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铟金属行业分析报告

2011年铟金属行业分析报告

2011年3月

目录

一、ITO靶材是铟金属中游产业链最大环节3

二、液晶面板需求旺盛，拉动ITO靶材需求快速扩张5

1、大尺寸液晶面板持续稳步增长，撬动ITO靶材需求高增速6

2、中小尺寸液晶面板高成长，推动ITO靶材需求扩张7

3、液晶面板用ITO靶材推动对铟金属需求持续放量8

4、TFT-LCD制造成本中ITO靶材占比较小，还无理想替代品9

三、触控面板的高速成长造就ITO靶材另一主要战场9

四、LED产业，推动高纯铟在半导体化合物领域的延伸12

五、CIGS光伏薄膜电池，成为高纯铟未来扩张最明显的领域15

六、下游需求旺盛，铟金属市场空间巨大19

七、资源稀缺性，推动铟行业向高端深加工延伸20

1、稀缺资源，中国储量占优，原生铟供给过度依赖中国20

2、原生铟供给将受保护性产出控制20

3、再生铟占比将逐渐下滑，进一步强化原生铟稀缺重要性22

4、中国铟消费量增速加快，强化铟深加工业务23

5、中国精铟产量集中度将越来越高24

八、下游需求旺盛与稀缺资源保护，推动铟价将重新站上历史高位25

九、主要风险27

一、ITO靶材是铟金属中游产业链最大环节

铟是一种银白色易熔稀散金属，其地壳中的储量只有黄金的1/6。

具有质软、延展性好、强光透性以及导电性等特点，主要以与其他有色金属组成一系列的化合物半导体、光电子材料、特殊合金、新型功能材料及有机金属化合物等形式应用于电子、冶金、仪表、化工、医药等行业，其应用范围不断扩大。

以信息技术为中心的新产业已经兴起，铟锡氧化物（ITO）是各类平板显示器不可缺少的关键材料，目前全世界的铟有75%左右消耗在这方面。

我们认为随着LED、CIGS光伏薄膜电池的快速发展，铟在消费范围将逐步扩宽。

ITO靶材是ITO镀膜的材料。

ITO薄膜具有对可见光透明盒良好的导电性，七对可见光透过率>=95%;对紫外线的吸收率>=85%；对红外线的反射率>=70%;对微波的衰减率>=85%，同时,ITO薄膜的加工性能极好,ITO膜层硬度高且耐磨耐蚀,而且容易在酸液中蚀刻出微细的图形。

因而ITO薄膜近年来在薄膜晶体管（TFT）、平板液晶显示（LCD）、电色层窗口、光生伏打器件中的有源和无源组元以及红外辐射反射热镜薄膜等方面获得了广泛应用,是当今知识经济时代信息产业极为重要的电子功能材料。

ITO膜层硬度高且耐磨抗蚀，经过材料科学的发展，同时也因为稀有金属铟的稀缺性，部分行业已经开始采用ZTO镀膜应用到保温、导电等领域，但是在液晶显示、半导体等行业目前的ZTO以及正在发展的AZO等都无法取得替代。

目前，日本、韩国、德国和美国等在ITO靶材的制备方面处于领先地位，掌握着高品质ITO靶材的核心制备技术。

资料表明，ITO靶材的市场由日本日矿材料公司、日本三井矿业、日本东曹、韩国三星、德国及美国的少数几家公司所垄断。

二、液晶面板需求旺盛，拉动ITO靶材需求快速扩张

在ITO靶材下游终端应用领域，液晶面板行业占绝对需求优势。

无论是最早的TN/STN，还是目前主流应用的TFT-LCD，以为未来的OLED，都需要使用ITO镀膜来形成透明电极。

而在液晶面板的制造过程中，通过ITO靶材磁控溅射在玻璃基板上形成ITO透明电极，以及在CF层也要做相应的镀膜处理，来达到液晶面板的良好导电性能，因此一般情况下整个液晶面板都需要两层的ITO电极：

一层为ITO画素电极；一层为ITO共同电极。

自09年以来，随着金融危机的淡化以及中国的强劲需求复苏，全球TFT-LCD面板需求在2010年得到强劲复苏，特别是大尺寸LED背光的TV、MNT、NB渗透率迅速提高。

而中小尺寸TFT-LCD面板则伴随苹果iphone手机以及智能android手机的普及得以保持强劲的出货增速，同时伴随着ipad的推出，以及android3.0系统的推出，全球平板电脑热也将掀起一阵热浪。

1、大尺寸液晶面板持续稳步增长，撬动ITO靶材需求高增速

随着液晶TV/MNT/NB的占有率全面提升，全球10英寸以上的大尺寸液晶面板出货量增速将加快。

而采用LED背光的产品随着渗透率的提高，将明显快于普通CCFL背光模式的液晶产品，并最终对CCFL背光形成替代，而未来的主流产品OLED面板也将会得到快速出货量提升。

我们预计随着中国消费升级以及全球替代周期的形成，未来用在TV/MNT/NB的大尺寸液晶面板出货量在15年将分别达到8、4、6亿片，而分别将保持25%、12%、15%的增速。

2、中小尺寸液晶面板高成长，推动ITO靶材需求扩张

自10年ipad发布之后迅速带动了平板电脑对中尺寸面板的需求增长，而智能手机的渗透率快速上升也同时催动了小尺寸面板的需求扩张。

10年包括平板电脑在内的mini-NB出货量达到了5600万台，而手机出货量也达从09年的11.3亿部增长到13.6亿部。

根据预测我们认为平板电脑在11年之后随着ipad2等后继产品以及android蜂巢系统的扩张将会继续保持高增速；而手机则保持平稳增速，但智能手机的渗透率将继续快速增长。

至15年mini-nb（含平板）与手机类中小尺寸面板出货量将分别达到22.5亿片、7.2亿片。

3、液晶面板用ITO靶材推动对铟金属需求持续放量

按照我们对液晶面板用ITO靶材的需求量测算，从而推导出对铟金属的需求量。

通过对大尺寸以及中小尺寸面板的出货片数，以及对液晶面板个世代线的尺寸折算，09-10年全球液晶面板对玻璃基板与CF的面积需求为242、315百万平方米，而通过对面板制造环节的靶材消耗量每百万平方米消耗5吨ITO靶材计算，09-10年液晶面板对ITO靶材的消耗量分别达到1320、1717吨。

按照我们TFT+CF需求增量测算，15年全球对ITO靶材与精铟的需求量将分别达到3697、2218吨。

4、TFT-LCD制造成本中ITO靶材占比较小，还无理想替代品

按照我们对液晶面板的各材料成本的框架分析，ITO靶材只占总成本的1%，相对成本占比较小，同时ZnO以及AZO等新产品的各种系数、性能并不能对ITO膜形成替代，因此，未来很长一段时间，液晶面板将依然采用ITO导电膜作为其透明电极的首先材料。

三、触控面板的高速成长造就ITO靶材另一主要战场

随着10年全球智能手机以及平板电脑的强势发展，触控面板行业成为ITO靶材的另外一主要应用领域。

全球触控面板主要分为电阻式、电容式。

而随着苹果iphone以及ipad的推出，未来将主要以投射式电容为主。

而电阻式触摸屏将会逐步被淘汰。

根据我们的预测，随着电容式触摸屏在智能手机快速成长、触控面板于手机渗透率提升，11年将会有超过90%的增长，其中ITO膜出货量增速将达到98.6%，ITO玻璃出货量增速则为93.6%。

我们预计全球触控手机出货量11年将达到7亿部，渗透率将达到39%，并且2-3年将会达到80%以上的渗透率；而触控智能手机则已经完成对智能手机80%的渗透，预计11年将达到4亿部的出货量，增速为75%。

中尺寸的触摸屏，我们认为随着ipad在全球大热的带动下，将会爆发式增长。

预计11年全球平板电脑出货量将达到7200万台，其中ipad占比为60%以上。

按照对全球中小尺寸触控面板的出货量折算为触控面板的出货面积，然后对面板面积对应双层ITO电极膜，正反测算对ITO靶材的消耗量。

预计至2015年触控面板方面（至测算平板电脑与触控手机）对应的ITO靶材消耗量为187吨，随着触控面板未来大大尺寸（TV/MNT/NB）领域的扩张，未来势必会强化整个液晶显示领域对ITO靶材的消耗。

四、LED产业，推动高纯铟在半导体化合物领域的延伸

InGaN是多量子阱蓝、绿、紫及紫外光LED理想的有源层材料，可以通过调节In组分来改变发光波长，其中蓝、绿光LED的制作技术较为成熟，而紫及紫外光LED的In含量比较低，由于对位错密度敏感，不易实现高功率输出。

InGaN基紫及紫外光LED在生产和生活的各个领域有着广泛的应用，典型的如氮化物白光LED照明灯，目前市场多数采用紫及紫外光LED激发红绿蓝荧光粉，可以使白光色度更均匀，并且具有更高的转换效率。

国外采用ELO（横向外延）技术和LEPS（图形衬底）技术，已成功研制出紫及紫外光LED。

因为MOCVD设备的便利性，利用MOCVD系统在蓝宝石衬底的面上外延生长InGaN/GaNMQW层结构已经成为LED外延片的主流方向。

其中，主要方式为：

分别以蓝氨和高纯三甲基铟、三甲基镓为N，In，Ga源，SiH4和Cp2Mg分别作为n，p型掺杂剂。

半导体材料的发光机理决定了单一LED芯片不可能发出连续光谱的白光，必须以其他的方式合成白光。

目前产生白光的方式有两种：

一是用单色光激发荧光粉发出其他颜色的光，最终混合成白光，即单芯片型；二是采用将几种发不同色光的芯片封在一起，构成发白光的LED，即多芯片型。

单芯片型结构又可分为三种：

（1）将蓝色LEDInGaN芯片与钇铝石榴石（YAG）荧光粉组合成二基色白光LED，或由InGaN与红色和绿色荧光粉组成三基色白光LED；

（2）利用蓝色ZnSe为基体制成芯片与衬基发出的黄光复合成白光；（3）用InGaNLED发出的紫外光激励三基色荧光粉发出白光。

而对于多芯片型，直接将红、绿、蓝三种颜色的LED芯片组成一组，实现白光。

按照我们的推导、测算，无论LED用在TV/MNT/NB/Phone还是用在未来的LED照明领域，LED作为背光源都在想高亮度蓝光已经白光领域扩张延伸，而InGaN做为MQW层发挥了至关重要的结构层，而其中对高纯铟也将带动重要的需求，特别是6N/7N级别。

而针对LED的晶粒我们按照目前的主流40mil*20mil计算，我们预计至2015年全球将形成LED晶粒需求量为2258亿颗，这算成高纯精铟的需求量约为185吨。

（一个2英寸的磊晶可以大概产出3000颗40mil*20mil的晶粒）

五、CIGS光伏薄膜电池，成为高纯铟未来扩张最明显的领域

作为洁净能源的太阳能电池近年来迅速发展，CAGR以70%的速度从1999年的180MW左右发展到2010年的40GW（其中晶硅太阳能电池占85%以上）。

薄膜太阳能电池因具有成本低、可大规模生产、并易于集成等优点将成为未来太阳能电池的发展方向。

其中铜铟镓硒（CIGS，Cu（InxGa1-x）Se2）薄膜太阳能电池具有高光吸收系数、高转化效率、可调的禁带宽度、高稳定性、较强的抗辐射能力等优点，被认为是第三代太阳能电池主要材料（第一代单晶硅，第二代多晶硅、非晶硅），并已有产品进入太阳能电池市场。

薄膜太阳电池在降低成本方面比晶体太阳电池具有更大的优势：

一是实现薄膜化后，可以极大地节省昂贵的半导体材料；二是薄膜电池的材料制备和电池同时形成，因此节省了许多工序；三是薄膜太阳电池采用低温工艺技术，不仅有利于节能降耗，而且便于采用廉价衬底（玻璃、不锈钢等）。

目前，占据主导地位的薄膜太阳电池主要有硅基薄膜太阳电池和砷化镓、碲化镉、铜铟锡等化合物半导体薄膜太阳电池。

CIS系薄膜太阳能电池具有非常优良的抗干扰、耐辐射能力。

因而没有光辐射引致性能衰退效应，使用寿命长。

性能比CIS更加优越的CIGS就是在CuInSe2的基础上掺杂Ga元素，使Ga部分取代同族的In原子。

通过调节Ga/（In+Ga）可以改变CIGS的带隙，调节范围1.04eV到1.67eV。

CIGS的结构仍然是黄铜矿结构，并具有CIS