国家开放大学机械设计制造传感器与测试技术3电路参量式传感器原理及应用测试与解析.docx
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国家开放大学机械设计制造传感器与测试技术3电路参量式传感器原理及应用测试与解析
题目1
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题干
1．电阻式传感器结构简单，线性度差，稳定性不强。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“错”。
题目2
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题干
2．根据电阻式传感器所测量的物理量可以对其分为：
电阻应变式传感器、压阻式传感器、电位器式传感器、热电阻式传感器等。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“对”。
题目3
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3．电阻应变式传感器结构简单，应用广泛，尤其是测速度，速度传感器中有90%是应变式的。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“错”。
题目4
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4．金属应变片分为三种：
金属丝式应变片、金属薄膜式应变片、金属箔式应变片。
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对
错
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正确的答案是“对”。
题目5
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题干
5．金属导线的电阻R与其长度L成反比，与其截面积S成反正比。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“错”。
题目6
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题干
6．用半导体应变片制成的传感器又称为压阻式传感器。
选择一项：
对
错
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题目7
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题干
7．压阻式传感器的典型特点是尺寸小，灵敏度高，横向效应、滞后、蠕变都比较小，适合于静态测量的场合。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“错”。
题目8
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8．典型的压阻式传感器测量电路是将集成在硅片上的4个等值电阻连成平衡电桥。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“对”。
题目9
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题干
9．压阻式传感器可以作为脉搏传感器应用于医疗诊断。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“对”。
题目10
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题干
10．当传感器线圈通以正弦交变电流I1时，线圈周围空间必然产生正弦交变磁场H1，使置于此磁场中的金属导体中感应电涡流I2，I2又产生新的交变磁场H2，这就是电涡流效应。
选择一项：
对
错
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正确的答案是“对”。
题目11
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题干
1．以下（）项可以提高应变片测量电桥的输出电压灵敏度。
选择一项：
A.不受应变片功率限制提高电桥供电电压
B.不受应变片功率限制降低电桥供电电压
C.在应变片功率范围内提高电桥供电电压
D.在应变片功率范围内降低电桥供电电压
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正确答案是：
在应变片功率范围内提高电桥供电电压
题目12
正确
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题干
2．以下（）项可以降低应变片测量电桥的非线性误差。
选择一项：
A.在应变片功率范围内提高电桥供电电压
B.采用全桥接法
C.在应变片功率范围内降低电桥供电电压
D.采用半桥单臂接法
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正确答案是：
采用全桥接法
题目13
正确
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题干
3．差动变压器属于（）。
选择一项：
A.电阻式传感器
B.压电式传感器
C.电感式传感器
D.电容式传感器
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正确答案是：
电感式传感器
题目14
正确
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题干
4．电容式传感器是将被测量的变化转换成（）变化的一种传感器。
选择一项：
A.电感量
B.电容量
C.距离
D.介电常数
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正确答案是：
电容量
题目15
正确
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题干
5．（）是一种把机械的线位移和角位移输入量转换为与它呈一定函数关系的电阻或电压输出的传感元件。
选择一项：
A.电容式传感器
B.压电式传感器
C.电位计式传感器
D.电感式传感器
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正确答案是：
电位计式传感器
题目16
完成
满分1.00
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题干
1．电阻应变片如何进行分类？
答：
电阻应变片有多种分类方法。
按敏感栅的材料可分为金属栅应变片和半导体应变片；按敏感栅的数目、形状和配置可分为单片、双片、特殊形状应变片；按基底材料分为纸基底应变片、胶基底应变片和金属基底应变片；按使用环境可分为高温、低温、高压、磁场、水下应变片；按粘贴方式可分为粘贴式、焊接式、埋入式应变片。
题目17
完成
满分1.00
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题干
2．电阻应变片的结构是怎么样的？
答：
主要由基底、粘结层、金属丝敏感栅、覆盖层、引出线组成。
题目18
完成
满分1.00
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题干
3．简要说明电阻应变片的工作原理。
答：
是基于应变-电阻效应制作的，即导体或半导体材料在外力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应地发生变化，这种现象称为“应变-电阻效应”。
将电阻应变片粘贴在试件（被测物件）表面上，并配以相应的测量仪表，即可测量出试件受力后的应变或与应变相对应的物理量。
题目19
完成
满分1.00
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题干
4．什么是应变片的机械滞后、零点漂移和蠕变？
答：
实验表明，应变片安装在试件上后，在一定的温度下，应变片在受到加载、卸载循环机械应变的过程中，对同一机械应变量，加载、卸载两过程的特性曲线并不重合，卸载时的指示应变值高于加载时的指示应变值，这种现象称为应变片的机械滞后。
应变片粘贴在试件上后，在温度保持恒定，试件空载的情况下，应变片的指示值会随着时间而变化，这种现象就是应变片的零点漂移，简称零漂。
应变片粘贴在试件上后，在一定温度下，使其承受一恒定的机械负荷时，应变片的指示值会随时间而变化的特性，称为应变片的蠕变。
题目20
完成
满分1.00
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题干
5．简述压阻式传感器的工作原理。
答：
是基于半导体材料的压阻效应原理而工作的。
所谓压阻效应，是指半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率会发生变化的现象。
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