1、模拟电子技术综合复习题有答案2.模拟电子技术复习题综合(第1 、2 章)一、选择题1、在本征半导体中掺入微量的D价元素,形成N 型半导体。A. 二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素,变成为P 型半导体。A. 二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度B空穴浓度。A. 大于B.等于C.小于4、在P型半导体中,自由电子浓度C空穴浓度。A. 大于B.等于C. 小于5、本征半导体温度升高以后,C。A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由C构成的。A. 电子B
2、.空穴C.离子D.分子7、 PN结加正向电压时,空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定8、设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是C。U UTU UT1)A.I S e UB.I SeC.IS(eD.IS9、稳压管的稳压区是其工作在C。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿10 、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12 A 增大到22 A 时,
3、I C 从1mA 变为2mA ,那么它的 约为C。A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流ID 从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m 将A。A. 增大B.不变C.减小D.都有可能14、晶体管是A器件。A. 电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量D。A. IBB.IC C.UBED.UCE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为D;图2 为A。 基极电位总是处于中间0V9V 6V3V5.7V2.3V图 1图 2A.NPN硅管B.PNP
4、硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17 、 增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压B, 耗尽型PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压D。.A. 只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负,也可为零18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的C。A. 可变电阻(欧姆)区B.截止区C. 饱和区D.击穿区19、表征场效应管放大能力的重要参数是B。A. 夹断电压UGS(off)B.低频跨导g mC.饱和漏极电流I DSSD.开启电压UGS(th)20、场效应管是D器件。A. 电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流21、基本共射放大电路中,基极电阻Rb的作用是A。A.限制基
5、极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路22、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是B。A. 限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C. 防止信号源被短路D.保护直流电压源E C23、基本共射放大电路中,如果使用直流电压表测出U CE 0 ,可能是因为A。A. R b 短路B.Rb开路C.Rc 短路D. 过小24、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位A。A. 相同B.相反C.相差90 D.相差270 25、 N
6、PN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小Rb 失真消除,这种失真一定是B失真。A. 饱和B.截止C.双向D.相位26、分压式偏置工作点稳定电路,当 50时, I B =20 A , IC=1mA 。若只更换 100的晶体管,而其他参数不变,则I B 和IC 分别是A。A. 10 A , 1mAB. 20 A , 2mA C. 30 A , 3mAD. 40 A , 4mA27、 有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输出电压小,这说明甲的B。A. 输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小28、放
7、大电路产生零点漂移的主要原因是A。A. 环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大C. 采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源29、要求组成的多级放大电路体积最小,应选B耦合方式。A. 阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器30、放大电路的三种组态(C)。A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用C.都有功率放大作用D.都不是一个放大器由两级相同的放大器组成,已知它们的增益分别为30dB 和40dB ,则放大器的总增益为( C )。A. 30dB B. 40dB C. 70dB D. 1200dB31. 多级放大器与单级放大器相比,电压增益将( A )。A. 提高 B. 降低 C. 不变 D. 不确
8、定.二、填空1、 PN结中扩散电流的方向是:从 P区到N 区,漂移电流的方向是从N 区到P 区。2、 PN结的最大特点是单向导电性。3、使PN结正偏的方法是:将P 区接高电位,N 区接低电位。4、 PN结正偏时,有利于多数载流子的运动,阻碍少数载流子的运行。5、 PN结反偏时,内电场与外电场的方向相同,空间电荷区变宽,有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN 结呈现的电阻大, PN 结处于截止状态。6、温度增加PN 结呈现的电阻将会变小。7、 P 型半导体中的多数载流子是空穴, N 型半导体中的多数载流子是电子。以上为第一章习题8、从基极输入,从集电极输出的是共射极电路,
9、从基极输入,从发射极输出的是共集电极电路。9、从栅极输入,从漏输出的是共源极电路;从栅极输入,从源极输出的是共漏极电路。10 、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1 ,共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于111 、某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB、第二级30dB、第三级15dB 、第四级60dB ,放大器的总增益为100,总的放大倍数为10。12 、 当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707时,所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率,它们之间的频率范围,称为放大电路的通频带,它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。13 、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦
10、合、变压器耦合和阻容耦合三种。三、 判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。()2、 PN结正向电流的大小由温度决定的。()3、 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。()4、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( )5、因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()6、 PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()7、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS 大的特点。()9、若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零,则其输入电阻会明显变
11、小。()以上为第一章习题10、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()11、可以说任何放大电路都有功率放大作用;()12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()15、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( )16、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( )17、某两级放大器中各级电压增益为:第一级2dB 、第二级3dB,放大器的总增益为6 dB 。( )四、分析题1 、已知稳压管的稳定电压UZ 6V,稳
12、定电流的最小值I Zmin 5mA ,最大功耗P ZM 150mW 。试求左图所示电路中电阻R 的取值范围。解:稳压管的最大稳定电流.I ZM PZM / UZ 25mA电阻 R 的电流为 I ZM I Zmin ,所以其取值范围为U IU Z0.361.8kRI Z2 、下图示电路中,已知输入R1 =1k , RL =3k,UI =12V , UZ =6V, I Z =5mA, P ZM =90mW ,问输出电压UO能否等于6V ?解:稳压管正常稳压时,工作电流I DZ 应满足IZIDZIZM,而I ZMPZM90mWU Z15mA6V即5mA I DZ 15mA设电路中 D Z 能正常稳压
13、,则 UO= UZ =6V 。可求得:I DZI RI LUI UZU Z4mARRL显然,I DZ 不在稳压工作电流范围内。以上为第一章习题3 、测得工作在放大电路中三极管1 、2 、 3脚的电位分别是3.5V , 2.8V, 7.8V 。试判断它是NPN 型还是PNP 型,是硅管还是锗管,并在图上分别标出e 、b 、 c 。4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。 6V-2V+1V-2V+6V 4V+5.3V+0.1V-3V+4V+0.3V+5.5V-0.2V0V+4V(A)(B)(C)(D)(E)解:( A) NPN 型管。U BE =0.1-(-0.2)=0.3V, JE正
14、偏,U BC 0.1-6 -5.9V, JC反偏。故该管工作在放大状态,为锗管。( B) PNP 型管。U EB =1-0.3=0.7V, JE正偏,U CB -2-0.3 -2.3V, J C反偏。故该管工作在放大状态,为硅管。( C) NPN 型管。U BE = -3-(-2)=-1V, J E反偏,U BC -3-0 -3V , J C反偏。.故该管工作在截止状态。( D) PNP 型管。 U EB =6-5.3=0.7V , J E 正偏,U CB 5.5-5.3 0.2V , J C 正偏。故该管工作在饱和状态,为硅管。( E ) NPN 型管。 U BE = 4-4=0V ,UBC
15、 4-4 0V 。则该管可能被击穿损坏,也可能电路接线问题。5、判断以下两工作电路处于何种状态图( a )没有放大作用。 V BB 对信号有短接作用; U BE 过大, J E 可能烧毁。在 VBB 中串接电阻 RB 。图( b )没有放大作用。放大元件 T 没有合适的偏置状态。 RB 接点移至到 C 1 后。五、计算题( 都为第二章习题)1 、在右图所示电路中,已知RB1=5k ,R B1 =20k ,R E =2.3k , R C = R L=10k , V CC =15V, =80,rbb 100,BEQ =0.7V。试求解:U( 1)估算静态工作点Q ;( 2)估算电压放大倍数Au 、
16、输入电阻Ri 和输出电阻Ro 。( 3)若将晶体管换成 为100的管子,Q 点将如何变化?( 4)若CE 开路,则Au 与 Ri 将如何变化。解(1 )求解Q 点。因为RB1 (1+ ) R E ,所以U BQRB1VCC5153VRB 1RB 2520I EQU BQU BEQ30.71mARE2.3I BQI EQ10.0125mA12.5A180U CEQVCCI EQ (RCRE )151(102.3)2.7V( 2)求解A u 、 Ri和 Ro 。画出微变等效电路.rberbb(1)26(mV )I E (mA )100()(180) 26(mV )1(mA )22002.2kAuRL8010/ 2rbe1822.2RiRB1 / RB 2/ rbe11 / 51.42k1/ 20 1/ 2.2RoRC10 k( 3)当 由 80变为100时,I CQ与UCEQ 基本不变,而I EQ10.01mA10 AI BQ1001001( 4) C E 开路,那么电路的微变等效电路如图P79T2.3.4所示。Auib RLRL8010/2) i bRErbe (1)RE2.2(12.17rbe (180) 2.3Ri RB1 / RB 2/ rbe(1)RE13.92k1/ 201 /( 2.21 / 580 2.3)Ro RC 10 k2 、如
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