模拟电子技术综合复习题有答案2.docx

1、模拟电子技术综合复习题有答案2.模拟电子技术复习题综合（第1 、2 章）一、选择题1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N 型半导体。A. 二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素，变成为P 型半导体。A. 二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度B空穴浓度。A. 大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度C空穴浓度。A. 大于B.等于C. 小于5、本征半导体温度升高以后，C。A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由C构成的。A. 电子B

2、.空穴C.离子D.分子7、 PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是C。U UTU UT1)A.I S e UB.I SeC.IS(eD.IS9、稳压管的稳压区是其工作在C。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿10 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12 A 增大到22 A 时，

3、I C 从1mA 变为2mA ，那么它的 约为C。A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流ID 从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m 将A。A. 增大B.不变C.减小D.都有可能14、晶体管是A器件。A. 电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量D。A. IBB.IC C.UBED.UCE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为D；图2 为A。 基极电位总是处于中间0V9V 6V3V5.7V2.3V图 1图 2A.NPN硅管B.PNP

4、硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17 、 增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压B， 耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压D。.A. 只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C。A. 可变电阻（欧姆）区B.截止区C. 饱和区D.击穿区19、表征场效应管放大能力的重要参数是B。A. 夹断电压UGS(off)B.低频跨导g mC.饱和漏极电流I DSSD.开启电压UGS(th)20、场效应管是D器件。A. 电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。A.限制基

5、极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc 的作用是B。A. 限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C. 防止信号源被短路D.保护直流电压源E C23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出U CE 0 ，可能是因为A。A. R b 短路B.Rb开路C.Rc 短路D. 过小24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位A。A. 相同B.相反C.相差90 D.相差270 25、 N

6、PN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb 失真消除，这种失真一定是B失真。A. 饱和B.截止C.双向D.相位26、分压式偏置工作点稳定电路，当 50时， I B =20 A ， IC=1mA 。若只更换 100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和IC 分别是A。A. 10 A ， 1mAB. 20 A ， 2mA C. 30 A ， 3mAD. 40 A ， 4mA27、 有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B。A. 输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小28、放

7、大电路产生零点漂移的主要原因是A。A. 环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大C. 采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选B耦合方式。A. 阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器30、放大电路的三种组态（C）。A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用C.都有功率放大作用D.都不是一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB 和40dB ，则放大器的总增益为（ C ）。A. 30dB B. 40dB C. 70dB D. 1200dB31. 多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（ A ）。A. 提高 B. 降低 C. 不变 D. 不确

8、定.二、填空1、 PN结中扩散电流的方向是：从 P区到N 区，漂移电流的方向是从N 区到P 区。2、 PN结的最大特点是单向导电性。3、使PN结正偏的方法是：将P 区接高电位，N 区接低电位。4、 PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。5、 PN结反偏时，内电场与外电场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN 结呈现的电阻大， PN 结处于截止状态。6、温度增加PN 结呈现的电阻将会变小。7、 P 型半导体中的多数载流子是空穴， N 型半导体中的多数载流子是电子。以上为第一章习题8、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，

9、从基极输入，从发射极输出的是共集电极电路。9、从栅极输入，从漏输出的是共源极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。10 、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1 ，共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于111 、某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级30dB、第三级15dB 、第四级60dB ，放大器的总增益为100，总的放大倍数为10。12 、 当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率范围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。13 、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦

10、合、变压器耦合和阻容耦合三种。三、 判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。（）2、 PN结正向电流的大小由温度决定的。（）3、 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（）4、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ）5、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）6、 PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS 大的特点。（）9、若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变

11、小。（）以上为第一章习题10、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）11、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）15、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）16、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）17、某两级放大器中各级电压增益为：第一级2dB 、第二级3dB，放大器的总增益为6 dB 。（ ）四、分析题1 、已知稳压管的稳定电压UZ 6V，稳

12、定电流的最小值I Zmin 5mA ，最大功耗P ZM 150mW 。试求左图所示电路中电阻R 的取值范围。解：稳压管的最大稳定电流.I ZM PZM / UZ 25mA电阻 R 的电流为 I ZM I Zmin ，所以其取值范围为U IU Z0.361.8kRI Z2 、下图示电路中，已知输入R1 =1k ， RL =3k，UI =12V ， UZ =6V， I Z =5mA， P ZM =90mW ，问输出电压UO能否等于6V ？解：稳压管正常稳压时，工作电流I DZ 应满足IZIDZIZM，而I ZMPZM90mWU Z15mA6V即5mA I DZ 15mA设电路中 D Z 能正常稳压

13、，则 UO= UZ =6V 。可求得：I DZI RI LUI UZU Z4mARRL显然，I DZ 不在稳压工作电流范围内。以上为第一章习题3 、测得工作在放大电路中三极管1 、2 、 3脚的电位分别是3.5V ， 2.8V， 7.8V 。试判断它是NPN 型还是PNP 型，是硅管还是锗管，并在图上分别标出e 、b 、 c 。4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。 6V-2V+1V-2V+6V 4V+5.3V+0.1V-3V+4V+0.3V+5.5V-0.2V0V+4V(A)(B)(C)(D)(E)解：（ A） NPN 型管。U BE =0.1-(-0.2)=0.3V， JE正

14、偏，U BC 0.1-6 -5.9V， JC反偏。故该管工作在放大状态，为锗管。（ B） PNP 型管。U EB =1-0.3=0.7V， JE正偏，U CB -2-0.3 -2.3V， J C反偏。故该管工作在放大状态，为硅管。（ C） NPN 型管。U BE = -3-(-2)=-1V， J E反偏，U BC -3-0 -3V ， J C反偏。.故该管工作在截止状态。（ D） PNP 型管。 U EB =6-5.3=0.7V ， J E 正偏，U CB 5.5-5.3 0.2V ， J C 正偏。故该管工作在饱和状态，为硅管。（ E ） NPN 型管。 U BE = 4-4=0V ，UBC

15、 4-4 0V 。则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。5、判断以下两工作电路处于何种状态图（ a ）没有放大作用。 V BB 对信号有短接作用； U BE 过大， J E 可能烧毁。在 VBB 中串接电阻 RB 。图（ b ）没有放大作用。放大元件 T 没有合适的偏置状态。 RB 接点移至到 C 1 后。五、计算题( 都为第二章习题)1 、在右图所示电路中，已知RB1=5k ,R B1 =20k ,R E =2.3k , R C = R L=10k , V CC =15V, =80,rbb 100，BEQ =0.7V。试求解：U（ 1）估算静态工作点Q ；（ 2）估算电压放大倍数Au 、

16、输入电阻Ri 和输出电阻Ro 。（ 3）若将晶体管换成 为100的管子，Q 点将如何变化？（ 4）若CE 开路，则Au 与 Ri 将如何变化。解（1 ）求解Q 点。因为RB1 (1+ ) R E ，所以U BQRB1VCC5153VRB 1RB 2520I EQU BQU BEQ30.71mARE2.3I BQI EQ10.0125mA12.5A180U CEQVCCI EQ (RCRE )151(102.3)2.7V（ 2）求解A u 、 Ri和 Ro 。画出微变等效电路.rberbb(1)26(mV )I E (mA )100()(180) 26(mV )1(mA )22002.2kAuRL8010/ 2rbe1822.2RiRB1 / RB 2/ rbe11 / 51.42k1/ 20 1/ 2.2RoRC10 k（ 3）当 由 80变为100时，I CQ与UCEQ 基本不变，而I EQ10.01mA10 AI BQ1001001（ 4） C E 开路，那么电路的微变等效电路如图P79T2.3.4所示。Auib RLRL8010/2) i bRErbe (1)RE2.2(12.17rbe (180) 2.3Ri RB1 / RB 2/ rbe(1)RE13.92k1/ 201 /( 2.21 / 580 2.3)Ro RC 10 k2 、如