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08电子技术题库原始版

1.半导体的导电能力()

(A)很强

(B)较弱

(C)不导电

(D)不确定

2.内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是(   )

(A)P型半导体

(B)N型半导体

(C)本征半导体 

※3.本征半导体电子浓度(   )空穴浓度,N型半导体的电子浓度(   )空穴浓度,P型半导体的电子浓度(   )空穴浓度。

(A)等于、大于、小于

(B)小于、等于、大于

(C)等于、小于、大于

4.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于()

(A)掺入杂质的浓度

(B)材料、

(C)温度

※5.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。

(A)三价

(B)四价

(C)五价

(D)六价。

6.下列半导体材料热敏特性突出的是_______

(A)本征半导体

(B)P型半导体

(C)N型半导体

※7.对PN结施加反向电压时,参与导电的是()

(A)多数载流子

(B)少数载流子

(C)既有多数载流子又有少数载流子

8.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()。

(A)增加

(B)减少

(C)不变

9.硅晶体属于以下哪类物质()。

(A)导体

(B)半导体

(C)绝缘体

(D)以上都不是

※10.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。

(A)多子扩散

(B)少子扩散

(C)少子漂移

(D)多子漂移。

※11.晶体二极管具有单向导电性,即是正向导通反向截止,试判断下图二极管所处的状态()

(A)正偏

(B)反偏

(C)零偏

(D)不确定

※12.用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到()。

(A)R×100Ω或R×1KΩ挡

(B)R×1Ω挡

(C)R×10KΩ挡

(D)R×100KΩ

13.在电子线路中用规定的电路图形符号来代表二极管,请选出目前使用的二极管电路图形符号的选项()

A

B

C

D

(A)

(B)

(C)

(D)

※14.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

(A)大

(B)小

(C)相等

※15.如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管()。

(A)特性良好

(B)已被击穿

(C)内部开路

(D)内部短路

※16.二极管两端加上正向偏压时()

(A)立即导通

(B)超过击穿电压就导通

(C)超过0.2V就导通

(D)超过死区电压就导通

※17.当硅晶体二极管加上0.3V正电压时,该晶体二极管相当于()

(A)小阻值电阻

(B)阻值很大的电阻

(C)内部短路

(D)不确定

※18.如果二极管正反向电阻都很小,则该二极管_______

(A)正常

(B)已被击穿

(C)内部短路

※19.如果一个二极管的正极的电位是5V,负极的电位是3V,那么该二极管_______

(A)正向导通

(B)截止

(C)击穿

※20.当硅二极管加上0.3伏正向电压时,该二极管的状态是_______

(A)正向导通

(B)截止

(C)放大

※21.稳压二极管的正常工作状态是()。

(A)导通状态

(B)截止状态

(C)反向击穿状态

(D)任意状态。

※22.用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管()。

(A)已经击穿

(B)完好状态

(C)内部老化不通

(D)无法判断。

23.稳压管两端的电压变化量与通过电流的变化量之比称作稳压管的动态电阻。

稳压性能良好的稳压管的动态电阻值()

(A)较大

(B)较小

(C)不定

※24.对于桥式整流电路,正确的接法是()

 

(A)

(B)

(C)

(D)

25.稳压管构成的稳压电路,其接法是(  )

(A)稳压二极管与负载电阻串联

(B)稳压二极管与负载电阻并联。

(C)限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联

26.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

(A)大

(B)小

(C)相等

27.稳压电路右图,设稳压管的稳压值UZ1=6V,UZ2=9V,则UO为:

(A)1.4V

(B)6.7V

(C)9.7V

(D)15V

※28.硅晶体二极管各电极对地电位如图所示,能正常放大的是()

1.3V

6V

2V

1V

5.7V

6V

6V

1.3V

2V

1V

5.7V

6V

A

B

C

D

(A)

(B)

(C)

(D)

※29.三极管是一种()的半导体器件。

(A)电压控制型

(B)电流控制型

(C)既是电压控制又是电流控制

※30.当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。

(A)>>

(B)<

(C)=

(D)≤

※31.三极管的发射结正偏、集电结反偏时,则三极管所处的状态是()

(A)放大状态

(B)饱和状态

(C)截止状态

(D)不确定

※32.三极管的两个PN结都反偏时,则三极管所处的状态是()

(A)放大状态

(B)饱和状态

(C)截止状态

(D)不确定

※33.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。

(A)放大区

(B)饱和区

(C)截止区

(D)反向击穿区。

※34.NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系是()

(A)VC>VB>VE

(B)VC

(C)VC>VE>VB

(D)VE>VC>VB

※35.当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。

(A)>

(B)<<

(C)=

(D)≤

※36.测得一放大电路中三极管三个管脚1、2、3对地电压分别为V1=8.3V,V2=18V,V3=9V,则1、2、3三个管脚分别为:

(A)基极、集电极和发射极

(B)集电极、基极和发射极

(C)发射极、集电极和基极

(D)基极、发射极和集电极

※37.测得某PNP型三极管各极点位为:

UB=-3VUE=-4VUC=-6V,则该管工作于()

(A)放大状态

(B)饱和状态

(C)截止状态

※38.放大器的通频带指的是()

(A)频率响应曲线

(B)下限频率以上的频率范围

(C)上限频率以下的频率范围

(D)放大器上限频率和下限频率之间的频率范围

※39.单极型半导体器件是()。

(A)二极管

(B)双极型三极管

(C)场效应管

(D)稳压管。

40.绝缘栅型场效应管的输入电流()。

(A)较大

(B)较小

(C)为零

(D)无法判断

※41.场效晶体管是半导体器件的一种,也是由P型和N型半导体组成,在场效晶体管中有几个PN结()

(A)1

(B)2

(C)3

(D)4

※42.三极管的两个PN结都反偏,则该三极管的状态时_______

(A)放大

(B)截止

(C)饱和

※43.三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是_______

(A)发射结和集电结同时反偏

(B)发射结和集电结同时正偏

(C)发射结正偏,集电结反偏

※44.晶体管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管(   )

(A)发射结为反向偏置

(B)集电结为正向偏置

(C)始终工作在放大区

※45.三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。

(A)集电极最大允许电流ICM;

(B)集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;

(C)集电极最大允许耗散功率PCM;

(D)管子的电流放大倍数

※46.三级放大器中,各级的功率增益为:

-3dB、20dB和30dB则总功率增益为()

(A)47dB

(B)-180dB

(C)53dB

(D)0dB

※47.放大器引入负反馈后,它的电压放大倍数和信号失真情况是()。

(A)放大倍数下降,信号失真减小

(B)放大倍数下降,信号失真加大

(C)放大倍数增大,信号失真程度不变

※48.反馈放大器按照不同的性质可以分为不同的种类,按反馈的极性可分为()反馈。

(A)电压和电流

(B)串联和并联

(C)正和负

※49.晶体三极管工作在饱和状态时,它的Ic将_______

(A)随IB增加而增加

(B)随IB增加而减小

(C)与IB无关

※50.直流稳压电源按其结构可分为三个部分,其中需要用到电容器的是(B)。

(A)整流电路

(B)滤波电路

(C)稳压电路

※51.为了减小输出电阻,应在放大电路中引入A;为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入C。

(A)电流负反馈

(B)电压负反馈

(C)直流负反馈

(D)交流负反馈

※52.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。

(A)β

(B)β2

(C)2β

(D)1+β

※53.在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是C;既能放大电流,又能放大电压的电路是C。

(A)共基放大电路

(B)共集放大电路

(C)共射放大电路

※54.为了增大输出电阻,应在放大电路中引入A;为了展宽频带,应在放大电路中引入D。

(A)电流负反馈

(B)电压负反馈

(C)直流负反馈

(D)交流负反馈

55.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。

(A)矩形方波

(B)等腰三角波

(C)正弦半波

(D)仍为正弦波。

※56.电流并联负反馈对放大器的影响,正确的是:

(A)能稳定静态工作点,增加电压放大倍数的稳定性,减小输入电阻

(B)使放大器不稳定,可能产生自激振荡

(C)能稳定静态工作点,提高输入电阻,,稳定放大器的输出电压

(D)能稳定放大器的输出电流,减小输入电阻,但放大器带动负载能力减小

57.在由NPN管组成的单管共射放大电路中,当静态工作点时,将产生饱和失真,其输出电压的波形被削掉。

(A)太低顶部

(B)太高顶部

(C)太低底部

(D)太高底部

※58.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数()

(A)约为原来的1/2倍

(B)约为原来的2倍

(C)基本不变

※59.在OCL电路中,引起交越失真的原因是()

(A)输入信号过大

(B)晶体管输入特性的非线性

(C)电路中有电容

60.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是()

(A)饱和失真

(B)截止失真

(C)频率失真

※61.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。

(A)直流成分

(B)交流成分

(C)交直流成分均有。

62.基本放大电路中的主要放大对象是()。

(A)直流信号

(B)交流信号

(C)交直流信号均有

63.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。

(A)截止失真

(B)饱和失真

(C)晶体管被烧损

64.共发射极放大电路的反馈元件是()。

(A)电阻RB

(B)电阻RE

(C)电阻RC

※65.功放首先考虑的问题是()。

(A)管子的工作效率

(B)不失真问题

(C)管子的极限参数

※66.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。

(A)放大电路的电压增益

(B)不失真问题

(C)管子的工作效率。

※67.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()

(A)带负载能力强

(B)带负载能力差

(C)减轻前级或信号源负荷

※68.功放电路易出现的失真现象是()。

(A)饱和失真

(B)截止失真

(C)交越失真

69.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近()。

(A)截止区

(B)饱和区

(C)死区

70.射极输出器是典型的()。

(A)电流串联负反馈

(B)电压并联负反馈

(C)电压串联负反馈

※71.差分放大器比非差分放大器以多用一个晶体三极管为代价,换取()。

(A)高的电压放大倍数

(B)使电路放大信号时减少失真

(C)抑制零点漂移

※72.某差分电路的电压增益为-20dB,该电路是()

(A)同相放大器

(B)放大器

(C)反相放大器

(D)衰减器

※73.通用型集成运放的输入级多采用。

(A)共基接法

(B)共集接法

(C)共射接法

(D)差分接法

※74.集成运放的互补输出级采用。

(A)共基接法

(B)共集接法

(C)共射接法

(D)差分接法

※75.差动放大器中,用恒流源代替长尾Re是为了()

(A)提高差模电压增益

(B)提高共模输入电压范围

(C)提高共模抑制比

※76.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的()

(A)输入电阻高

(B)输出电阻低

(C)共模抑制比大

(D)电压放大倍数大

77.差动放大器中的输入失调电压UIO是()

(A)两个输入端电压之差

(B)输入端都为零时的输出电压

(C)输出端为零时输入端的等效补偿电压。

※78.抑制温漂(零漂)最常用的方法是采用()电路

(A)差放

(B)正弦

(C)数字

※79.理想运放的开环放大倍数Au0为(A),输入电阻为(A),输出电阻为(B)。

(A)∞

(B)0

(C)不定

※80.运放组成的电路中,工作在非线性状态的电路是()。

(A)反相放大器

(B)差分放大器

(C)电压比较器。

※81.理想运放在线性状态的两个重要结论是()。

(A)虚短与虚地

(B)虚断与虚短

(C)断路与短路

※82.集成运放一般分为两个工作区,它们分别是()。

(A)正反馈与负反馈

(B)线性与非线性

(C)虚断和虚短

83.()输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。

(A)同相

(B)反相

(C)双端

※84.集成运放的线性应用存在(C)现象,非线性应用存在(B)现象。

(A)虚地

(B)虚断

(C)虚断和虚短

※85.各种电压比较器的输出状态只有()。

(A)一种

(B)两种

(C)三种。

86.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是()。

(A)虚地

(B)虚短

(C)虚断。

※87.RC串并联网络在

时呈。

(A)感性

(B)阻性

(C)容性

※88.正弦波振荡器中选频网络的主要作用是()。

(A)产生单一频率的振荡

(B)提高输出信号的振荡

(C)保证电路起振

(D)使振荡有丰富的频率成分

※89.RC桥式振荡器的振荡频率f0为()。

(A)

(B)

(C)

(D)

※90.在逻辑运算中,只有两种逻辑取值,他们是()。

(A)0V和5V

(B)正电位和负点位

(C)正电位和地电位

(D)高电平和低电平

 

(A)74

(B)116

(C)110

(D)68

※92.等于(58.7)10的8421BCD码是()。

(A)0110110.101

(B)0011100.1100

(D)0011001.0111

※93.下图所示的电路图形符号代表的是()门电路。

A

B

C

 

Y

&

(A)与非

(B)或非

(C)非

(D)与

94.下图为某逻辑门电路的输入A、B和输出Y的波形,该逻辑门的逻辑功能是()。

(A)与非

(B)或非

(C)非

(D)与

※95.4位二进制数能表示十进制数的最大值是()。

(A)16

(B)15

(C)31

96.逻辑函数式A+AB,简化后结果是()。

(A)A

(B)B

(C)A+B

(D)AB

※97.凡是在数值上和时间上不连续变化的信号,例如只有高、低电平的矩形波脉冲信号,称为()。

(A)模拟信号

(B)数字信号

(C)直流信号

98.逻辑函数式D+D,简化后结果是()。

(A)2D

(B)D

(C)D2

※99.要完成二进制代码转换为十进制数,应选择的电路是()。

(A)译码器

(B)编码器

(C)数据选择器

(D)数据分配器

※100.优先编码器同时有两个输入信号时,是按()的输入信号编码。

(A)高电平

(B)低电平

(C)高优先级

(D)高频率

※101.半导体数码管是由()排列成显示数字。

(A)小灯泡

(B)液态晶体

(C)辉光器件

(D)发光二极管

※102.二进制数10011转换为十进制数后为(   )

(A)18

(B)19

(C)21

103.

三态门电路如图所示,当E=0时,F为:

(A)高阻态

(B)

(C)低阻态

(D)AB

※104.保险柜的两层门上各装有一个开关,当任何一层门打开时,报警灯亮,实现此功能的逻辑门L是:

(A)L=A+B

(B)L=AB

(C)L=A

(D)L=B

105.(110110)2对应的十进制数为:

()

(A)45

(B)38

(C)54

(D)63

106.若A+B=A+C,则()

(A)B=C

(B)B=

(C)在A=0的条件下,B=C

※107.同步计数器中的同步是指()

(A)各触发器同时输入信号

(B)各触发器状态同时改变

(C)各触发器受同一时钟脉冲的控制

※108.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为(   )

 

(C)(10000011)2

 

※109.下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是()

(A)变量译码器

(B)加法器

(C)数码寄存器

110.下列关于异或运算的式子中不正确的是()

(A)

⊕A=0

(B)

=1

(C)A⊕0=A

111.下列门电路属于双极性的是()

(A)OC门

(B)PMOC

(C)CMOC

112.对于钟控RS触发器,若要求其输出“0”状态不变,则输入的RS信号()

(A)RS=X0

(B)RS=0X

(C)RS=X1

※113.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为()。

(A)逻辑加

(B)逻辑乘

(C)逻辑非

※114.十进制数100对应的二进制数为()。

(A)1011110

 

115.和逻辑式

表示不同逻辑关系的逻辑式是()。

(A)

(B)

(C)

(D)

※116.数字电路中机器识别和常用的数制是()。

(A)二进制

(B)八进制

(C)十进制

(D)十六进制

117.[+56]的补码是()。

(A)00111000B

(B)11000111B

 

※118.所谓机器码是指()。

(A)计算机内采用的十六进制码

(B)符号位数码化了的二进制数码

(C)带有正负号的二进制数码

(D)八进制数

119.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是()。

(A)与非门

(B)或非门

(C)异或门

(D)同或门

120.下列各型号中属于优先编译码器是()。

(A)74LS85

(B)74LS138

(C)74LS148

(D)74LS48

※121.八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端的个数是()。

(A)2个

(B)3个

(C)4个

(D)8个

※122.四输入的译码器,其输出端最多为()。

(A)4个

(B)8个

(C)10个

(D)16个

※123.一个两输入端的门电路,当输入为1和0时,输出不是1的门是()。

(A)与非门

(B)或门

(C)或非门

(D)异或门

※124.多余输入端可以悬空使用的门是()。

(A)与门

(B)TTL与非门

(C)CMOS与非门

(D)或非门

※125.译码器的输出量是()。

(A)二进制

(B)八进制

(C)十进制

(D)十六进制

126.编码器的输入量是()。

(A)二进制

(B)八进制

(C)非二进制

(D)十六进制

※127.仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是()。

(A)基本RS触发器

(B)钟控RS触发器

(C)D触发器

(D)JK触发器

128.由与非门组成的基本RS触发器不允许输入的变量组合

为()。

(A)00

(B)01

(C)10

(D)11

129.钟控RS触发器的特征方程是()。

(A)

(B)

(C)

(D)

※130.仅具有保持和翻转功能的触发器是()。

(A)JK触发器

(B)T触发器

(C)D触发器

(D)Tˊ触发器

※131.触发器由门电路构成,但它不同门电路功能,主要特点是()

(A)具有翻转功能

(B)具有保持功能

(C)具有记忆功能

132.TTL集成触发器直接置0端

和直接置1端

在触发器正常工作时应()

(A)

=1,

=0

(B)

=0,

=1

(C)保持高电平“1”

(D)保持低电平“0”

※133.按触发器触发方式的不同,双稳态触发器可分为()

(A)高电平触发和低电平触发

(B)上升沿触发和下降沿触发

(C)电平触发或边沿触发

(D)输入触发或时钟触发

※134.按逻辑功能的不同,双稳态触发器可分为()。

(A)RS、JK、D、T等

(B)主从型和维持阻塞型

(C)TTL型和MOS型

(D)上述均包括

 

(A)主从触发

(B)边沿触发

(C)电平触发

※136.为防止“空翻”,应采用()结构的触发器。

(A)TTL

(B)MOS

(C)主从或维持阻塞

※137.用8421BCD码作为代码的十进制计数器,至少需要的触发器触发器个数是()。

(A)2

(B)3

(C)4

(D)5

※138.按各触发器的状态转换与时钟输入CP的关系分类,计数器可分()计数器。

(A)同步和异步

(B)加计数和减计数

(C)二进制和十进制

 

(A)双稳态触发器

(B)单稳态触发器

(C)施密特触发器

140.四位移位寄存器构成的扭环形计数器是()计数器。

(A)模4

(B)模8

(C)模16

※141.下列叙述正确的是()

(A)译码器属于时序逻辑电路

(B)寄存器属于组合逻辑电路

(C)555定时器属于时序逻辑电路

(D)计数器属于时序逻辑电路

※142.多谐振荡器有(   )

(A)两个稳定状态

(B)一个稳定状态,一个暂稳态

(C)两个暂稳态

(D)记忆二进制数的功能

143.利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法是()

(A)复位法

(B)预置数法

(C)级联复位法

144.不产生多余状态的计数器是()。

(A)同步预置数计数器

(B)异步预置数计数器

(C)复位法构成的计数器

※145.数码可以并行输入、并行输出的寄存器有()

(A)移位寄存器

(B)数码寄存器

(C)二者皆有

146.下图中,如果C的频率是4000Hz,那么Q1和Q2波形的频率各是:

(A)1000Hz和2000Hz

(B)2000Hz和1000Hz

(C)500Hz和1000Hz

(D)1

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