模拟电子技术综合复习题有答案2.docx
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模拟电子技术综合复习题有答案2
.
《模拟电子技术》复习题综合（第
1、
2章）
一、
选择题
1
、在本征半导体中掺入微量的
D
价元素，形成
N型半导体。
A.二
B.
三
C.
四
D.
五
2
、在
N
型半导体中掺入浓度更大的
C
价元素，变成为
P型半导体。
A.二
B.
三
C.
四
D.
五
3
、在本征半导体中，自由电子浓度
B
空穴浓度。
A.大于
B.
等于
C.
小于
4
、在
P
型半导体中，自由电子浓度
C
空穴浓度。
A.大于
B.
等于
C.小于
5
、本征半导体温度升高以后，
C
。
A.自由电子增多，空穴数基本不变
B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
D.自由电子数和空穴数都不变
6
、空间电荷区是由
C
构成的。
A.电子
B.
空穴
C.
离子
D.
分子
7
、PN
结加正向电压时，空间电荷区将
A
。
A.
变窄
B.
基本不变
C.
变宽D.
无法确定
8
、设二极管的端电压为
U，则二极管的电流方程是
C
。
UUT
UU
T－1）
A.
ISeU
B.
ISe
C.
IS（e
D.IS
9
、稳压管的稳压区是其工作在
C
。
A.
正向导通
B.
反向截止
C.反向击穿
10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
B
。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
D.前者反偏、后者正偏
11
、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将
A
。
A.
增大
B.
不变
C.
减小
D.
都有可能
12
、工作在放大区的某三极管，如果当
I
B从12
μA增大到22
μA时，
IC从
1mA变为
2mA，那么它的
β约为
C
。
A.83
B.91
C.100
D.10
13
、当场效应管的漏极直流电流
I
D从
2mA
变为
4mA
时，它的低频跨导
gm将
A
。
A.增大
B.
不变
C.
减小
D.
都有可能
14
、晶体管是
A
器件。
A.电流控制电流
B.
电流控制电压
C.
电压控制电压
D.
电压控制电流
15
、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量
D
。
A.IB
B.
ICC.
UBE
D.
UCE
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为D
；图
2为
A。
[基极电位总是处于中间
]
②
0V
②
9V
①6V
①
3V
③
5.7V
③
2.3V
图1
图2
A.NPN
硅管
B.PNP
硅管
C.NPN
锗管
D.PNP
锗管
17、增强型
PMOS
管工作在放大状态时，
其栅源电压
B
，耗尽型
PMOS管工作在放大状态时，
其
栅源电压
D
。
.
.
A.只能为正
B.
只能为负
C.
可正可负
D.
可正可负，也可为零
18
、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的
C
。
A.可变电阻（欧姆）区
B.
截止区
C.饱和区
D.
击穿区
19
、表征场效应管放大能力的重要参数是
B
。
A.夹断电压
UGS（off）
B.
低频跨导
gm
C.
饱和漏极电流
IDSS
D.
开启电压
UGS（th）
20
、场效应管是
D
器件。
A.电流控制电流
B.
电流控制电压
C.
电压控制电压
D.
电压控制电流
21
、基本共射放大电路中，基极电阻
Rb
的作用是
A
。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路
B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化
C.保护信号源D.防止输出电压被短路
22
、基本共射放大电路中，集电极电阻
Rc的作用是
B
。
A.限制集电极电流的大小
B.
将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路
D.
保护直流电压源
EC
23
、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出
UCE≈0，可能是因为
A
。
A.Rb短路
B.
Rb
开路
C.
Rc短路
D.
β过小
24
、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压
uo和晶体管集电极电压
uc的
波形，二者相位
A
。
A.相同
B.
相反
C.
相差
90°
D.
相差
270°
25
、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，
通过减小
Rb失真消除，这种失真一定是
B失真。
A.饱和
B.
截止
C.
双向
D.
相位
26
、分压式偏置工作点稳定电路，当
β＝50
时，IB=20μA，I
C=1mA。
若只更换
β＝100
的晶体管，
而其他参数不变，则
IB和
I
C分别是
A
。
A.10
μA，1mA
B.20
μA，2mAC.30
μA，3mA
D.40
μA，4mA
27
、有两个空载放大倍数相同，
输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，
对同一信号源进行放大，在
负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的
B
。
A.输入电阻大
B.
输入电阻小
C.
输出电阻大
D.
输出电阻小
28
、放大电路产生零点漂移的主要原因是
A
。
A.环境温度变化引起参数变化
B.
放大倍数太大
C.采用了直接耦合方式
D.
外界存在干扰源
29
、要求组成的多级放大电路体积最小，应选
B
耦合方式。
A.阻容
B.
直接
C.
变压器
D.
阻容或变压器
30
、放大电路的三种组态（
C
）。
A.
都有电压放大作用
B.
都有电流放大作用
C.
都有功率放大作用
D.
都不是
一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为
30dB和
40dB，则放大器的总增
益为（C）。
A.30dBB.40dBC.70dBD.1200dB
31.多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（A）。
A.提高B.降低C.不变D.不确定
.
.
二、
填空
1
、PN
结中扩散电流的方向是：
从P区到
N区
，漂移电流的方向是
从
N区到
P区
。
2
、PN
结的最大特点是
单向导电性
。
3
、使
PN
结正偏的方法是：
将
P区接
高
电位，
N区接
低
电位。
4
、PN
结正偏时，有利于
多数
载流子的运动，阻碍
少数
载流子的运行。
5
、PN
结反偏时，内电场与外电场的方向
相同
，空间电荷区变
宽
，有利于
少数
载流子的漂移
运动，阻碍
多数
载流子的扩散运动，此时
PN结呈现的电阻
大
，PN结处于
截止
状态。
6
、温度增加
PN结呈现的电阻将会变
小
。
7
、P型半导体中的多数载流子是
空穴
，N型半导体中的多数载流子是
电子
。
以上为第一章习题
8
、从基极输入，从集电极输出的是共
射
极电路，从基极输入，从发射极输出的是共
集电
极电
路。
9
、从栅极输入，从漏输出的是共
源
极电路；从栅极输入，从源极输出的是共
漏极电路。
10、共
集电极
放大电路的电压放大倍数不可能大于
1，共
基极
放大电路的电流放
大倍数不可能大于
1
11、某多级放大器中各级电压增益为：
第一级
25dB
、第二级
30dB
、第三级－
15dB、第四级
60dB，
放大器的总增益为
100
，总的放大倍数为
10
。
12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数
Avo
的
0.707
时，
所对应的两个频率
分别称为
上限频率
和
下限频率
，它们之间的频率范围，称为
放大电路的
通频带
，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
13、多级电压放大器级间耦合方式有
直接
耦合、
变压器
耦合和
阻容
耦合三种。
三、判断题
1
、漂移运动是少数载流子运动而形成的。
（
√
）
2
、PN
结正向电流的大小由温度决定的。
（
×
）
3
、PN
结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
（
×
）
4
、在
N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为
P型半导体。
（
√）
5
、因为
N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（
×
）
6
、PN
结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（
√
）
7
、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（
×
）
8
、结型场效应管外加的栅
-
源电压应使栅
-
源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其
RGS大的特点。
（
√
）
9
、若耗尽型
N沟道
MOS管的
UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（
×
）
以上为第一章习题
10
、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；
（
×
）
11
、可以说任何放大电路都有功率放大作用；
（
√
）
12
、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；
（
×
）
13
、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；
（
×
）
14
、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；
（
√
）
15、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（×）
16
、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（
×）
17
、某两级放大器中各级电压增益为：
第一级
2dB、第二级
3dB
，放大器的总增益为
6dB。
（×）
四、
分析题
1、已知稳压管的稳定电压
UZ＝6V
，稳定电流的最小值
IZmin＝5mA，最大功耗
PZM＝150mW。
试求左图所示电路中
电阻
R的取值范围。
解：
稳压管的最大稳定电流
.
.
IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为
UI
UZ
0.36～1.8k
R
IZ
2、下图示电路中，已知输入
R1=1kΩ，RL=3k
Ω，
UI=12V，UZ=6V
，IZ=5mA
，PZM=90mW，问输出电压
UO
能否等于
6V？
解：
稳压管正常稳压时，
工作电流
IDZ应满足
IZ＜IDZ＜IZM，
而
IZM
PZM
90mW
UZ
15mA
6V
即5mA＜IDZ＜15mA
设电路中DZ能正常稳压，则UO=UZ=6V。
可求得：
IDZ
IR
IL
UIUZ
UZ
4mA
R
RL
显然，
IDZ不在稳压工作电流范围内。
以上为第一章习题
3、测得工作在放大电路中三极管
1、
2、3
脚的电位分别是
3.5V，2.8V
，7.8V。
试判断它是
NPN型
还是
PNP型，是硅管还是锗管，并在图上分别标出
e、
b、c。
4、管子对地电位如图所示。
判断管子的工作状态和材料。
＋6V
-2V
+1V
-2V
+6V
＋4V
+5.3V
+0.1V
-3V
+4V
+0.3V
+5.5V
-0.2V
0V
+4V
（A）
（B）
（C）
（D）
（E）
解：
（A）NPN型管。
UBE=0.1-（-0.2）=0.3V
，JE正偏，
UBC＝0.1-6
＝-5.9V
，JC反偏。
故该管工作在放大状态，为锗管。
（B）PNP型管。
UEB=1-0.3=0.7V
，JE正偏，
UCB＝-2-0.3
＝-2.3V
，JC反偏。
故该管工作在放大状态，为硅管。
（C）NPN型管。
UBE=-3-（-2）=-1V
，JE反偏，
UBC＝-3-0
＝-3V，JC反偏。
.
.
故该管工作在截止状态。
（D）PNP型管。
UEB=6-5.3=0.7V，JE正偏，
UCB＝5.5-5.3＝0.2V，JC正偏。
故该管工作在饱和状态，为硅管。
（E）NPN型管。
UBE=4-4=0V，
UBC＝4-4＝0V。
则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。
5、判断以下两工作电路处于何种状态
图（a）没有放大作用。
VBB对信号有短接作用；UBE过大，JE可能烧毁。
在VBB中串接电阻RB。
图（b）没有放大作用。
放大元件T没有合适的偏置状态。
RB接点移至到C1后。
五、
计算题
（都为第二章习题
）
1、在右图所示电路中，已知
RB1
=5k
Ω,
RB1=20kΩ,
RE=2.3k
Ω,RC=RL=10kΩ,VCC=15V,β=80,
r
bb′＝100
Ω，
BEQ=0.7V
。
试求解：
U
（1
）估算静态工作点
Q；
（2
）估算电压放大倍数
Au、输入电阻
Ri和输出电阻
Ro。
（3
）若将晶体管换成
β为
100
的管子，
Q点将如何变化？
（4
）若
CE开路，则
Au与Ri将如何变化。
解（
1）求解
Q点。
因为
RB1＜＜
（1+
β）RE，所以
UBQ
RB1
VCC
5
15
3V
RB1
RB2
5
20
IEQ
UBQ
UBEQ
3
0.7
1mA
RE
2.3
IBQ
IEQ
1
0.0125mA
12.5
A
1
80
UCEQ
VCC
IEQ（RC
RE）
15
1
（10
2.3）
2.7V
（2
）求解
Au、Ri
和Ro。
画出微变等效电路
.
.
rbe
rbb
（1
）
26（mV）
IE（mA）
100（
）
（1
80）26（mV）
1（mA）
2200
2.2k
Au
RL
80
10/2
rbe
182
2.2
Ri
RB1//RB2
//rbe
1
1/5
1.42k
1/201/2.2
Ro
RC
10kΩ
（3
）当β
由80
变为
100
时，
ICQ与
UCEQ基本不变，而
IEQ
1
0.01mA
10A
IBQ
100
100
1
（4
）CE开路，那么电路的微变等效电路如图
[P79T2.3.4]
所示。
Au
ibRL
RL
80
10/2
）ib
RE
rbe（1
）RE
2.2
（1
2.17
rbe（1
80）2.3
RiRB1//RB2
//[rbe
（1
）RE]
1
3.92k
1/20
1/（2.2
1/5
802.3）
RoRC10kΩ
2、如
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