Bandgap带隙 Circuit.docx
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Bandgap带隙Circuit
课后练习要求指标要求:
VREF直流范围:
1.1V~1.3V;IREF直流范围:
50uA~100uAVREF温度系数:
<14ppm,-40DEG~120DEG;∆VREF电源电压扫描:
VREF≤1mV,VDD=3V~3.3VIREF温度扫描:
∆IREF≤1µAIREF电源电压扫描:
∆IREF≤1µA闭环STB仿真:
phasemargin>60degreegainmargin>10dBBroadGalaxyConfidential46
小结直流仿真,直流工作点,MOS工作状态判定;电流镜仿真,复制电流关系;偏置电路设计;电压基准设计:
正温电压+负温电压=温度无关电压;电流基准设计:
正温电流+负温电流=温度无关电流;两级运放设计;直流温度扫描方法;直流电源电压扫描方法;闭环电路STB仿真方法;电流镜MOS管,成比例的BJT管,在版图上的match.BroadGalaxyConfidential47
预习要求比较器电路基础;VCO与PLL电路基础;射频电路基础:
史密斯圆图,阻抗匹配,最大功率传输原理,高频电路中电容与电感如何等效;参考书目:
P.E.Allen,“CMOSAnalogCircuitDesign”,SecondEdition,电子工业出版社ThomasH.Lee,“TheDesignofCMOSRaidoFrequencyIntegratedCircuits”(英文版或中文版英文版或中文版英文版或中文版BehzadRazavi,“RFMicroelectronics”(英,英文版或中文版文版或中文版BroadGalaxyConfidential48