硅材料选择题精选DOC.docx
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硅材料选择题精选DOC
1硅单质是_A__。
A半导体B导体C绝缘体。
2只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是__C__。
A线缺陷B面缺陷C点缺陷D体缺陷
3下列是晶体的是__B__。
A玻璃B硅C松香D塑料
4晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是__A__。
A固相生长B液相生长C气相生长
5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。
A90%B92%C95%D97%
6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A.
A低，好，多B低，好，少C低，差，多D高，好，多
7在工业生产中广泛用的是___C___。
A化学清洗Brca清洗C超声波清洗
8.半导体硅工业产品不包括__D__.
①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④B.①②③④C.②③④D.③④
9.硅片制备主要工艺流程是__A__。
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
10.下列说法错误的是__A__。
A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
1、如何从石英砂制取硅？
说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）
A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长
2、多晶硅的生产方法主要包含：
（）
1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法
A、1234B、123C、1456D、4567
3、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？
（）
A、3B、5C、4D、2
4、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
5、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏
6、属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错
7、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A、越高B、不确定C、越低D、不变
8、用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于
9、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？
（）
A、0.786nmB、0.543nmC、0.941nmD、0.543nm
10、简述光生伏特效应中正确的是（）
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
答案AABADDCBCD
1、属于晶体缺陷中面缺陷的是（B）
A位错B层错C肖特基缺陷D螺旋位错
2、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？
（A）
A0.941nmB0.543nmC0.786nmD0.543nm
3、用能量（B）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A低于B等于或大于C大于D小于或等于
4、下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（D）
A加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B加料—→熔化—→缩颈生长—→等径生长—→放肩生长—→尾部生长
C加料—→熔化—→等径生长—→放肩生长—→缩颈生长—→尾部生长
D加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
5、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（C）
A越高B不确定C越低D不变
6、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（A）
A、损坏B、蒸发C、坩埚污染D、分凝
7、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？
（D）
A、6B、2C、4D、5
8、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（A）
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
单晶生长→整形→硅片检测→抛光→蚀刻→切片→晶片研磨及磨边→打包
9、多晶硅的生产方法主要包含：
（C）
1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法
A、1234B、123C、2457D、4567
10、在制造成的电池片效率上看，单晶的效率明优于多晶硅，单晶电池片的转化效率一般能超过百分之（A），而多晶在百分之十几
A二十B十五C二十五D三十
1硅单质是_A__。
A半导体 B导体 C绝缘体。
2只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是__C__。
A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷
3 下列是晶体的是__B__。
A玻璃 B硅 C松香 D塑料
4晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是__A__。
A固相生长 B液相生长 C气相生长
5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。
A90% B92% C95% D97%
6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A.
A低，好，多 B 低，好，少 C低，差，多 D高，好，多
7在工业生产中广泛用的是___C___。
A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗
8.半导体硅工业产品不包括__D__.
①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④ B.①②③④ C.②③④ D.③④
9.硅片制备主要工艺流程是__A__。
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包 D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
10.下列说法错误的是__A__。
A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
1.下列关于硅的说法不正确的是（）
A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体
B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料
C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应
D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应
2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是（）
A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错
3.其中不属于多晶硅的生产方法的是（）
A.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西门子改良法
4.关于光生伏特效应叙述中错误的是（）
A用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；
Bp、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；
C非平衡载流子不破坏原来的热平衡；
D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；
5.下列说法错误的是（）
A调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减
D增大坩埚内径与晶体直径的比值
6.硅材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD是（）
A．0.2VB．0.7VC．-0.2VD．-0.7V
7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？
（）
籽晶熔接
引晶和缩颈
等径生长
收晶
A
B.
C.
D.
8.半导体硅工业产品不包括（）
多晶硅
单晶硅
外延片
非晶硅
A
B.
C.
D.
9、硅片制备主要工艺流程是（）
A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
10、下列说法错误的是（）
A通常，在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择低些，可以缩短扩散时间，有利于生产
B晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割
C直拉法生长单晶硅拉晶过程：
籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶
D缩颈的主要目的：
缩颈是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分
参考答案:
CDCCABBDAA
1.改良西门子法的显著特点不包括（A）
A.高能耗B成本低C产量高D质量稳定
2.制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（B）
A.氧及其相关缺陷B.参杂浓度C。
以间隙铁为主的过渡族金属杂质D材料中的缺陷密度及其分布
3.晶体缺陷不包含（B）
A.点缺陷B柱缺陷C。
面缺陷D体缺陷
4.铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（D）
A.头尾料和锅底料中含有的氧B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C石墨加热器与坩埚反应引入的氧D外界空气的进入
5.铸造多晶硅中氢的主要作用包括（ABC）
A.钝化晶界B钝化错位C钝化电活性杂质
6.悬浮区熔的优点不包括（D）
A不需要坩埚B避免了容器污染C更易获得高纯度硅D成本低
7.CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（B）
A加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾B加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾C加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾D加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾
8.热处理中氧沉淀的形态不包括（A）
A球状沉淀B片状沉淀C棒状沉淀D多面体沉淀
9.可用作硅片的研磨材料是（B）
A.AL2O3B.MGOC.BA2O3D.NACL
10.硅片抛光在原理上不可分为（C）
A.机械抛光法B.化学抛光法C手工抛光法.D.机械--化学抛光法
1、对于临界晶核，即与母相达成平衡，可以稳定存在的晶核来说，下列应该满足的条件是（）答案：
B
（1）、母相压强等于外压强
（2）、三个相的化学势相等
（3）、新相压强大于外压强（4）、新相压强必须小于外压强
A、
（1）、
（2）、（4）
B、
（1）、
（2）、（3）
C、（4）
D、
（1）、
（2）、（3）、（4）
2、一下哪一种属于金刚石结构（）答案：
A
A.SiB.CuC.FeD.Al
3、下列不属于三氯氢硅性质的是（）答案：
C
A、无色透明B、易燃易爆
C、不易挥发和水解D、有刺激性气味
4、下列不属于工业吸附要求的是（）答案：
C
A.具有较大的内表面，吸附容量大
B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀
C.不易得，昂贵
D.容易再生
5、下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）答案：
D
A、氧B、硼
C、温度D、湿度
6、下列属于单晶硅片的一般形状（）答案：
A
A.方形B.三角形C.圆形D.梯形
7、尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（）答案：
A
A、形状太凹B、形状太凸
C、过于平整D、无变化
8、固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上
进行常规热处理。
答案：
D
A.300B.400C.500D.600
9、正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）答案：
B
A、能B、不能
C、不确定D、有时可以，有时不可以
10、通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。
答案：
A
A、温度场B、磁场
C、重力场D、电场
1、 在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称（B ）
Ａ．光电效应 B．光生伏特效应 C．内光电效应 D．外光电效应
2光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（ A ）。
使材料的电学性质发生变化。
通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。
光子效应所制成的红外探测器。
A．光子效应 B．霍尔效应 C．热电效应 D．压电效应
3P型半导体中的多数载流子是（A）
A. 空穴 B.电子 C. 自由电子 D.光子
4PN结的基本特性是（A）
A. 单向导电性 B. 半导性 C.电流放大性 D.绝缘性
5下列哪个不是单晶常用的晶向（B）
A（100）B（001）C（111）D（110）
6常见的晶格结构有（D）
1简单立方结构
2体心立方结构
3面心立方机构
4金刚石结构
5闪锌矿结构
6三棱锥结构
A①②③④⑥B④⑤⑥C②③④⑤D①②③④⑤
7下列哪一个不是半导体的导电类型（D）
1本征半导体
2N型半导体
3P型半导体
A②③B①②C②D①②③
8下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（A）
A漂移迁移率B电导迁移率C霍尔迁移率D磁阻迁移率
9下列哪个不是半导体材料的分类（D）
A元素半导体B化合物半导体C有机半导体D定形半导体
10原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（D）
A减小，减小B减小，增大C增大，增大D增大，减小
1、影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是：
A
原材料中杂质的种类和含量；
杂质的分凝效应；
杂质的蒸发效应；
生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；
加入杂质量；
A.
B.
C.
D.
2、当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率____A_____。
A.上升B.下降C.不变D.不确定
3、制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是__A___。
A.汽-固B.液-固C.固-固D.汽-液
4、测量硅中氧浓度常用的方法是___D__。
A.带电粒子活化法B.熔化分析法C.离子质谱法D.红外光谱分析法
5、在设计合理的生长系统时，其驱动力场满足的要求中。
晶体-流体界面附近_____B______。
A.负相变驱动力，Δg>0B.负相变驱动力，Δg<0
C.正相变驱动力，Δg<0D.正相变驱动力，Δg>0
6、原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距_______而迅速地___A____。
A.增加减小B.减小减小C.增加增加D.不确定
7、下列铸造多晶硅的制备方法中，__C_____没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。
A.布里曼法B.热交换法C.电磁铸锭法D.浇铸法
8、下列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是____B__。
A.加热B.化料C.晶体生长D.冷却
9、在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是___B___。
A.上部和边缘部分B.中部和边缘部分C.上部和底部D.底部和边缘部分
10、在制备多晶硅薄膜时，要调整工艺参数，使得多晶硅的晶粒_____,晶界__B___。
A.尽量大尽量大B.尽量大尽量小C.尽量小尽量小D尽量小尽量大
1.一下哪一种属于金刚石结构（A）
A.SiB.CuC.FeD.Al
2.下列与硼氧复合体缺陷无关的是（D）
A.氧B.硼C.温度D.湿度
B.
3.晶体生长过程亦即相变过程，也可以看做相界面的推移过程，由此可将晶体生长过程分为三类，以下正确的是（B）。
（1）、固相生长
（2）、液相生长（3）、气象生长（4）、边缘生长
A、
（1）、
（2）、（4）
B、
（1）、
（2）、（3）
C、（4）
D、
（1）、
（2）、（3）、（4）
4.固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（D）摄氏度以上进行常规热处理。
A、300B、400
C、500D、600
5.化学提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为三个步骤，一下正确的是（B）。
（1）、中间化合物的合成
（2）、中间化合物的分离提纯
（3）、中间化合物被还原或者是分解高纯硅（4）、中间化合物的去除
A、
（1）、
（2）、（4）
B、
（1）、
（2）、（3）
C、（4）
D、
（1）、
（2）、（3）、（4）
6..多晶硅的工艺流程是（C）
A.清洗，装料，化料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
B.清洗，化料，装料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
C.清洗，装料，化料，等径生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
D.清洗，晶体生长，化料，装料，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段（A）
A.润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光
B.熔化、润晶、放肩、等径生长、拉光
C.润晶、熔化、放肩、等径生长、拉光
D.润晶、缩颈、放肩、等径生长、尾部生长
B.以下哪个是错误的（D）
（2）杂质对材料的导电类型有影响
（3）B.杂质对材料的电阻率会有影响
C.杂质对非平衡载流子寿命有影响
D.杂质对平衡载流子的寿命有影响
9.考虑原料与坩埚引入杂质影响，在拉制电阻率ρ1--ρ2范围单晶时，应加入杂质使熔体中含有杂质浓度为（C）
A.都为CL=C1-C2B.都为CL=C1+C2
C.试拉单晶为同型CL=C1-C2不同型CL=C1+C2
D.试拉单晶为同型CL=C1+C2不同型CL=C1-C2
10.为保证生产的稳定，减少外来污染引起的电阻率起伏（D）
A固定拉晶时间B应用控制电阻率径向和纵向均匀性方法
C固定拉晶参数D重复使用复拉料
1.下列关于硅的说法中，不正确的是 （C）
A．硅是人类将太阳能转换为电能的常用材料
B．硅的导电性能介于金属和绝缘体之间，是良好的半导体材料
C．硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应
D．加热到一定温度时，硅能与氯气、氧气等非金属反应
2.10g含有杂质的CaCO3和足量的盐酸反应，产生CO20.1mol，则此样品中可能含有的杂质是（ B ）
A．KHCO3和MgCO3
B．MgCO3和SiO2
C．K2CO3和SiO2
D．无法确定
3.在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（D）以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
4.石墨炸弹爆炸时，能在方圆几百米范围内撒下大量的石墨纤维，造成输电线、电厂设备损坏。
这是由于石墨（ C ）
A．有剧毒
B．易燃、易爆
C．能导电
D．有放射
5.二氧化硅是酸酐的原因是（ C ）
A．它溶于水得相应的酸
B．它对应的水化物是可溶性强酸
C．它与强碱溶液反应只生成盐和水
D．它是非金属氧化物
6.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是（D）
A.弗伦克尔缺陷
B.肖特基缺陷
C.位错
D.层错
7.晶体生长过程亦即相变过程，也可以看做相界面的推移过程，由此可将晶体生长过程分为三类，以下正确的是（B）。
A、固相生长
B、液相生长
C、气象生长
D、边缘生长
8.关于光生伏特效应叙述中错误的是（C）
A.用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；
B.p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；
C.非平衡载流子不破坏原来的热平衡；
D.非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散
9.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段（A）
A.润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光
D.熔化、润晶、放肩、等径生长、拉光
C.润晶、熔化、放肩、等径生长、拉光
B.润晶、缩颈、放肩、等径生长、尾部生长
10.多晶硅的工艺流程是（C）
A.清洗，装料，化料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
B.清洗，化料，装料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
C.清洗，装料，化料，等径生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
D.清洗，晶体生长，化料，装料，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装
1.硅材料是太阳能电池及电脑芯片不可缺少的材料，随着一批多晶硅生产企业在乐山建成投产，乐山将成为我国重要的硅材料产业基地。
下面是多晶硅生产过程中的一个重要反应：
SiO2+2C
Si+2CO↑，该反应的基本类型是C
A．化合反应B．分解反应C．置换反应D．复分解反应
2.面心立方晶格中原子密度最大的晶向是?
B
A[100]B[110]C[111]D[121]
3下列哪个不是化学法提纯高纯多晶硅的方法B
A．三氯氢硅还原法B区域熔化提纯法C硅烷法D流态化床法
4关于直拉单晶硅的说法错的是C
A提纯效果好B对硅材料的要求一般C生产成本低D产量高
5在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决以下的问题。
除了a
A尽量增大环境温度B尽量均匀的固液界面温度C尽量大的晶粒D尽量少的外界污染
6铸造多晶硅中的金属杂质形成沉淀有什么影响B
A电活性升高B影响少子寿命C影响载流子浓度D不会影响多晶硅的制备
7多晶硅片少子寿命的影响因素A
A温度B杂质含量C硅片厚度D晶粒尺寸均匀性
8单晶硅中的点缺陷不包括D
A空位B自间隙原子C杂质原子D载流子浓度
9集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有
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