半导体器件物理复习总结题完整版本doc.docx
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半导体器件物理复习题
一.平衡半导体:
概念题:
1.平衡半导体的特征(或称谓平衡半导体的定义)
所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体,是指无外界(如电压、电场、磁场或温度梯度
等)作用影响的半导体。
在这种情况下,材料的所有特性均与时间和温度无关。
2.本征半导体:
本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3.受主(杂质)原子:
形成P型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅲ族元素)。
4.施主(杂质)原子:
形成N型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅴ族元素)。
5.杂质补偿半导体:
半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
6.兼并半导体:
对N型掺杂的半导体而言,电子浓度大于导带的有效状态密度,
费米能级高于导带底(EFEc0);对P型掺杂的半导体而言,空穴浓度大于价带的有
效状态密度。
费米能级低于价带顶(
EF
Ev0)。
7.有效状态密度:
4
2mn*
3/2
在导带能量范围(Ec~
)内,对导带量子态密度函数
EEc与
gcE
h3
电子玻尔兹曼分布函数
fFE
E
EF
的乘积进行积分(即
exp
kT
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4
*
3/2
*
3
2
2mn
E
EF
2mnkT
n0
h3
EEcexp
dE)得到的Nc
2
称谓导带中
Ec
kT
h2
电子的有效状态密度。
42m*p
3/2
在价带能量范围(
~Ev)内,对价带量子态密度函数gvE
EvE与
h3
空穴玻尔兹曼函数fF
E
exp
EFE
的乘积进行积分(即
kT
Ev42m*p
3/2
2m*
3
kT2
EF
E
p0
h3
EvEexp
dE)得到的Nv
2
p
称谓价带空
kT
h2
穴的有效状态密度。
8.以导带底能量Ec为参考,导带中的平衡电子浓度:
Ec
EF
其含义是:
导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘
n0Ncexp
kT
以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
9.以价带顶能量Ev为参考,价带中的平衡空穴浓度:
p0
EF
Ev
其含义是:
价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘
Nvexp
kT
以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
4
2mn*
3/2
10.
导带量子态密度函数
gc
E
Ec
E
h3
4
2m*p
3/2
11.
价带量子态密度函数
gv
Ev
E
E
h3
3
12.
导带中电子的有效状态密度
Nc
2mn*kT2
2
h2
3
13.
价带中空穴的有效状态密度
Nv
2m*pkT2
?
2
h
2
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14.本征费米能级EFi:
是本征半导体的费米能级;本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近,
E
1
E
E
3
m*p
E
3
m*p
;其中禁带宽度
kTln
midgap
kTln
Fi
2
cv
4
mn*
4
mn*
EgEc
Ev。
?
15.本征载流子浓度ni:
本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度n0p0ni。
硅半导体,在
T300K时,ni1.51010cm3。
16.杂质完全电离状态:
当温度高于某个温度时,掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质;掺
杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质,称谓杂质完全电离状态。
17.束缚态:
在绝对零度时,半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。
束缚态时,半导
体内的电子、空穴浓度非常小。
18.本征半导体的能带特征:
本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近,且跟温度有关。
如果电子和空穴的有效质量
严格相等,那么本征半导体费米能级的位置严格位于禁带中央。
在该书的其后章节中,都假
设:
本征半导体费米能级的位置严格位于禁带中央。
(画出本征半导体的能带图)。
19.非本征半导体:
进行了定量的施主或受主掺杂,从而使电子浓度或空穴浓度偏离了本征载流子浓度,产生多
子电子(N型)或多子空穴(P型)的半导体。
20.本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系:
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n0p0nin0p0ni2,ni2NcNvexpEgNcNvexpVgT3expEg,
kTVtkT
本征载流子浓度强烈依赖与温度。
以本征费米能级为参考描述的电子浓度和空穴浓度:
EFEFi
p0
EFEFi
n0niexp
niexp
kT
kT
从上式可以看出:
如果
EF
EFi,可以得出n0p0nin0p0
ni2
,此时的半导体具有
本征半导体的特征。
上式的载流子浓度表达式既可以描述非本征半导体,
又可以描述本征半
导体的载流子浓度。
21.非本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系:
n0p0ni2
,n0
niexpEFEFi
p0niexp
EFEFi
kT
kT
22.补偿半导体的电中性条件:
n0Nap0Nd1其中:
n0是热平衡时,导带中总的电子浓度;
p0是热平衡时,价带中总的空穴浓度;
NaNapa是热平衡时,受主能级上已经电离的受主杂质;
NdNdnd是热平衡时,施主能级上已经电离的施主杂质;
Na是受主掺杂浓度;Nd是施主掺杂浓度;pa是占据受主能级的空穴浓度;nd是占据施主
能级的电子浓度。
也可以将
(1)写成:
n0(Napa)p0Ndnd
2
在完全电离时的电中性条件:
完全电离时,nd0,pa0,有n0Nap0Nd3
对净杂质浓度是N型时,热平衡时的电子浓度是
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NdNa
NdNa
2
n0
ni2
4;
2
2
少子空穴浓度是:
p0ni2。
n0
对净杂质浓度是
P型时,热平衡时的空穴浓度是
NaNd
Na
Nd
2
2
5;
p0
2
ni
2
少子电子浓度是:
n
ni2
。
0
p0
理解题:
23.结合下图,分别用语言描述N型半导体、P型半导体的费米能级在能带中的位置:
24.费米能级随掺杂浓度是如何变化的?
利用n0
niexpEFEFi
p0niexp
EFEFi
可分别求出:
kT
kT
EFEFikTlnn0
;EFiEF
kTlnp0
6
ni
ni
如果掺杂浓度
Na
ni,且Na
Nd利用(5)式得到,
p0
Na;
如果掺杂浓度
Nd
ni,且Nd
Na利用(4)式得到,
n0
Nd;
带入(6)式得:
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EFEFi
Nd
;EFi
EF
Na
7
kTln
kTln
ni
ni
所以,随着施主掺杂浓度
Nd的增大,N型半导体的费米能级
EF远离本征费米能级
EFi向导
带靠近(为什么会向导带靠近?
)
;同样,随着受主掺杂浓度
Na的增大,P型半导体的费米
能级EF远离本征费米能级
EFi
向价带靠近(为什么会向价带靠近?
)。
25.费米能级在能带中随温度的变化?
由于,EFEFi
Nd
;EFiEFkTln
Na
8
kTln
ni
ni
温度升高时,本征载流子浓度
ni增大,N型和P型半导体的费米能级都向本征费米能级靠
近。
为什么?
26.硅的特性参数:
在室温(T300K时,)硅的
导带有效状态密度
Nc
2.81019cm3,
价带的有效状态密度
Nv
1.041019cm3;
本征载流子浓度:
ni
1.5
1010cm3
禁带宽度(或称带隙能量)Eg1.12eV
27.常用物理量转换单位
o
147810
1A10nm10m10mm10cm10m
3
1mil10in25.5m
1in25.4cm
1eV1.61019J
28.常用物理常数:
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Boltzmannsconstant
Electroniccharge
Freeelectronrestmass
Permeabilityoffreespace
Permittivityoffreespace
Planck,sconstant
ProtonrestmassSpeedoflightinvacuum
Thermalvoltage(T300K)
k1.381023J/K
8.62105eV/K
e
1.61019C
m0
9.111031kg
14107H/m
18.851014F/cm
8.851012F/m
h
6.625
1034J
s
4.135
1015eV
s
h
h
1.05410
34Js
2
M1.671027kgc2.9981010cm/s
kT
Vt0.0259V
e
kT0.0259eV
SiliconandSiO2properties(T
300K)
SiliconDieelectric
constantsi
11.7
8.85
1014F/cm
SiO2Dieelectric
constant
ox
3.9
8.85
1014F/cm
SiliconBandgapenergey
Eg
1.12eV
SiliconMobility
of
eletron
n
1350cm2/V
s
SiliconMobility
of
Hole
p
480cm2/V
s
Siliconelectronaffinity
4.01V
Siliconintrnsiccarriercondentrationni
1.5
1010cm3
PropertiesofSiO2
andSi3N4(T
300K)
SiO2
Si3N4
Energygap
9eV
4.7eV
Dielectricconstant
3.9
7.5
Meltingpoint
17000C
19000C
29.电离能的概念:
受主能级与价带能量的差值称谓受主杂质电离能
即Ea
Ev;
导带能量与施主能级的差值称谓施主杂质电离能
即Ec
Ed;
问:
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受主能级Ea在能带中的什么位置?
施主能级Ed在能带中的什么位置?
结合下图用语言描述。
计算能使玻尔兹曼近似成立的最大掺杂浓度及费米能级的位置。
解:
考虑T300K时对硅进行了硼掺杂,假设玻尔兹曼近似成立的条件是EFEa3kT,
已知硼在硅中的电离能是EaEv0.045eV,假设本征费米能级严格等于禁带中央。
在
T300K时,P型半导体的费米能级在
EFi与Ea之间,所以
EFi
Ec
Ev
EF
Ec
Ev
EaEv
EF
Ea
EF
2
2
Eg
Ea
Ev
EF
Ea
kTln
Na
2
ni
1.12
0.045
3
0.0259
0.0259ln
Na
2
ni
0.437
0.0259lnNa
ni
Na
niexp
0.437
1.51010exp
0.437
3.2
1017cm3
0.0259
0.0259
EFi
EF0.437eV
玻尔兹曼近似成立的最大掺杂浓度是
Na3.2
1017cm3
费米能级高于本征费米能级EFiEF0.437eV。
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二.半导体中的载流子输运现象与过剩载流子:
概念题:
30.半导体中存在两种基本的电荷输运机理,一种称谓载流子的漂移,漂移引起的载流子流
动与外加电场有关;另一种电荷输运现象称谓载流子的扩散,它是由杂质浓度梯度引起的(或理解为有“扩散力”存在引起的电荷输运)。
31.给半导体施加电场,载流子的漂移速度不会无限增大,而是在散射作用下,载流子会达到平均漂移速度。
半导体内主要存在着两种散射现象:
晶格散射和电离杂质散射。
32.载流子迁移率定义为载流子的平均漂移速度与所加电场的比值
vdp
vdn
。
电子
p
n
E
E
迁移率n和空穴迁移率
p既是温度的函数,也是电离杂质浓度的函数。
33.当所加的电场很小时,载流子的平均漂移速度与电场成线性关系;当电场强度达到
104Vcm1时,载流子的漂移速度达到饱和值107cms1。
34.载流子的漂移电流等于电导率与电场强度的乘积(jdrfE)电导率与载流子浓度、
迁移率成正比;电阻率是电导率的倒数。
35.载流子的扩散电流密度正比于扩散系数Dn,Dp和载流子浓度梯度。
非均匀杂质掺杂的半导体,在热平衡时,会在半导体内产生感应电场。
载流子的扩散系数与
Dn
Dp
kT
。
迁移率的关系称谓爱因斯坦关系:
Vt
n
p
q
练习题:
36.Calculatetheintrinsicconcentrationinsiliconat
T350KandatT
400K.
ThevaluesofNc
and
Nvvaryas
T3/2.Asafirstapproxi
-mation,neglect
any
variationof
bandgap
energy
temperature.Assume
thatthe
bandgapenergyofsiliconis1.12eV.thevalueofatT350Kis
实用文档
kT
0.0259
350
0.0302eV
300
thevalueofat
T
400Kis
kT
0.0259
400
0.0345eV
300
Wefindfor
T
350K,
Eg
3
1.12
2
NcNv
exp
2.8
10
19
1.04
10
19
350
3.62
10
22
cm
6
ni
kT
exp
0.0302
300
ni(350K)
1.9
1011cm3
For
T
400K,Wefind
Eg
3
1.12
2
NcNvexp
2.8
19
1.04
10
19
400
5.5
10
24
cm
6
ni
kT
10
exp
0.0345
300
ni(400K)
2.34
1012cm3
37.DeterminethethermalequilibriumelectronandholeconcentrationinGaAsat
T=300KforthecasewhentheFermienergylevelis0.25eVabovethevalence-band
energyEv.AssumethebandgapenergyisE
g=1.42eV.
(Ans.p
0=4.5x10
14cm-3,n0
=?
T=300K
,Nc=4.7X1017cm-3,Nv=7X10
18cm-3)
38.Findtheintrinsiccarrierconcentrationinsiliconat
(a)T=200K
and
at
(b)T=400K
<
Ans.(a)8.13x10
4cm-3,(b)
2.34x10
12
cm
-3
.n=1.5x10
10
cm
-3
>.
i
39.Consider
a
compensated
germanium
semiconductor
atT=300K
doped
at
concentration
of
Na=5x10
13cm-3and
Nd=1x1013cm-3.Calculatethe
thermal
equilibrium
electron
and
hole
concentrations.0=5.12x10
13cm-3,
n0=1.12x1013cm-3,ni=2.4x1013cm-3>.
实用文档
2
p0
Na
Nd
Na
Nd
n