充信息；

3）在某种程度上带有非破坏性试验的性质，在直流高压下，局部放电较弱，不会加快有机绝缘材料分解或老化；

4）对交流电气设备绝缘的考验不如交流试验那样接近实际情况。

10.冲击电压特性（雷电冲击电压、操作冲击电压）：

持续短、电压上升速度快、缓慢下降的暂态电压。

由波头时间、波尾时间、峰值和极性来表示。

11.冲击电压发生器：

（原理，并联充电，串联放电。

基本回路图，放电时的等值回路图）图7-13十分重要，还要会算，四班老师好像说是给一个电压值算输出的值，大家好好研究一下。

1）充电过程：

向充电，建立电压，形成波头；

2）放电过程：

当、上的电压相等时，并联