浅谈光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术.docx
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浅谈光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术
《光伏检测与分析》替代教材《硅材料检测技术》
课程基于网络考核方案
一、考核改革的目的
1．通过本课程考核的改革，深入探索现代远程开放教育、成人学习课程考核的基本模式；
2．通过本课程考核的改革，探索《光伏检测与分析》替代教材《硅材料检测技术》课程的形成性考核和终结性考试的目标、形式、题型、题量、难易程度等；
3．通过本课程考核的改革，进一步强化教学过程的落实，指导学生在学习过程中理解把握课程的内容，引导学生实现各个学习环节，达到学习目标；
4．探索远程成人考核的信度、效度，保证学习质量。
二、考核对象
本课程适合工学科动力能源类《光伏发电技术及应用》专业（专科）使用。
三、考核目标
通过考核既要检测学生对光伏（硅）材料检测技术基本理论知识的掌握程度，又要检测学生对专业理论知识的运用程度，重点考核学生的专业实践能力。
四、考核方式
本课程考核由网上形成性考核和网络终结性考试相结合形式。
形成性考核占总成绩的50%，由4次作业构成，登陆形成性考核系统进行，随平时学习过程中完成；终结性考试占总成绩的50%，登陆终考考试系统进行，在学期末进行，具体时间及安排见国家开放大学统一考试安排。
课程考核成绩满分100分。
形成性考核成绩和终结性考试成绩均达到60分以上（双及格），方可获得本课程合格证。
（一）形成性考核
通过形成性考核一方面可以加强对地方电大教师教学过程的引导、指导和管理，优质的完成教学任务，实现教学目标；另一方面可以加强对学生平时自主学习过程的指导和监督，重在对学生自主学习过程进行的指导和检测，引导学生按照教学要求和学习计划完成学习任务，达到掌握知识、提高能力的目标，提高学生的综合素质。
第一部分形考说明
设计4次测验题，占课程综合成绩的50％。
形式：
4次测试题，题型有单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题。
注：
每次形考任务按百分制进行成绩评定。
操作：
所有形成性考核试题均由国家开放大学统一编制。
第二部分形考内容
序号
章节
内容
形式
发布
时间
最迟提交时间
权重
1
第一章
第二章
硅单晶常规电学参数的物理测试
化学腐蚀法检测晶体缺陷
单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题
第3周
第4周
30％
2
第三章
第四章
半导体晶体定向
红外吸收法测定硅单晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的检验
单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题
第6周
第7周
30％
3
第五章
第六章
纯水的检测
高纯分析方法
单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题
第9周
第10周
20％
4
第六章
第七章
高纯分析方法
其他物理检测仪器简介
单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题
第12周
第13周
20％
第一次考核目的与要求
学习完第一章、第二章之后完成本测试（100分）。
题型：
单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题。
样题：
1．单项选择题（每小题2分）
（ ）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。
A．冷热探笔法 B．三探针法 C．单探针点接触整流法 D．冷探笔法
答案：
A
2．多项选择题（每小题3分）
国内外导电类型测量的具体方法主要有（ ）。
A．冷热探笔法B．三探针法C．单探针点接触整流法D．冷探笔法
答案：
ABCD
3．判断题（每小题2分）
位错是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。
答案：
√
4．配伍题（每小题3分）
将下列缺陷一一对应。
（1）空位 A.点缺陷
（2）位错 B.线缺陷
（3）层错 C.面缺陷
答案：
（1）-A、
（2）-B、（3）-C
目的：
考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。
帮助学生找出学习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。
要求：
1．认真研读教材第一、二章内容，理清各知识点之间的联系和主要脉络。
2．认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。
解题思路：
1．冷热探笔法测试硅单晶导电类型以及测试原理和操作步骤；四探针法测试硅单晶电阻率的原理及操作步骤；
2．硅单晶导电类型、多数载流子、少数载流子、非平衡少数载流子寿命等参数的概念；
3．硅单晶电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂；硅单晶中缺陷的腐蚀；测试方法及步骤；
4．影响硅单晶电化学腐蚀速度的各种因素。
第二次考核目的与要求
学习完教材第三章、第四章以后完成本测试（100分）。
题型：
单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题。
目的：
考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。
帮助学生找出学习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。
要求：
1．认真研读教材第三、四章内容，理清各知识点之间的联系和主要脉络。
2．认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。
解题思路：
1．硅单晶晶体取向的表示方法；光图定向法的原理及操作；
2．影响光图定向法及X光定向法的各种因素；X光的性质与产生；
3．红外吸收法测定硅单晶中氧碳含量的原理及操作步骤；多晶硅中基硼、基磷含量的检测原理、步骤及计算；
4．红外吸收法测定硅单晶中氧、碳含量的测准因素。
第三次考核目的与要求
学习完教材第五章、第六章以后完成本测验（100分）。
题型：
单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题。
目的：
考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。
帮助学生找出学习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。
要求：
1．认真研读教材第五章、第六章的内容，理清各知识点之间的联系和主要脉络。
2．认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题
解题思路：
1．离子交换法制高纯水的全部工艺操作及步骤；高纯水的测试；
2．离子交换法制备高纯水的原理；
3．三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定；三氯氢硅中硼的分析；
4．露点法测定气体中的水分。
第四次考核目的与要求
学习完教材第六篇、第七章内容后完成本测试（100分）。
题型：
单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题。
目的：
考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。
帮助学生找出学习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。
要求：
1．认真研读教材第六章、第七章内容。
2．认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。
解题思路：
1．三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定；三氯氢硅中硼的分析；
2．三氯氢硅中磷的气相色谱测定；气相色谱法测定干法氢的组分；
3．露点法测定气体中的水分；氯化氢中水分的测定；
4．X射线形貌技术；质谱分析；中子活化分析；电子显微镜。
（二）终结性考试
主要目的：
主要考核学生对光伏（硅）材料检测技术的基本理论、基本知识、基本概念、基本技能的理解与把握。
第一部分考核说明
比重：
占课程综合成绩的50%，按百分制计算。
题型：
单项选择题、多项选择题，配伍题、简答题。
操作：
采用网络终考考试系统考试，国家开放大学统一编制试题，地方广播电视大学组织考试。
时间：
60分钟
第二部分考核内容
一、单项选择题（在各题的备选答案中，只有1项是正确的，请将正确答案的序号，填写在题中的括号内。
每小题2分，共20分）
1．（ ）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。
A．冷热探笔法 B．三探针法 C．单探针点接触整流法 D．冷探笔法
答案：
A
二、多项选择题（本题共30分，每小题3分，多选、少选、错选均不得分）
1.国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（ ）。
A）冷热探笔法B）三探针法C）单探针点接触整流法D）冷探笔法
2.构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（ ）。
A）被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差
B）具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触
C）半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中
D）电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的
答案：
1.ABCD 2.ABCD
三、配伍题（本题共20分，每小题2分）
1.将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。
（1）冷热探笔法 A.10-4～104Ω?
cm
（2）整流法 B.1～1000Ω?
cm
（3）两探针法 C.1000Ω?
cm以下
答案：
（1）-C、
（2）-B、（3）-A
四、简答题（简要回答下列各题，每小题10分，共30分）
1．用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？
答：
对于P型半导体，空穴扩散流的方向是从热端到冷端，电场的方向是从冷端指向热端，冷端带正电，热端带负电。
五、考试手段
形成性考核运用“形成性考核测评系统”。
终结性考试运用网络终考考试系统进行。
考试方式：
开卷。
考试时间：
60分钟
及格条件：
双及格
六、考试日期
另行通知。
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